트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BFP420H6740XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz 이득: 21dB 전력-최대: 160mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음5,922
BFP420H6801XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz 이득: 21dB 전력-최대: 160mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음6,984
BFP450E6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 24GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz 이득: 15.5dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음4,014
BFP450E6433BTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 24GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz 이득: 15.5dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음2,970
BFP450H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 24GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz 이득: 15.5dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음2,502
BFP450H6433XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 24GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz 이득: 15.5dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음5,292
BFP460E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.8V 주파수-전환: 22GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz 이득: 12.5dB ~ 26.5dB 전력-최대: 230mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음3,508
BFP460E6433HTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.8V 주파수-전환: 22GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz 이득: 12.5dB ~ 26.5dB 전력-최대: 230mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음4,860
BFP460H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.8V 주파수-전환: 22GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz 이득: 12.5dB ~ 26.5dB 전력-최대: 230mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음28,458
BFP460H6433XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.8V 주파수-전환: 22GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz 이득: 12.5dB ~ 26.5dB 전력-최대: 230mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음4,374
BFP520E6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V 주파수-전환: 45GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz 이득: 24dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음5,400
BFP 520F E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V 주파수-전환: 45GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz 이득: 22.5dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음7,488
BFP520FH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V 주파수-전환: 45GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz 이득: 22.5dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음3,726
BFP520H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V 주파수-전환: 45GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz 이득: 22.5dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음4,140
BFP540E6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 30GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz 이득: 21.5dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음2,484
BFP540ESDE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 30GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz 이득: 21.5dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음4,842
BFP540ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 30GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz 이득: 21.5dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음25,662
BFP 540F E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 30GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz 이득: 20dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음5,868
BFP540FESDE6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 30GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz 이득: 20dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음3,798
BFP540FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 30GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz 이득: 20dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음79,032
BFP540H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 30GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz 이득: 16dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음7,416
BFP620E7764BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V 주파수-전환: 65GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득: 21.5dB 전력-최대: 185mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음8,910
BFP 620F E7764 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V 주파수-전환: 65GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득: 21dB 전력-최대: 185mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음5,292
BFP620FH7764XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V 주파수-전환: 65GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득: 21dB ~ 10dB 전력-최대: 185mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음8,352
BFP620H7764XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V 주파수-전환: 65GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득: 21.5dB 전력-최대: 185mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음22,074
BFP640E6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: 40GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득: 24dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음5,598
BFP640ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 46GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz 이득: 7dB ~ 30dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음8,100
BFP640FE6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V 주파수-전환: 40GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득: 23dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음4,014
BFP 640FESD E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 46GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz 이득: 8B ~ 30.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음2,232
BFP640FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V 주파수-전환: 46GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz 이득: 8B ~ 30.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-TSFP	재고 있음5,742

BFP420H6740XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
이득: 21dB
전력-최대: 160mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음5,922

BFP420H6801XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
이득: 21dB
전력-최대: 160mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음6,984

BFP450E6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 24GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
이득: 15.5dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음4,014

BFP450E6433BTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 24GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
이득: 15.5dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음2,970

BFP450H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 24GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
이득: 15.5dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음2,502

BFP450H6433XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 24GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
이득: 15.5dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음5,292

BFP460E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.8V
주파수-전환: 22GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz
이득: 12.5dB ~ 26.5dB
전력-최대: 230mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음3,508

BFP460E6433HTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.8V
주파수-전환: 22GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz
이득: 12.5dB ~ 26.5dB
전력-최대: 230mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음4,860

BFP460H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.8V
주파수-전환: 22GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz
이득: 12.5dB ~ 26.5dB
전력-최대: 230mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음28,458

BFP460H6433XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.8V
주파수-전환: 22GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz
이득: 12.5dB ~ 26.5dB
전력-최대: 230mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음4,374

BFP520E6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V
주파수-전환: 45GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz
이득: 24dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음5,400

BFP 520F E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V
주파수-전환: 45GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz
이득: 22.5dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음7,488

BFP520FH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V
주파수-전환: 45GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz
이득: 22.5dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음3,726

BFP520H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V
주파수-전환: 45GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz
이득: 22.5dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음4,140

BFP540E6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 30GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
이득: 21.5dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음2,484

BFP540ESDE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 30GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
이득: 21.5dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음4,842

BFP540ESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 30GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
이득: 21.5dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음25,662

BFP 540F E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 30GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
이득: 20dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음5,868

BFP540FESDE6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 30GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
이득: 20dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음3,798

BFP540FESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 30GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
이득: 20dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음79,032

BFP540H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 30GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
이득: 16dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음7,416

BFP620E7764BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V
주파수-전환: 65GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득: 21.5dB
전력-최대: 185mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음8,910

BFP 620F E7764

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V
주파수-전환: 65GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득: 21dB
전력-최대: 185mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음5,292

BFP620FH7764XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V
주파수-전환: 65GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득: 21dB ~ 10dB
전력-최대: 185mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음8,352

BFP620H7764XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V
주파수-전환: 65GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득: 21.5dB
전력-최대: 185mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음22,074

BFP640E6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: 40GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득: 24dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음5,598

BFP640ESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 46GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz
이득: 7dB ~ 30dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음8,100

BFP640FE6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.5V
주파수-전환: 40GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득: 23dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음4,014

BFP 640FESD E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 46GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
이득: 8B ~ 30.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음2,232

BFP640FESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4.7V
주파수-전환: 46GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
이득: 8B ~ 30.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-TSFP

재고 있음5,742

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