트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
HFA3046BZ Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음17,580
HFA3046BZ96 Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음8,316
HFA3096B Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN/PNP 5D.5GHZ 16SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 3 NPN + 2 PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V, 15V 주파수-전환: 8GHz, 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음8,982
HFA3096B96 Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN/PNP 5.5GHZ 16SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 3 NPN + 2 PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V, 15V 주파수-전환: 8GHz, 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음8,568
HFA3096BZ Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 3 NPN + 2 PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V, 15V 주파수-전환: 8GHz, 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음24,120
HFA3096BZ96 Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 3 NPN + 2 PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V, 15V 주파수-전환: 8GHz, 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음7,218
HFA3102B96 Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 6 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz 이득: 12.4dB ~ 17.5dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음2,070
HFA3102BZ Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 6 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz 이득: 12.4dB ~ 17.5dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음3,078
HFA3102BZ96 Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 6 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz 이득: 12.4dB ~ 17.5dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음3,508
HFA3127B Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음7,596
HFA3127B96 Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음2,466
HFA3127BZ Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음14,184
HFA3127BZ96 Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음4,554
HFA3127R Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VFQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-QFN (3x3)	재고 있음2,754
HFA3127R96 Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VFQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-QFN (3x3)	재고 있음8,118
HFA3127RZ Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VFQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-QFN (3x3)	재고 있음6,360
HFA3127RZ96 Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VFQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-QFN (3x3)	재고 있음5,202
HFA3128B Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음7,164
HFA3128BZ Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음6,030
HFA3128BZ96 Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음2,412
HFA3128R Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VFQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-QFN (3x3)	재고 있음5,562
HFA3128R96 Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VFQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-QFN (3x3)	재고 있음6,822
HFA3128RZ Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VFQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-QFN (3x3)	재고 있음3,978
HFA3128RZ96 Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VFQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-QFN (3x3)	재고 있음5,598
HFA3134IH96 Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 9V 8.5GHZ SOT23-6 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V 주파수-전환: 8.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 48 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 26mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음6,048
HFA3134IHZ96 Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 9V 8.5GHZ SOT23-6 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V 주파수-전환: 8.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 48 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 26mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음3,726
HFA3135IH96 Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 PNP 9V 7GHZ SOT23-6 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5.2dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 26mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음2,970
HFA3135IHZ96 Renesas Electronics America Inc.	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 PNP 9V 7GHZ SOT23-6 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5.2dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 10mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 26mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음8,550
HN3C10FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz 이득: 11.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음8,244
ITC1100 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SW 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.03GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB ~ 10.5dB 전력-최대: 3400W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55SW 공급자 장치 패키지: 55SW	재고 있음8,622

HFA3046BZ

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 14-SOIC

재고 있음17,580

HFA3046BZ96

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 14-SOIC

재고 있음8,316

HFA3096B

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN/PNP 5D.5GHZ 16SOIC

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 3 NPN + 2 PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V, 15V
주파수-전환: 8GHz, 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음8,982

HFA3096B96

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN/PNP 5.5GHZ 16SOIC

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 3 NPN + 2 PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V, 15V
주파수-전환: 8GHz, 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음8,568

HFA3096BZ

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 3 NPN + 2 PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V, 15V
주파수-전환: 8GHz, 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음24,120

HFA3096BZ96

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 3 NPN + 2 PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V, 15V
주파수-전환: 8GHz, 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음7,218

HFA3102B96

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 6 NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
이득: 12.4dB ~ 17.5dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 14-SOIC

재고 있음2,070

HFA3102BZ

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 6 NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
이득: 12.4dB ~ 17.5dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 14-SOIC

재고 있음3,078

HFA3102BZ96

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 6 NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
이득: 12.4dB ~ 17.5dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 14-SOIC

재고 있음3,508

HFA3127B

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음7,596

HFA3127B96

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음2,466

HFA3127BZ

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음14,184

HFA3127BZ96

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음4,554

HFA3127R

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-VFQFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 16-QFN (3x3)

재고 있음2,754

HFA3127R96

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-VFQFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 16-QFN (3x3)

재고 있음8,118

HFA3127RZ

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-VFQFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 16-QFN (3x3)

재고 있음6,360

HFA3127RZ96

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-VFQFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 16-QFN (3x3)

재고 있음5,202

HFA3128B

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음7,164

HFA3128BZ

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음6,030

HFA3128BZ96

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음2,412

HFA3128R

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-VFQFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 16-QFN (3x3)

재고 있음5,562

HFA3128R96

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-VFQFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 16-QFN (3x3)

재고 있음6,822

HFA3128RZ

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-VFQFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 16-QFN (3x3)

재고 있음3,978

HFA3128RZ96

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-VFQFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 16-QFN (3x3)

재고 있음5,598

HFA3134IH96

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 9V 8.5GHZ SOT23-6

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V
주파수-전환: 8.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 48 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 26mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음6,048

HFA3134IHZ96

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 9V 8.5GHZ SOT23-6

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V
주파수-전환: 8.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 48 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 26mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음3,726

HFA3135IH96

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 PNP 9V 7GHZ SOT23-6

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5.2dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 26mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음2,970

HFA3135IHZ96

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 PNP 9V 7GHZ SOT23-6

제조업체: Renesas Electronics America Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5.2dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 26mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음8,550

HN3C10FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
이득: 11.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음8,244

ITC1100

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SW

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.03GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB ~ 10.5dB
전력-최대: 3400W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55SW
공급자 장치 패키지: 55SW

재고 있음8,622

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