트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.6V 주파수-전환: 75GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB @ 450MHz 이득: 27dB 전력-최대: 75mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3	재고 있음8,784
BFR843EL3E6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 2.6V TSLP-3-10 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.6V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 25.5dB 전력-최대: 125mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 55mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XFDFN 공급자 장치 패키지: TSLP-3-10	재고 있음5,112
BFR92A,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음3,060
BFR92A,235 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음4,968
BFR92ALT1 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 15V 4.5GHZ SOT23 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 4.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 273mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 14mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음3,490
BFR92AW,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음3,852
BFR92AW,135 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음7,470
BFR92PE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 10.5dB ~ 16dB 전력-최대: 280mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음6,624
BFR 92W E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 11.5dB ~ 17dB 전력-최대: 280mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3	재고 있음2,412
BFR92WH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 11.5dB ~ 17dB 전력-최대: 280mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3	재고 있음3,888
BFR93A,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음4,428
BFR93A,235 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음6,768
BFR93AE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 9.5dB ~ 14.5dB 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 90mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음293,118
BFR93AR,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음5,166
BFR93AW,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 5GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음2,664
BFR93AW,135 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 5GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음5,346
BFR 93AW E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT323-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 10.5dB ~ 15.5dB 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 90mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3	재고 있음7,020
BFR93AWH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT323-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 10.5dB ~ 15.5dB 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 90mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3	재고 있음112,464
BFR 949L3 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 9GHZ TSLP-3-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz 이득: 21.5dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3-1	재고 있음7,092
BFR 949T E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 9GHZ SC75 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz 이득: 20dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: PG-SC-75	재고 있음7,974
BFR94A,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음3,888
BFR94AW,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음3,546
BFS17,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음2,574
BFS17,235 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음3,978
BFS17A,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 2.8GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 2.8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.5dB @ 800MHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음5,958
BFS17A,235 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 2.8GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 2.8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.5dB @ 800MHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음5,040
BFS17HTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.3GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 330mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,964
BFS17HTC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.3GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 330mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음2,088
BFS17NQTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 11V 주파수-전환: 3.2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 310mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음7,560
BFS17NTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 11V 주파수-전환: 3.2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 330mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음25,974

BFR840L3RHESDE6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.6V
주파수-전환: 75GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB @ 450MHz
이득: 27dB
전력-최대: 75mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3

재고 있음8,784

BFR843EL3E6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 2.6V TSLP-3-10

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.6V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 25.5dB
전력-최대: 125mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 55mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XFDFN
공급자 장치 패키지: TSLP-3-10

재고 있음5,112

BFR92A,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음3,060

BFR92A,235

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음4,968

BFR92ALT1

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 15V 4.5GHZ SOT23

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 4.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 273mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 14mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음3,490

BFR92AW,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음3,852

BFR92AW,135

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음7,470

BFR92PE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 10.5dB ~ 16dB
전력-최대: 280mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음6,624

BFR 92W E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 11.5dB ~ 17dB
전력-최대: 280mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

재고 있음2,412

BFR92WH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 11.5dB ~ 17dB
전력-최대: 280mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

재고 있음3,888

BFR93A,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음4,428

BFR93A,235

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음6,768

BFR93AE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 9.5dB ~ 14.5dB
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 90mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음293,118

BFR93AR,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음5,166

BFR93AW,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 5GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음2,664

BFR93AW,135

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 5GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음5,346

BFR 93AW E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT323-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 10.5dB ~ 15.5dB
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 90mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

재고 있음7,020

BFR93AWH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT323-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 10.5dB ~ 15.5dB
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 90mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

재고 있음112,464

BFR 949L3 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 9GHZ TSLP-3-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz
이득: 21.5dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: PG-TSLP-3-1

재고 있음7,092

BFR 949T E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 9GHZ SC75

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz
이득: 20dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: PG-SC-75

재고 있음7,974

BFR94A,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음3,888

BFR94AW,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음3,546

BFS17,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음2,574

BFS17,235

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음3,978

BFS17A,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 2.8GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 2.8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.5dB @ 800MHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음5,958

BFS17A,235

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 2.8GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 2.8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.5dB @ 800MHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음5,040

BFS17HTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.3GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 330mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,964

BFS17HTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.3GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 330mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음2,088

BFS17NQTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 11V
주파수-전환: 3.2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 310mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음7,560

BFS17NTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 11V
주파수-전환: 3.2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 330mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

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