트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BFG10/X,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V 주파수-전환: 1.9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB 전력-최대: 400mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음6,426
BFG135,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음2,610
BFG135AE6327XT Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 6GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 9dB ~ 14dB 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4	재고 있음7,506
BFG 193 E6433 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT223-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 10.5dB ~ 16dB 전력-최대: 600mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4	재고 있음4,122
BFG 196 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT223-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 9dB ~ 14.5dB 전력-최대: 800mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4	재고 있음5,598
BFG198,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음5,652
BFG 19S E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 14dB ~ 8.5dB 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 210mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4	재고 있음3,870
BFG21W,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V 18GHZ CMPAK-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: 18GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 600mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음7,614
BFG 235 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 900MHz 이득: 12.5dB 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 200mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4	재고 있음4,176
BFG25AW/X,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 5GHZ 4SO 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500µA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6.5mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343 Reverse Pinning 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음4,950
BFG25A/X,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 5GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 32mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500µA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6.5mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음3,150
BFG310W/XR,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 2GHz 이득: 18dB 전력-최대: 60mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음4,572
BFG310/XR,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6V 14GHZ SOT143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 2GHz 이득: 18dB 전력-최대: 60mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음3,096
BFG31,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 15V 5GHZ SOT223 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 70mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음3,060
BFG325W/XR,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz 이득: 18.3dB 전력-최대: 210mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음6,408
BFG325/XR,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6V 14GHZ SOT143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz 이득: 18.3dB 전력-최대: 210mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음7,200
BFG35,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V 주파수-전환: 4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음23,748
BFG403W,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V 17GHZ CMPAK-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: 17GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2GHz 이득: 20dB ~ 22dB 전력-최대: 16mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 3mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.6mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음8,838
BFG410W,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: 22GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz 이득: 21dB 전력-최대: 54mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 12mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음7,722
BFG410W,135 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: 22GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz 이득: 21dB 전력-최대: 54mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 12mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음6,534
BFG424F,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ 4SO 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz 이득: 23dB 전력-최대: 135mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343 Reverse Pinning 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음7,542
BFG424W,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz 이득: 22dB 전력-최대: 135mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음2,178
BFG425W,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz 이득: 20dB 전력-최대: 135mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음3,438
BFG425W,135 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz 이득: 20dB 전력-최대: 135mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음3,492
BFG480W,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V 21GHZ CMPAK-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: 21GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz 이득: 16dB 전력-최대: 360mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 80mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음5,382
BFG480W,135 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V 21GHZ CMPAK-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: 21GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz 이득: 16dB 전력-최대: 360mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 80mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음4,482
BFG505,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 18mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음6,768
BFG505/X,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 18mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음5,742
BFG505/X,235 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 18mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음8,712
BFG520,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음2,100

BFG10/X,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V
주파수-전환: 1.9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB
전력-최대: 400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음6,426

BFG135,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음2,610

BFG135AE6327XT

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 6GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 9dB ~ 14dB
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4

재고 있음7,506

BFG 193 E6433

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT223-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 10.5dB ~ 16dB
전력-최대: 600mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4

재고 있음4,122

BFG 196 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT223-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 9dB ~ 14.5dB
전력-최대: 800mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4

재고 있음5,598

BFG198,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음5,652

BFG 19S E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 14dB ~ 8.5dB
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 210mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4

재고 있음3,870

BFG21W,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V 18GHZ CMPAK-4

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: 18GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 600mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음7,614

BFG 235 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB @ 900MHz
이득: 12.5dB
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 200mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4

재고 있음4,176

BFG25AW/X,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 5GHZ 4SO

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500µA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6.5mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343 Reverse Pinning
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음4,950

BFG25A/X,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 5GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 32mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500µA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6.5mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음3,150

BFG310W/XR,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 2GHz
이득: 18dB
전력-최대: 60mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음4,572

BFG310/XR,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6V 14GHZ SOT143R

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 2GHz
이득: 18dB
전력-최대: 60mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음3,096

BFG31,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 15V 5GHZ SOT223

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 70mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음3,060

BFG325W/XR,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
이득: 18.3dB
전력-최대: 210mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음6,408

BFG325/XR,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6V 14GHZ SOT143R

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
이득: 18.3dB
전력-최대: 210mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음7,200

BFG35,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V
주파수-전환: 4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음23,748

BFG403W,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V 17GHZ CMPAK-4

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: 17GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2GHz
이득: 20dB ~ 22dB
전력-최대: 16mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 3mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.6mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음8,838

BFG410W,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: 22GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
이득: 21dB
전력-최대: 54mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 12mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음7,722

BFG410W,135

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: 22GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
이득: 21dB
전력-최대: 54mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 12mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음6,534

BFG424F,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ 4SO

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
이득: 23dB
전력-최대: 135mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343 Reverse Pinning
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음7,542

BFG424W,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
이득: 22dB
전력-최대: 135mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음2,178

BFG425W,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
이득: 20dB
전력-최대: 135mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음3,438

BFG425W,135

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
이득: 20dB
전력-최대: 135mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음3,492

BFG480W,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V 21GHZ CMPAK-4

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: 21GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz
이득: 16dB
전력-최대: 360mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 80mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음5,382

BFG480W,135

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V 21GHZ CMPAK-4

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: 21GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz
이득: 16dB
전력-최대: 360mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 80mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음4,482

BFG505,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 18mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음6,768

BFG505/X,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 18mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음5,742

BFG505/X,235

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 18mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음8,712

BFG520,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음2,100

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message