트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
CP681-MPSH81-CT Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음4,482
CP681-MPSH81-CT20 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음8,478
CPH6001A-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ 6CPH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 6.7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 11dB 전력-최대: 800mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: 6-CPH	재고 있음3,870
CPH6003A-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz 이득: 9dB 전력-최대: 800mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: 6-CPH	재고 있음5,652
CPH6020-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 8V 16GHZ 6CPH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V 주파수-전환: 16GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz 이득: 13.5dB 전력-최대: 700mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: 6-CPH	재고 있음6,552
CPH6021-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ 6CPH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz 이득: 14dB @ 1GHz 전력-최대: 700mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-CPH	재고 있음8,946
DMC506E20R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 20V 650MHZ SOT363 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz 이득: 24dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음7,812
DME375A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55AW 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6.5dB 전력-최대: 375W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 300mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55AW 공급자 장치 패키지: 55AW	재고 있음7,668
DME400A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF TRANSISTOR BIPO 55AW-1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,478
DME500 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55KT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6dB ~ 6.5dB 전력-최대: 1700W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55KT 공급자 장치 패키지: 55KT	재고 있음2,934
DME800 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55ST-1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9dB ~ 10dB 전력-최대: 2500W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55ST-1 공급자 장치 패키지: 55ST-1	재고 있음7,308
DSA9G01C0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-RF TRANSISTOR RF PNP SSMINI3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,214
DSC5G0200L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 650MHZ SMINI3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz 이득: 24dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-85 공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B	재고 있음24,192
DSC9F0100L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ SSMINI3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 1.9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 125mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 5mA, 4V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B	재고 있음2,142
DSC9G0200L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 650MHZ SSMINI3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz 이득: 24dB 전력-최대: 125mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B	재고 있음3,294
DSC9G02C0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 650MHZ SSMINI3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz 이득: 24dB 전력-최대: 125mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B	재고 있음158,160
EC3H02BA-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz 이득: 8.5dB 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XFDFN 공급자 장치 패키지: 3-ECSP1006	재고 있음4,590
EC4H08C-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V 주파수-전환: 24GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz 이득: 17dB 전력-최대: 50mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-UFDFN 공급자 장치 패키지: 4-ECSP1008	재고 있음4,068
EC4H09C-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V 주파수-전환: 26GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB @ 2GHz 이득: 15dB 전력-최대: 120mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-UFDFN 공급자 장치 패키지: 4-ECSP1008	재고 있음4,914
FH102A-TR-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ 6MCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-MCP	재고 있음6,282
FH105A-TR-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ 6MCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.5GHz 이득: 10dB @ 1.5GHz 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 0.95 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-MCP	재고 있음5,220
FMMT5179TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz 이득: 15dB 전력-최대: 330mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,202
FMMT5179TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz 이득: 15dB 전력-최대: 330mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,064
FMMT918TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz 이득: 15dB 전력-최대: 330mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,076
FMMT918TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz 이득: 15dB 전력-최대: 330mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,256
FMMTH10TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 330mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음4,518
FMMTH10TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 330mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,850
FPNH10 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,132
HFA3046B Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음2,376
HFA3046B96 Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음3,690

CP681-MPSH81-CT

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음4,482

CP681-MPSH81-CT20

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음8,478

CPH6001A-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ 6CPH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 6.7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 11dB
전력-최대: 800mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: 6-CPH

재고 있음3,870

CPH6003A-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
이득: 9dB
전력-최대: 800mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: 6-CPH

재고 있음5,652

CPH6020-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 8V 16GHZ 6CPH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V
주파수-전환: 16GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
이득: 13.5dB
전력-최대: 700mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: 6-CPH

재고 있음6,552

CPH6021-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 10GHZ 6CPH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
이득: 14dB @ 1GHz
전력-최대: 700mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-CPH

재고 있음8,946

DMC506E20R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 20V 650MHZ SOT363

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz
이득: 24dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음7,812

DME375A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55AW

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6.5dB
전력-최대: 375W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 300mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55AW
공급자 장치 패키지: 55AW

재고 있음7,668

DME400A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

TRANSISTOR BIPO 55AW-1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,478

DME500

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55KT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6dB ~ 6.5dB
전력-최대: 1700W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55KT
공급자 장치 패키지: 55KT

재고 있음2,934

DME800

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55ST-1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9dB ~ 10dB
전력-최대: 2500W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55ST-1
공급자 장치 패키지: 55ST-1

재고 있음7,308

DSA9G01C0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

TRANSISTOR RF PNP SSMINI3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,214

DSC5G0200L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 650MHZ SMINI3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz
이득: 24dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-85
공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B

재고 있음24,192

DSC9F0100L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ SSMINI3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 1.9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 125mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 5mA, 4V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B

재고 있음2,142

DSC9G0200L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 650MHZ SSMINI3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz
이득: 24dB
전력-최대: 125mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B

재고 있음3,294

DSC9G02C0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 650MHZ SSMINI3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz
이득: 24dB
전력-최대: 125mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B

재고 있음158,160

EC3H02BA-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
이득: 8.5dB
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XFDFN
공급자 장치 패키지: 3-ECSP1006

재고 있음4,590

EC4H08C-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V
주파수-전환: 24GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
이득: 17dB
전력-최대: 50mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-UFDFN
공급자 장치 패키지: 4-ECSP1008

재고 있음4,068

EC4H09C-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V
주파수-전환: 26GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB @ 2GHz
이득: 15dB
전력-최대: 120mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-UFDFN
공급자 장치 패키지: 4-ECSP1008

재고 있음4,914

FH102A-TR-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ 6MCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-MCP

재고 있음6,282

FH105A-TR-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 8GHZ 6MCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.5GHz
이득: 10dB @ 1.5GHz
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 0.95 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-MCP

재고 있음5,220

FMMT5179TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
이득: 15dB
전력-최대: 330mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,202

FMMT5179TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
이득: 15dB
전력-최대: 330mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,064

FMMT918TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
이득: 15dB
전력-최대: 330mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,076

FMMT918TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
이득: 15dB
전력-최대: 330mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,256

FMMTH10TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 330mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음4,518

FMMTH10TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 330mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,850

FPNH10

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,132

HFA3046B

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 14-SOIC

재고 있음2,376

HFA3046B96

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 14-SOIC

재고 있음3,690

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