트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BFR 193W E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 10.5dB ~ 16dB 전력-최대: 580mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3	재고 있음8,892
BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 10.5dB ~ 16dB 전력-최대: 580mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3	재고 있음176,268
BFR340FH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V 주파수-전환: 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 2.4GHz 이득: 13dB ~ 28dB 전력-최대: 75mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: PG-TSFP-3	재고 있음25,296
BFR340L3E6327XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V 주파수-전환: 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz 이득: 17.5dB 전력-최대: 60mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3-1	재고 있음7,020
BFR 340T E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ SC75 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V 주파수-전환: 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz 이득: 15dB 전력-최대: 60mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: PG-SC-75	재고 있음7,848
BFR35APE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 10.5dB ~ 16dB 전력-최대: 280mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음4,374
BFR 360F E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V 주파수-전환: 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz 이득: 15.5dB 전력-최대: 210mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: TSFP-3-1	재고 있음3,508
BFR 360F E6765 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V 주파수-전환: 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz 이득: 15.5dB 전력-최대: 210mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: TSFP-3-1	재고 있음2,556
BFR360FH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V 주파수-전환: 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz 이득: 15.5dB 전력-최대: 210mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: PG-TSFP-3	재고 있음631,860
BFR360FH6765XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V 주파수-전환: 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz 이득: 15.5dB 전력-최대: 210mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: PG-TSFP-3	재고 있음3,654
BFR 360L3 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V 주파수-전환: 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 이득: 11.5dB ~ 16dB 전력-최대: 210mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3-1	재고 있음4,194
BFR360L3E6765XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V 주파수-전환: 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 이득: 11.5dB ~ 16dB 전력-최대: 210mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3-1	재고 있음5,616
BFR 360T E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ SC75 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V 주파수-전환: 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz 이득: 13.5dB 전력-최대: 210mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: PG-SC-75	재고 있음3,528
BFR 380F E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V 주파수-전환: 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 이득: 9.5dB ~ 13.5dB 전력-최대: 380mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 40mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: TSFP-3-1	재고 있음2,376
BFR380FH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V 주파수-전환: 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 이득: 9.5dB ~ 13.5dB 전력-최대: 380mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 40mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: PG-TSFP-3	재고 있음2,376
BFR380L3E6327XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V 주파수-전환: 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 2.1dB @ 1.8GHz 이득: 7.5dB ~ 16.5dB 전력-최대: 380mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 40mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3-1	재고 있음7,110
BFR 380T E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ SC75 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V 주파수-전환: 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz 이득: 12.5dB 전력-최대: 380mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: PG-SC-75	재고 있음3,436
BFR460L3E6327XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ TSLP-3-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.8V 주파수-전환: 22GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 이득: 16dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3-1	재고 있음4,374
BFR505,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 18mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음4,482
BFR505T,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SC75 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 18mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75	재고 있음6,300
BFR520,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음3,708
BFR520,235 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음3,708
BFR520T,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SC75 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75	재고 있음4,788
BFR540,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음4,644
BFR540,235 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음7,992
BFR 705L3RH E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 39GHZ TSLP-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 39GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz 이득: 25dB 전력-최대: 40mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 7mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3	재고 있음8,442
BFR720L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ TSLP-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 45GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz 이득: 24dB 전력-최대: 80mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3	재고 있음4,230
BFR 740L3 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 42GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz 이득: 24dB 전력-최대: 160mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3	재고 있음6,390
BFR740L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 42GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz 이득: 24.5dB 전력-최대: 160mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3	재고 있음144,582
BFR750L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 37GHZ TSLP-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 37GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득: 21dB 전력-최대: 360mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 60mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 90mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3	재고 있음3,762

BFR 193W E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 10.5dB ~ 16dB
전력-최대: 580mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

재고 있음8,892

BFR193WH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 10.5dB ~ 16dB
전력-최대: 580mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

재고 있음176,268

BFR340FH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V
주파수-전환: 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 2.4GHz
이득: 13dB ~ 28dB
전력-최대: 75mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: PG-TSFP-3

재고 있음25,296

BFR340L3E6327XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V
주파수-전환: 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz
이득: 17.5dB
전력-최대: 60mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3-1

재고 있음7,020

BFR 340T E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 9V 14GHZ SC75

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V
주파수-전환: 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz
이득: 15dB
전력-최대: 60mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: PG-SC-75

재고 있음7,848

BFR35APE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 10.5dB ~ 16dB
전력-최대: 280mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음4,374

BFR 360F E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V
주파수-전환: 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
이득: 15.5dB
전력-최대: 210mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: TSFP-3-1

재고 있음3,508

BFR 360F E6765

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V
주파수-전환: 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
이득: 15.5dB
전력-최대: 210mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: TSFP-3-1

재고 있음2,556

BFR360FH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V
주파수-전환: 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
이득: 15.5dB
전력-최대: 210mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: PG-TSFP-3

재고 있음631,860

BFR360FH6765XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V
주파수-전환: 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
이득: 15.5dB
전력-최대: 210mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: PG-TSFP-3

재고 있음3,654

BFR 360L3 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V
주파수-전환: 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
이득: 11.5dB ~ 16dB
전력-최대: 210mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3-1

재고 있음4,194

BFR360L3E6765XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V
주파수-전환: 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
이득: 11.5dB ~ 16dB
전력-최대: 210mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3-1

재고 있음5,616

BFR 360T E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 9V 14GHZ SC75

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V
주파수-전환: 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
이득: 13.5dB
전력-최대: 210mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: PG-SC-75

재고 있음3,528

BFR 380F E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V
주파수-전환: 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
이득: 9.5dB ~ 13.5dB
전력-최대: 380mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 40mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: TSFP-3-1

재고 있음2,376

BFR380FH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V
주파수-전환: 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
이득: 9.5dB ~ 13.5dB
전력-최대: 380mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 40mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: PG-TSFP-3

재고 있음2,376

BFR380L3E6327XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V
주파수-전환: 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 2.1dB @ 1.8GHz
이득: 7.5dB ~ 16.5dB
전력-최대: 380mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 40mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3-1

재고 있음7,110

BFR 380T E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 9V 14GHZ SC75

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V
주파수-전환: 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
이득: 12.5dB
전력-최대: 380mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: PG-SC-75

재고 있음3,436

BFR460L3E6327XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ TSLP-3-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.8V
주파수-전환: 22GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
이득: 16dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3-1

재고 있음4,374

BFR505,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 18mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음4,482

BFR505T,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ SC75

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 18mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75

재고 있음6,300

BFR520,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음3,708

BFR520,235

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음3,708

BFR520T,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ SC75

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75

재고 있음4,788

BFR540,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음4,644

BFR540,235

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음7,992

BFR 705L3RH E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 39GHZ TSLP-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 39GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz
이득: 25dB
전력-최대: 40mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 7mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3

재고 있음8,442

BFR720L3RHE6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ TSLP-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 45GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz
이득: 24dB
전력-최대: 80mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3

재고 있음4,230

BFR 740L3 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 42GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz
이득: 24dB
전력-최대: 160mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3

재고 있음6,390

BFR740L3RHE6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 42GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz
이득: 24.5dB
전력-최대: 160mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3

재고 있음144,582

BFR750L3RHE6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 37GHZ TSLP-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 37GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득: 21dB
전력-최대: 360mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 60mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 90mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3

재고 있음3,762

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