트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
JAN2N2857 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/343 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 500MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz 이득: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-72-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-72	재고 있음3,420
JAN2N2857UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 0.04A UB 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz 이득: 21dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음6,282
JAN2N4957 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 30V 30MA TO72 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz 이득: 25dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-72-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-72	재고 있음8,910
JAN2N4957UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 30V 30MA UB 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz 이득: 25dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음3,726
JANS2N2857UB-LC Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V UB 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/343 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz 이득: 21dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음6,408
JANTX2N2857 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/343 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 500MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz 이득: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-72-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-72	재고 있음8,172
JANTX2N2857UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 0.04A UB 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz 이득: 21dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음5,184
JANTX2N4957 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 30V 30MA TO72 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz 이득: 25dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-72-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-72	재고 있음2,088
JANTX2N4957UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 30V 30MA UB 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz 이득: 25dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음3,330
JANTXV2N2857 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/343 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 500MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz 이득: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-72-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-72	재고 있음6,624
JANTXV2N2857UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 0.04A UB 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz 이득: 21dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음3,454
JANTXV2N4957 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 30V 30MA TO72 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz 이득: 25dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-72-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-72	재고 있음6,606
JANTXV2N4957UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 30V 30MA UB 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz 이득: 25dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음5,544
JTDB25 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.5dB 전력-최대: 97W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55AW-1 공급자 장치 패키지: 55AW-1	재고 있음8,478
JTDB75 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB ~ 8.2dB 전력-최대: 220W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55AW 공급자 장치 패키지: 55AW	재고 있음5,382
KSC1393OBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: 700MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz 이득: 20dB ~ 24dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 2mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,938
KSC1393OTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: 700MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz 이득: 20dB ~ 24dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 2mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,142
KSC1393RBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: 700MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz 이득: 20dB ~ 24dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,004
KSC1393RTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: 700MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz 이득: 20dB ~ 24dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,842
KSC1393YBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: 700MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz 이득: 20dB ~ 24dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 2mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,634
KSC1393YTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: 700MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz 이득: 20dB ~ 24dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 2mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,560
KSC1674COBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz 이득: - 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,172
KSC1674COTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz 이득: - 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,496
KSC1674CYBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz 이득: - 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,084
KSC1674CYTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz 이득: - 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,834
KSC1674OBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz 이득: - 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,006
KSC1674OTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz 이득: - 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,428
KSC1674RBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz 이득: - 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,202
KSC1674RTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz 이득: - 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,996
KSC1674YBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz 이득: - 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음71,820

JAN2N2857

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/343
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 500MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
이득: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-72-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-72

재고 있음3,420

JAN2N2857UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 0.04A UB

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
이득: 21dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음6,282

JAN2N4957

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 30V 30MA TO72

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz
이득: 25dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-72-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-72

재고 있음8,910

JAN2N4957UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 30V 30MA UB

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz
이득: 25dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음3,726

JANS2N2857UB-LC

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V UB

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/343
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
이득: 21dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음6,408

JANTX2N2857

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/343
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 500MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
이득: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-72-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-72

재고 있음8,172

JANTX2N2857UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 0.04A UB

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
이득: 21dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음5,184

JANTX2N4957

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 30V 30MA TO72

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz
이득: 25dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-72-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-72

재고 있음2,088

JANTX2N4957UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 30V 30MA UB

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz
이득: 25dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음3,330

JANTXV2N2857

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/343
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 500MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
이득: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-72-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-72

재고 있음6,624

JANTXV2N2857UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 0.04A UB

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
이득: 21dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음3,454

JANTXV2N4957

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 30V 30MA TO72

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz
이득: 25dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-72-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-72

재고 있음6,606

JANTXV2N4957UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 30V 30MA UB

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz
이득: 25dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음5,544

JTDB25

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.5dB
전력-최대: 97W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55AW-1
공급자 장치 패키지: 55AW-1

재고 있음8,478

JTDB75

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB ~ 8.2dB
전력-최대: 220W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55AW
공급자 장치 패키지: 55AW

재고 있음5,382

KSC1393OBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: 700MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz
이득: 20dB ~ 24dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 2mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,938

KSC1393OTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: 700MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz
이득: 20dB ~ 24dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 2mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,142

KSC1393RBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: 700MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz
이득: 20dB ~ 24dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,004

KSC1393RTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: 700MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz
이득: 20dB ~ 24dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,842

KSC1393YBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: 700MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz
이득: 20dB ~ 24dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 2mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,634

KSC1393YTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: 700MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz
이득: 20dB ~ 24dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 2mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,560

KSC1674COBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
이득: -
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,172

KSC1674COTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
이득: -
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,496

KSC1674CYBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
이득: -
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,084

KSC1674CYTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
이득: -
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,834

KSC1674OBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
이득: -
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,006

KSC1674OTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
이득: -
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,428

KSC1674RBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
이득: -
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,202

KSC1674RTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
이득: -
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,996

KSC1674YBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
이득: -
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음71,820

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message