트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BFQ19,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 70mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음3,436
BFQ 19S E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz 이득: 7dB ~ 11.5dB 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 210mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT89	재고 있음8,208
BFQ19SH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 1.8GHz 이득: 7dB 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음2,520
BFQ31ATA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz 이득: - 전력-최대: 330mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음6,120
BFQ31ATC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz 이득: - 전력-최대: 330mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음4,716
BFQ540,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT89-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.4dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 1.2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음2,160
BFQ591,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT89-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 2.25W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 70mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음4,050
BFQ67,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음2,790
BFQ67W,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음2,016
BFQ67W,135 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음4,752
BFQ790H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6.1V 1.85GHZ SOT89 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6.1V 주파수-전환: 1.85GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.6dB @ 1.8GHz 이득: 17dB 전력-최대: 1.5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음65,484
BFR106,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz 이득: - 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 9V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음7,182
BFR106E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz 이득: 8.5dB ~ 13dB 전력-최대: 700mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 210mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음209,556
BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 18.5dB 전력-최대: 175mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,190
BFR 181 E6780 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 18.5dB 전력-최대: 175mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,492
BFR 181T E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 19.5dB 전력-최대: 175mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: PG-SC-75	재고 있음2,592
BFR 181W E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 19dB 전력-최대: 175mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3	재고 있음7,200
BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 19dB 전력-최대: 175mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3	재고 있음337,194
BFR 182 B6663 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 12dB ~ 18dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,150
BFR182E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 12dB ~ 18dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음25,008
BFR 182T E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 20dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: PG-SC-75	재고 있음8,118
BFR 182W E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 19dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3	재고 있음8,676
BFR182WH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 19dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3	재고 있음27,858
BFR183E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 17.5dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음98,322
BFR 183T E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 19.5dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: PG-SC-75	재고 있음2,448
BFR 183W E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 18.5dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3	재고 있음3,672
BFR183WH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 18.5dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3	재고 있음6,174
BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 10dB ~ 15dB 전력-최대: 580mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음321,858
BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 12.5dB 전력-최대: 580mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: PG-TSFP-3	재고 있음53,880
BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 12.5dB ~ 19dB 전력-최대: 580mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3-1	재고 있음2,070

BFQ19,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 70mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음3,436

BFQ 19S E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz
이득: 7dB ~ 11.5dB
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 210mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT89

재고 있음8,208

BFQ19SH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 1.8GHz
이득: 7dB
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음2,520

BFQ31ATA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
이득: -
전력-최대: 330mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음6,120

BFQ31ATC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
이득: -
전력-최대: 330mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음4,716

BFQ540,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT89-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.4dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 1.2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음2,160

BFQ591,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT89-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 2.25W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 70mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음4,050

BFQ67,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음2,790

BFQ67W,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음2,016

BFQ67W,135

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음4,752

BFQ790H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6.1V 1.85GHZ SOT89

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6.1V
주파수-전환: 1.85GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.6dB @ 1.8GHz
이득: 17dB
전력-최대: 1.5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음65,484

BFR106,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz
이득: -
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 9V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음7,182

BFR106E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz
이득: 8.5dB ~ 13dB
전력-최대: 700mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 210mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음209,556

BFR181E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 18.5dB
전력-최대: 175mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,190

BFR 181 E6780

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 18.5dB
전력-최대: 175mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,492

BFR 181T E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 19.5dB
전력-최대: 175mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: PG-SC-75

재고 있음2,592

BFR 181W E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 19dB
전력-최대: 175mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

재고 있음7,200

BFR181WH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 19dB
전력-최대: 175mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

재고 있음337,194

BFR 182 B6663

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 12dB ~ 18dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,150

BFR182E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 12dB ~ 18dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음25,008

BFR 182T E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 20dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: PG-SC-75

재고 있음8,118

BFR 182W E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 19dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

재고 있음8,676

BFR182WH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 19dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

재고 있음27,858

BFR183E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 17.5dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음98,322

BFR 183T E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 19.5dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: PG-SC-75

재고 있음2,448

BFR 183W E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 18.5dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

재고 있음3,672

BFR183WH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 18.5dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

재고 있음6,174

BFR193E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 10dB ~ 15dB
전력-최대: 580mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음321,858

BFR193FH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 12.5dB
전력-최대: 580mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: PG-TSFP-3

재고 있음53,880

BFR193L3E6327XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 12.5dB ~ 19dB
전력-최대: 580mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3-1

재고 있음2,070

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