트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: 40GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득: 23dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음4,122
BFP640H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: 40GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득: 12.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음374,970
BFP 640 H6433 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: 40GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득: 24dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음6,462
BFP650 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: 37GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득: 10.5dB ~ 21.5dB 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음2,394
BFP650E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: 37GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득: 10.5dB ~ 21.5dB 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음6,966
BFP 650F E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: 42GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득: 11dB ~ 21.5dB 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음2,484
BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: 42GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득: 11dB ~ 21.5dB 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음131,514
BFP650H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: 37GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득: 10.5dB ~ 21.5dB 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음245,856
BFP720ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 43GHZ SOT343 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 43GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz 이득: 11dB ~ 30.5dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음7,056
BFP 720F E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 45GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz 이득: 10.5dB ~ 28dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음4,374
BFP 720FESD E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 45GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz 이득: 10dB ~ 29dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음6,444
BFP720FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 45GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz 이득: 10dB ~ 29dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음2,412
BFP720FH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 45GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz 이득: 10.5dB ~ 28dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음4,518
BFP720H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 45GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz 이득: 10.5dB ~ 28.5dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음2,286
BFP740E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 42GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득: 27dB 전력-최대: 160mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음5,274
BFP740ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 45GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz 이득: 8.5dB ~30.5dB 전력-최대: 160mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음4,986
BFP 740F E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 42GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득: 27.5dB 전력-최대: 160mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음5,184
BFP 740FESD E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 47GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 이득: 9dB ~ 31dB 전력-최대: 160mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음2,538
BFP740FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 47GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 이득: 9dB ~ 31dB 전력-최대: 160mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음48,828
BFP740FH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 42GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득: 27.5dB 전력-최대: 160mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음26,076
BFP740H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 42GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득: 27dB 전력-최대: 160mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음6,462
BFP760H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4V 45GHZ SOT343 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4V 주파수-전환: 45GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz 이득: 16.5dB ~ 29dB 전력-최대: 240mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 35mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음22,038
BFP780H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6.1V 900MHZ SOT343 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6.1V 주파수-전환: 900MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz 이득: 27dB 전력-최대: 600mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 90mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT343-4-2	재고 있음3,042
BFP840ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT343 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.25V 주파수-전환: 80GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz 이득: 18.5dB 전력-최대: 75mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음3,852
BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.6V 주파수-전환: 85GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz 이득: 35dB 전력-최대: 75mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음4,500
BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT343 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.7V 주파수-전환: 60GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz 이득: 26dB 전력-최대: 120mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음7,848
BFP843FH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 2.25V TSFP-4-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.25V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz 이득: 13.5dB ~ 25dB 전력-최대: 125mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 55mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: TSFP-4-1	재고 있음4,968
BFP843H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 2.25V SOT343 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.25V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz 이득: 13.5dB ~ 24.5dB 전력-최대: 125mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 55mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음22,686
BFQ149,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 15V 5GHZ SOT89-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 70mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음3,168
BFQ18A,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT89-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V 주파수-전환: 4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음33,354

BFP640FH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: 40GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득: 23dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음4,122

BFP640H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: 40GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득: 12.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음374,970

BFP 640 H6433

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: 40GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득: 24dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음6,462

BFP650

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: 37GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득: 10.5dB ~ 21.5dB
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음2,394

BFP650E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: 37GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득: 10.5dB ~ 21.5dB
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음6,966

BFP 650F E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: 42GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득: 11dB ~ 21.5dB
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음2,484

BFP650FH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: 42GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득: 11dB ~ 21.5dB
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음131,514

BFP650H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: 37GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득: 10.5dB ~ 21.5dB
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음245,856

BFP720ESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 43GHZ SOT343

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 43GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz
이득: 11dB ~ 30.5dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음7,056

BFP 720F E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 45GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz
이득: 10.5dB ~ 28dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음4,374

BFP 720FESD E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 45GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz
이득: 10dB ~ 29dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음6,444

BFP720FESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 45GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz
이득: 10dB ~ 29dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음2,412

BFP720FH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 45GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz
이득: 10.5dB ~ 28dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음4,518

BFP720H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 45GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz
이득: 10.5dB ~ 28.5dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음2,286

BFP740E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 42GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득: 27dB
전력-최대: 160mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음5,274

BFP740ESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 45GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz
이득: 8.5dB ~30.5dB
전력-최대: 160mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음4,986

BFP 740F E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 42GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득: 27.5dB
전력-최대: 160mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음5,184

BFP 740FESD E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 47GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
이득: 9dB ~ 31dB
전력-최대: 160mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음2,538

BFP740FESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 47GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
이득: 9dB ~ 31dB
전력-최대: 160mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음48,828

BFP740FH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 42GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득: 27.5dB
전력-최대: 160mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음26,076

BFP740H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 42GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득: 27dB
전력-최대: 160mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음6,462

BFP760H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4V 45GHZ SOT343

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4V
주파수-전환: 45GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz
이득: 16.5dB ~ 29dB
전력-최대: 240mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 35mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음22,038

BFP780H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6.1V 900MHZ SOT343

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6.1V
주파수-전환: 900MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz
이득: 27dB
전력-최대: 600mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 90mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT343-4-2

재고 있음3,042

BFP840ESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT343

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.25V
주파수-전환: 80GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz
이득: 18.5dB
전력-최대: 75mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음3,852

BFP840FESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.6V
주파수-전환: 85GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz
이득: 35dB
전력-최대: 75mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음4,500

BFP842ESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT343

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.7V
주파수-전환: 60GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz
이득: 26dB
전력-최대: 120mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음7,848

BFP843FH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 2.25V TSFP-4-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.25V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz
이득: 13.5dB ~ 25dB
전력-최대: 125mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 55mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: TSFP-4-1

재고 있음4,968

BFP843H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 2.25V SOT343

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.25V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz
이득: 13.5dB ~ 24.5dB
전력-최대: 125mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 55mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음22,686

BFQ149,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 15V 5GHZ SOT89-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 70mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음3,168

BFQ18A,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT89-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V
주파수-전환: 4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음33,354

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