트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BFG520,235 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음5,634
BFG520W,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4SO 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343 Reverse Pinning 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음6,102
BFG520W/X,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4SO 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343 Reverse Pinning 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음4,770
BFG520/X,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음5,238
BFG520/X,235 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음8,658
BFG520/XR,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음2,628
BFG520/XR,235 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음2,286
BFG540,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 400mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음7,002
BFG540W,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4SO 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343 Reverse Pinning 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음3,870
BFG540W/X,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ CMPAK-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음5,742
BFG540W/XR,135 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ CMPAK-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음6,138
BFG540/X,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 400mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음3,544
BFG540/XR,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 400mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음7,776
BFG541,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT223 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 650mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음5,346
BFG590,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 400mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 70mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음5,958
BFG590/X,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 400mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 70mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음3,906
BFG591,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 70mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음2,574
BFG67,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 380mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음6,228
BFG67,235 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 380mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음6,480
BFG67/X,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 380mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음7,326
BFG92A/X,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 400mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음7,596
BFG93A,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음5,148
BFG93A/X,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음5,148
BFG94,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT223 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.7dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz 이득: - 전력-최대: 700mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 45 @ 30mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음5,202
BFG97,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 70mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음5,508
BFG97,135 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 70mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음5,508
BFM505,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 8V 9GHZ 6TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz 이득: - 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 18mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음2,754
BFM520,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 8V 9GHZ 6TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음7,884
BFP181E7764HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 17.5dB ~ 21dB 전력-최대: 175mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4	재고 있음4,536
BFP 182 E7764 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 22dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4	재고 있음5,364

BFG520,235

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음5,634

BFG520W,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4SO

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343 Reverse Pinning
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음6,102

BFG520W/X,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4SO

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343 Reverse Pinning
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음4,770

BFG520/X,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음5,238

BFG520/X,235

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음8,658

BFG520/XR,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143R

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음2,628

BFG520/XR,235

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143R

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음2,286

BFG540,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음7,002

BFG540W,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4SO

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343 Reverse Pinning
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음3,870

BFG540W/X,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ CMPAK-4

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음5,742

BFG540W/XR,135

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ CMPAK-4

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음6,138

BFG540/X,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음3,544

BFG540/XR,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143R

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음7,776

BFG541,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT223

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 650mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음5,346

BFG590,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 70mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음5,958

BFG590/X,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 70mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음3,906

BFG591,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 70mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음2,574

BFG67,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 380mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음6,228

BFG67,235

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 380mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음6,480

BFG67/X,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 380mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음7,326

BFG92A/X,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음7,596

BFG93A,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음5,148

BFG93A/X,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음5,148

BFG94,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT223

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.7dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz
이득: -
전력-최대: 700mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 45 @ 30mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음5,202

BFG97,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 70mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음5,508

BFG97,135

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 70mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음5,508

BFM505,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 8V 9GHZ 6TSSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz
이득: -
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 18mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음2,754

BFM520,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 8V 9GHZ 6TSSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음7,884

BFP181E7764HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 17.5dB ~ 21dB
전력-최대: 175mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4

재고 있음4,536

BFP 182 E7764

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 22dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4

재고 있음5,364

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