트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BLS2731-10,114 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 75V 3.1GHZ CDFM2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V 주파수-전환: 3.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 145W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-445C 공급자 장치 패키지: CDFM2	재고 있음2,880
BLS2731-110,114 Ampleon	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 75V 3.1GHZ CDFM2 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V 주파수-전환: 3.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB 전력-최대: 500W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-423A 공급자 장치 패키지: CDFM2	재고 있음5,688
BLS2731-20,114 Ampleon	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 75V 3.1GHZ CDFM2 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V 주파수-전환: 3.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 270W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-445C 공급자 장치 패키지: CDFM2	재고 있음7,326
BLS2731-50,114 Ampleon	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 75V 3.1GHZ CDFM2 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V 주파수-전환: 3.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9dB 전력-최대: 80W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-422A 공급자 장치 패키지: CDFM2	재고 있음2,142
BLS3135-10,114 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V 주파수-전환: 3.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9dB 전력-최대: 34W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-445C 공급자 장치 패키지: CDFM2	재고 있음8,406
BLS3135-20,114 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V 주파수-전환: 3.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB 전력-최대: 80W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-422A 공급자 장치 패키지: CDFM2	재고 있음5,400
BLS3135-50,114 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V 주파수-전환: 3.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB 전력-최대: 80W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-422A 공급자 장치 패키지: CDFM2	재고 있음6,030
BLS3135-65,114 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V 주파수-전환: 3.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB 전력-최대: 200W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-422A 공급자 장치 패키지: CDFM2	재고 있음5,688
BLT50,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 470MHZ SOT223 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 470MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 300mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음6,750
BLT70,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 8V 900MHZ SOT223 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V 주파수-전환: 900MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 2.1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 4.8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음8,190
BLT80,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 900MHZ SOT223 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 900MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 150mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음6,444
BLT81,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 9.5V 900MHZ SOT223 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9.5V 주파수-전환: 900MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 300mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음82,842
BLW96/01,112 Ampleon	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V 235MHZ CRFM4 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: 235MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 340W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 7A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-121B 공급자 장치 패키지: CRFM4	재고 있음6,066
C1-28Z Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,748
CA3127M Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5NPN 15V 1.15GHZ 16SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 100MHz 이득: 27dB ~ 30dB 전력-최대: 85mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음5,940
CA3127MZ Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5NPN 15V 1.15GHZ 16SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 100MHz 이득: 27dB ~ 30dB 전력-최대: 85mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음8,928
CEN1107 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF TRANSISTOR NPN 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,154
CEN1107 APM Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF TRANSISTOR NPN 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,524
CM4957 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 25V 2.5GHZ TO72 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 2.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 25dB 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 2mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-72	재고 있음5,886
CM5160 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 40V 500MHZ TO39 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 주파수-전환: 500MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음9,972
CMPT918 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz 이득: 11dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음53,220
CMPTH10 BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPNUHF/VHF SOT23 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음2,124
CMPTH10 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPNUHF/VHF SOT23 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음8,820
CMPTH81 BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음6,606
CMPTH81 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음5,274
CMUT5179 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.45GHZ SOT523 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.45GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz 이득: 15dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지: SOT-523	재고 있음28,188
CP302-MPSH10-CT Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPNUHF/VHF 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음3,490
CP302-MPSH10-CT20 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPNUHF/VHF 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음3,312
CP302-MPSH10-WN Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPNUHF/VHF 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음6,372
CP681-MPSH81-CM Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음7,038

BLS2731-10,114

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 75V 3.1GHZ CDFM2

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V
주파수-전환: 3.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 145W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-445C
공급자 장치 패키지: CDFM2

재고 있음2,880

BLS2731-110,114

Ampleon

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 75V 3.1GHZ CDFM2

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V
주파수-전환: 3.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB
전력-최대: 500W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-423A
공급자 장치 패키지: CDFM2

재고 있음5,688

BLS2731-20,114

Ampleon

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 75V 3.1GHZ CDFM2

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V
주파수-전환: 3.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 270W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-445C
공급자 장치 패키지: CDFM2

재고 있음7,326

BLS2731-50,114

Ampleon

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 75V 3.1GHZ CDFM2

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V
주파수-전환: 3.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9dB
전력-최대: 80W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-422A
공급자 장치 패키지: CDFM2

재고 있음2,142

BLS3135-10,114

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V
주파수-전환: 3.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9dB
전력-최대: 34W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-445C
공급자 장치 패키지: CDFM2

재고 있음8,406

BLS3135-20,114

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V
주파수-전환: 3.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB
전력-최대: 80W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-422A
공급자 장치 패키지: CDFM2

재고 있음5,400

BLS3135-50,114

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V
주파수-전환: 3.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB
전력-최대: 80W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-422A
공급자 장치 패키지: CDFM2

재고 있음6,030

BLS3135-65,114

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V
주파수-전환: 3.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB
전력-최대: 200W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-422A
공급자 장치 패키지: CDFM2

재고 있음5,688

BLT50,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 470MHZ SOT223

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 470MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 300mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음6,750

BLT70,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 8V 900MHZ SOT223

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V
주파수-전환: 900MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 2.1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 4.8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음8,190

BLT80,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 900MHZ SOT223

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 900MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 150mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음6,444

BLT81,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 9.5V 900MHZ SOT223

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9.5V
주파수-전환: 900MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 300mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음82,842

BLW96/01,112

Ampleon

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 235MHZ CRFM4

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: 235MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 340W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 7A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-121B
공급자 장치 패키지: CRFM4

재고 있음6,066

C1-28Z

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,748

CA3127M

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5NPN 15V 1.15GHZ 16SOIC

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 100MHz
이득: 27dB ~ 30dB
전력-최대: 85mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음5,940

CA3127MZ

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5NPN 15V 1.15GHZ 16SOIC

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 100MHz
이득: 27dB ~ 30dB
전력-최대: 85mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음8,928

CEN1107

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

TRANSISTOR NPN

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,154

CEN1107 APM

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

TRANSISTOR NPN

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,524

CM4957

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 25V 2.5GHZ TO72

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 2.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 25dB
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 2mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-72

재고 있음5,886

CM5160

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 40V 500MHZ TO39

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
주파수-전환: 500MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음9,972

CMPT918 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
이득: 11dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음53,220

CMPTH10 BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPNUHF/VHF SOT23

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음2,124

CMPTH10 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPNUHF/VHF SOT23

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음8,820

CMPTH81 BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음6,606

CMPTH81 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음5,274

CMUT5179 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.45GHZ SOT523

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.45GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
이득: 15dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지: SOT-523

재고 있음28,188

CP302-MPSH10-CT

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPNUHF/VHF

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음3,490

CP302-MPSH10-CT20

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPNUHF/VHF

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음3,312

CP302-MPSH10-WN

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPNUHF/VHF

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음6,372

CP681-MPSH81-CM

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음7,038

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