트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
AT-41486-BLKG Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz 이득: 9dB ~ 18dB 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-86 공급자 장치 패키지: 86 Plastic	재고 있음3,762
AT-41486-TR1G Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz 이득: 9dB ~ 18dB 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-86 공급자 장치 패키지: 86 Plastic	재고 있음4,176
AT-41486-TR2G Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz 이득: 9dB ~ 18dB 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-86 공급자 장치 패키지: 86 Plastic	재고 있음2,214
AT-41500-GP4 Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ DIE 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz 이득: 8dB ~ 17dB 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음3,312
AT-41511-BLKG Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V SOT143 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz 이득: 11dB ~ 15.5dB 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143	재고 있음4,428
AT-41511-TR1 Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V SOT143 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz 이득: 11dB ~ 15.5dB 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143	재고 있음3,400
AT-41511-TR1G Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V SOT143 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz 이득: 11dB ~ 15.5dB 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143	재고 있음7,524
AT-41511-TR2G Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V SOT143 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz 이득: 11dB ~ 15.5dB 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143	재고 있음2,790
AT-41532-BLKG Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V SC70-3 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz 이득: 9dB ~ 15.5dB 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3	재고 있음8,046
AT-41532-TR1 Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V SC70-3 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz 이득: 9dB ~ 15.5dB 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3	재고 있음4,950
AT-41532-TR1G Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V SC70-3 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz 이득: 9dB ~ 15.5dB 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3	재고 있음5,094
AT-41532-TR2G Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V SC70-3 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz 이득: 9dB ~ 15.5dB 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3	재고 있음3,708
AT-41533-BLKG Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V SOT23 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz 이득: 9dB ~ 14.5dB 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음8,280
AT-41533-TR1 Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V SOT23 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz 이득: 9dB ~ 14.5dB 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음8,514
AT-41533-TR1G Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V SOT23 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz 이득: 9dB ~ 14.5dB 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음7,092
AT-41533-TR2G Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V SOT23 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz 이득: 9dB ~ 14.5dB 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음8,640
AT-41535G Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO X 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz 이득: 10dB ~ 18dB 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD (35 micro-X) 공급자 장치 패키지: 35 micro-X	재고 있음5,148
AT-41586-BLKG Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz 이득: 8dB ~ 17dB 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-86 공급자 장치 패키지: 86 Plastic	재고 있음6,372
AT-41586-TR1G Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz 이득: 8dB ~ 17dB 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-86 공급자 장치 패키지: 86 Plastic	재고 있음5,760
AT-41586-TR2G Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz 이득: 8dB ~ 17dB 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-86 공급자 장치 패키지: 86 Plastic	재고 있음6,444
AT-42000-GP4 Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 9GHZ CHIP 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 이득: 10.5dB ~ 14dB 전력-최대: 600mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Chip	재고 있음3,186
AT-42010 Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ 100SMD 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 이득: 10dB ~ 13.5dB 전력-최대: 600mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD (100 mil) 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,866
AT-42035G Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO X 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 이득: 10dB ~ 13.5dB 전력-최대: 600mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD (35 micro-X) 공급자 장치 패키지: 35 micro-X	재고 있음6,894
AT-42036-BLKG Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ 36 MICRO X 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 이득: 10dB ~ 13.5dB 전력-최대: 600mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD (36 micro-X) 공급자 장치 패키지: 36 micro-X	재고 있음3,366
AT-42036-TR1G Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ 36 MICRO X 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 이득: 10dB ~ 13.5dB 전력-최대: 600mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD (36 micro-X) 공급자 장치 패키지: 36 micro-X	재고 있음8,136
AT-42070 Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ 70 MIL PKG 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 이득: 10.5dB ~ 14dB 전력-최대: 600mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD (70 mil) 공급자 장치 패키지: 70 mil Package	재고 있음6,606
AT-42085G Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ 85 PLASTIC 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz 이득: 9.5dB ~ 13.5dB 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD (85 Plastic) 공급자 장치 패키지: 85 Plastic	재고 있음7,070
AT-42086-BLKG Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz 이득: 9dB ~ 13dB 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-86 공급자 장치 패키지: 86 Plastic	재고 있음5,328
AT-42086-TR1G Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz 이득: 9dB ~ 13dB 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-86 공급자 장치 패키지: 86 Plastic	재고 있음7,740
AT-42086-TR2G Broadcom	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz 이득: 9dB ~ 13dB 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-86 공급자 장치 패키지: 86 Plastic	재고 있음3,312

