트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BFP182RE7764HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143R-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 22dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: PG-SOT143R-4	재고 있음7,128
BFP182WE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 22dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음4,680
BFP182WH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 22dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음6,246
BFP183E7764HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 22dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4	재고 있음51,438
BFP183WE6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 22dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음7,956
BFP183WH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 22dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음73,674
BFP193E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 12dB ~ 18dB 전력-최대: 580mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4	재고 있음51,630
BFP193WE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 13.5dB ~ 20.5dB 전력-최대: 580mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음7,866
BFP193WH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 13.5dB ~ 20.5dB 전력-최대: 580mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음4,338
BFP196E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT143-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 10.5dB ~ 16.5dB 전력-최대: 700mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4	재고 있음83,016
BFP 196R E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT143-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 10.5dB ~ 16.5dB 전력-최대: 700mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4	재고 있음5,850
BFP 196R E6501 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT143-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 10.5dB ~ 16.5dB 전력-최대: 700mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4	재고 있음3,042
BFP196WE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 12.5dB ~ 19dB 전력-최대: 700mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음2,862
BFP196WH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 12.5dB ~ 19dB 전력-최대: 700mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음56,430
BFP196WNH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB @ 900MHz 이득: 9.7dB 전력-최대: 700mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음24,480
BFP405E6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz 이득: 23dB 전력-최대: 75mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음5,058
BFP405E6433HTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz 이득: 23dB 전력-최대: 75mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음8,262
BFP405E6740HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz 이득: 23dB 전력-최대: 75mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음4,878
BFP 405F E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz 이득: 22.5dB 전력-최대: 55mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 12mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음6,480
BFP405FH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF TRANS RF NPN 4.5V 25MA TSFP-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음2,466
BFP405H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz 이득: 23dB 전력-최대: 75mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음54,180
BFP 405 H6433 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz 이득: 23dB 전력-최대: 75mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음3,528
BFP405H6740XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz 이득: 23dB 전력-최대: 75mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음4,536
BFP410H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz 이득: 21.5dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 13mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음3,636
BFP420E6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz 이득: 21dB 전력-최대: 160mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음7,668
BFP420E6433HTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz 이득: 21dB 전력-최대: 160mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음4,698
BFP 420F E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz 이득: 19.5dB 전력-최대: 160mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음7,470
BFP420FH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5.5V 25GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz 이득: 19.5dB 전력-최대: 160mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음85,320
BFP420H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz 이득: 21dB 전력-최대: 160mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음691,512
BFP420H6433XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz 이득: 21dB 전력-최대: 160mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음6,570

BFP182RE7764HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143R-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 22dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: PG-SOT143R-4

재고 있음7,128

BFP182WE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 22dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음4,680

BFP182WH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 22dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음6,246

BFP183E7764HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 22dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4

재고 있음51,438

BFP183WE6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 22dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음7,956

BFP183WH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 22dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음73,674

BFP193E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 12dB ~ 18dB
전력-최대: 580mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4

재고 있음51,630

BFP193WE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 13.5dB ~ 20.5dB
전력-최대: 580mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음7,866

BFP193WH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 13.5dB ~ 20.5dB
전력-최대: 580mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음4,338

BFP196E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT143-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 10.5dB ~ 16.5dB
전력-최대: 700mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4

재고 있음83,016

BFP 196R E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT143-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 10.5dB ~ 16.5dB
전력-최대: 700mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4

재고 있음5,850

BFP 196R E6501

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT143-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 10.5dB ~ 16.5dB
전력-최대: 700mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4

재고 있음3,042

BFP196WE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 12.5dB ~ 19dB
전력-최대: 700mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음2,862

BFP196WH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 12.5dB ~ 19dB
전력-최대: 700mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음56,430

BFP196WNH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB @ 900MHz
이득: 9.7dB
전력-최대: 700mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음24,480

BFP405E6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
이득: 23dB
전력-최대: 75mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음5,058

BFP405E6433HTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
이득: 23dB
전력-최대: 75mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음8,262

BFP405E6740HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
이득: 23dB
전력-최대: 75mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음4,878

BFP 405F E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 25GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
이득: 22.5dB
전력-최대: 55mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 12mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음6,480

BFP405FH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

TRANS RF NPN 4.5V 25MA TSFP-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음2,466

BFP405H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
이득: 23dB
전력-최대: 75mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음54,180

BFP 405 H6433

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
이득: 23dB
전력-최대: 75mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음3,528

BFP405H6740XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
이득: 23dB
전력-최대: 75mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음4,536

BFP410H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
이득: 21.5dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 13mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음3,636

BFP420E6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
이득: 21dB
전력-최대: 160mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음7,668

BFP420E6433HTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
이득: 21dB
전력-최대: 160mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음4,698

BFP 420F E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 25GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
이득: 19.5dB
전력-최대: 160mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음7,470

BFP420FH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5.5V 25GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
이득: 19.5dB
전력-최대: 160mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음85,320

BFP420H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
이득: 21dB
전력-최대: 160mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음691,512

BFP420H6433XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
이득: 21dB
전력-최대: 160mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

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