트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BFU550WF NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz 이득: 12dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음6,570
BFU550WX NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz 이득: 18dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음47,352
BFU550XAR NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz 이득: 21.5dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount, Gull Wing 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음179,436
BFU550XRR NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz 이득: 21.5dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음3,636
BFU550XRVL NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz 이득: 15.5dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음8,658
BFU550XVL NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz 이득: 15.5dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount, Gull Wing 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음7,974
BFU580GX NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT223 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz 이득: 10.5dB 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음7,128
BFU580QX NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz 이득: 8.5dB 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음19,668
BFU590GX NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT223 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음58,812
BFU590QX NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6.5dB 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음29,274
BFU610F,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.5V 주파수-전환: 15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz 이득: 13.5dB ~ 23.5dB 전력-최대: 136mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: 4-DFP	재고 있음7,002
BFU630F,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.5V 주파수-전환: 21GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz 이득: 13dB ~ 22.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: 4-DFP	재고 있음43,860
BFU660F,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.5V 주파수-전환: 21GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz 이득: 12dB ~ 21dB 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: 4-DFP	재고 있음21,708
BFU668F,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF TRANSISTOR NPN SOT343F 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: SOT-343F	재고 있음2,484
BFU690F,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5.5V 18GHZ 4DFP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.5V 주파수-전환: 18GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz 이득: 15.5dB ~ 18.5dB 전력-최대: 230mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: 4-DFP	재고 있음93,192
BFU710F,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V 주파수-전환: 43GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz 이득: - 전력-최대: 136mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: 4-DFP	재고 있음26,034
BFU725F,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 2.8V 70GHZ 4DFP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V 주파수-전환: 70GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz 이득: 10dB ~ 24dB 전력-최대: 136mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: 4-DFP	재고 있음7,164
BFU725F/N1,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V 주파수-전환: 55GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz 이득: 10dB ~ 24dB 전력-최대: 136mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343 Reverse Pinning 공급자 장치 패키지: 4-SO	재고 있음92,274
BFU730F,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V 주파수-전환: 55GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz 이득: - 전력-최대: 197mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: 4-DFP	재고 있음56,682
BFU730LXZ NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3V 주파수-전환: 53GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz 이득: 15.8dB 전력-최대: 160mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XFDFN 공급자 장치 패키지: 3-DFN1006 (1.0x0.6)	재고 있음89,202
BFU760F,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V 주파수-전환: 45GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz 이득: - 전력-최대: 220mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: 4-DFP	재고 있음2,988
BFU768F,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz 이득: 13.1dB 전력-최대: 220mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: 4-DFP	재고 있음5,112
BFU790F,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4DFP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz 이득: - 전력-최대: 234mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 235 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: 4-DFP	재고 있음4,986
BFU910FX NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 9.5V SOT343F 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9.5V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 13.5dB 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: SOT-343F	재고 있음49,578
BFY193PZZZA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz 이득: 12.5dB ~ 13.5dB 전력-최대: 580mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 30mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: MICRO-X1 공급자 장치 패키지: MICRO-X1	재고 있음6,336
BFY90 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ TO72 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.3GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.5dB ~ 5dB @ 500MHz 이득: 20dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 25mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-72	재고 있음2,484
BFY90 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ TO72 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5.5dB @ 800MHz 이득: 23dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 25mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-72	재고 있음23,904
BGB 540 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 3.5V SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 16dB ~ 17.5dB 전력-최대: 120mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음6,318
BGR405H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 400MHz ~ 1.8GHz 이득: - 전력-최대: 50mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 12mA 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음6,822
BGR420H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 13V SOT343-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 13V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz 이득: - 전력-최대: 120mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4	재고 있음8,244

BFU550WF

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
이득: 12dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음6,570

BFU550WX

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
이득: 18dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음47,352

BFU550XAR

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz
이득: 21.5dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount, Gull Wing
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음179,436

BFU550XRR

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
이득: 21.5dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음3,636

BFU550XRVL

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
이득: 15.5dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음8,658

BFU550XVL

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
이득: 15.5dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount, Gull Wing
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음7,974

BFU580GX

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT223

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
이득: 10.5dB
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음7,128

BFU580QX

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
이득: 8.5dB
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음19,668

BFU590GX

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT223

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음58,812

BFU590QX

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6.5dB
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음29,274

BFU610F,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.5V
주파수-전환: 15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
이득: 13.5dB ~ 23.5dB
전력-최대: 136mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: 4-DFP

재고 있음7,002

BFU630F,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.5V
주파수-전환: 21GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
이득: 13dB ~ 22.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: 4-DFP

재고 있음43,860

BFU660F,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.5V
주파수-전환: 21GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
이득: 12dB ~ 21dB
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: 4-DFP

재고 있음21,708

BFU668F,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

TRANSISTOR NPN SOT343F

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: SOT-343F

재고 있음2,484

BFU690F,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5.5V 18GHZ 4DFP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.5V
주파수-전환: 18GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
이득: 15.5dB ~ 18.5dB
전력-최대: 230mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: 4-DFP

재고 있음93,192

BFU710F,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V
주파수-전환: 43GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
이득: -
전력-최대: 136mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: 4-DFP

재고 있음26,034

BFU725F,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 2.8V 70GHZ 4DFP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V
주파수-전환: 70GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
이득: 10dB ~ 24dB
전력-최대: 136mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: 4-DFP

재고 있음7,164

BFU725F/N1,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V
주파수-전환: 55GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
이득: 10dB ~ 24dB
전력-최대: 136mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343 Reverse Pinning
공급자 장치 패키지: 4-SO

재고 있음92,274

BFU730F,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V
주파수-전환: 55GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
이득: -
전력-최대: 197mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: 4-DFP

재고 있음56,682

BFU730LXZ

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3V
주파수-전환: 53GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz
이득: 15.8dB
전력-최대: 160mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XFDFN
공급자 장치 패키지: 3-DFN1006 (1.0x0.6)

재고 있음89,202

BFU760F,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V
주파수-전환: 45GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
이득: -
전력-최대: 220mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: 4-DFP

재고 있음2,988

BFU768F,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
이득: 13.1dB
전력-최대: 220mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: 4-DFP

재고 있음5,112

BFU790F,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4DFP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2.8V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
이득: -
전력-최대: 234mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 235 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: 4-DFP

재고 있음4,986

BFU910FX

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 9.5V SOT343F

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9.5V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 13.5dB
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: SOT-343F

재고 있음49,578

BFY193PZZZA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz
이득: 12.5dB ~ 13.5dB
전력-최대: 580mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 30mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: MICRO-X1
공급자 장치 패키지: MICRO-X1

재고 있음6,336

BFY90

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ TO72

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.3GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.5dB ~ 5dB @ 500MHz
이득: 20dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 25mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-72

재고 있음2,484

BFY90

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ TO72

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5.5dB @ 800MHz
이득: 23dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 25mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-72

재고 있음23,904

BGB 540 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 3.5V SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 16dB ~ 17.5dB
전력-최대: 120mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음6,318

BGR405H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 400MHz ~ 1.8GHz
이득: -
전력-최대: 50mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 12mA
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음6,822

BGR420H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 13V SOT343-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 13V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz
이득: -
전력-최대: 120mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

재고 있음8,244

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