AT-41486-BLKG

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
이득: 9dB ~ 18dB
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-86
공급자 장치 패키지: 86 Plastic

재고 있음3,762

AT-41486-TR1G

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
이득: 9dB ~ 18dB
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-86
공급자 장치 패키지: 86 Plastic

재고 있음4,176

AT-41486-TR2G

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
이득: 9dB ~ 18dB
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-86
공급자 장치 패키지: 86 Plastic

재고 있음2,214

AT-41500-GP4

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ DIE

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
이득: 8dB ~ 17dB
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음3,312

AT-41511-BLKG

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V SOT143

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
이득: 11dB ~ 15.5dB
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143

재고 있음4,428

AT-41511-TR1

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V SOT143

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
이득: 11dB ~ 15.5dB
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143

재고 있음3,400

AT-41511-TR1G

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V SOT143

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
이득: 11dB ~ 15.5dB
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143

재고 있음7,524

AT-41511-TR2G

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V SOT143

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
이득: 11dB ~ 15.5dB
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143

재고 있음2,790

AT-41532-BLKG

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V SC70-3

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
이득: 9dB ~ 15.5dB
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3

재고 있음8,046

AT-41532-TR1

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V SC70-3

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
이득: 9dB ~ 15.5dB
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3

재고 있음4,950

AT-41532-TR1G

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V SC70-3

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
이득: 9dB ~ 15.5dB
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3

재고 있음5,094

AT-41532-TR2G

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V SC70-3

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
이득: 9dB ~ 15.5dB
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3

재고 있음3,708

AT-41533-BLKG

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V SOT23

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
이득: 9dB ~ 14.5dB
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음8,280

AT-41533-TR1

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V SOT23

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
이득: 9dB ~ 14.5dB
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음8,514

AT-41533-TR1G

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V SOT23

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
이득: 9dB ~ 14.5dB
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음7,092

AT-41533-TR2G

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V SOT23

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
이득: 9dB ~ 14.5dB
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음8,640

AT-41535G

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO X

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
이득: 10dB ~ 18dB
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD (35 micro-X)
공급자 장치 패키지: 35 micro-X

재고 있음5,148

AT-41586-BLKG

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
이득: 8dB ~ 17dB
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-86
공급자 장치 패키지: 86 Plastic

재고 있음6,372

AT-41586-TR1G

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
이득: 8dB ~ 17dB
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-86
공급자 장치 패키지: 86 Plastic

재고 있음5,760

AT-41586-TR2G

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
이득: 8dB ~ 17dB
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-86
공급자 장치 패키지: 86 Plastic

재고 있음6,444

AT-42000-GP4

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 9GHZ CHIP

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
이득: 10.5dB ~ 14dB
전력-최대: 600mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Chip

재고 있음3,186

AT-42010

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 100SMD

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
이득: 10dB ~ 13.5dB
전력-최대: 600mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD (100 mil)
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,866

AT-42035G

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO X

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
이득: 10dB ~ 13.5dB
전력-최대: 600mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD (35 micro-X)
공급자 장치 패키지: 35 micro-X

재고 있음6,894

AT-42036-BLKG

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 36 MICRO X

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
이득: 10dB ~ 13.5dB
전력-최대: 600mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD (36 micro-X)
공급자 장치 패키지: 36 micro-X

재고 있음3,366

AT-42036-TR1G

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 36 MICRO X

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
이득: 10dB ~ 13.5dB
전력-최대: 600mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD (36 micro-X)
공급자 장치 패키지: 36 micro-X

재고 있음8,136

AT-42070

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 70 MIL PKG

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
이득: 10.5dB ~ 14dB
전력-최대: 600mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD (70 mil)
공급자 장치 패키지: 70 mil Package

재고 있음6,606

AT-42085G

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 85 PLASTIC

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz
이득: 9.5dB ~ 13.5dB
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD (85 Plastic)
공급자 장치 패키지: 85 Plastic

재고 있음7,070

AT-42086-BLKG

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz
이득: 9dB ~ 13dB
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-86
공급자 장치 패키지: 86 Plastic

재고 있음5,328

AT-42086-TR1G

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz
이득: 9dB ~ 13dB
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-86
공급자 장치 패키지: 86 Plastic

재고 있음7,740

AT-42086-TR2G

Broadcom

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz
이득: 9dB ~ 13dB
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-86
공급자 장치 패키지: 86 Plastic

재고 있음3,312

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