트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
LPT16ED Skyworks Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 4V 16GHZ DIE 제조업체: Skyworks Solutions Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4V 주파수-전환: 16GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 5.2dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음5,418
LZ1418E100R,114 Ampleon	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 1.6GHZ CDFM2 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 1.6GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 45W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-443A 공급자 장치 패키지: CDFM2	재고 있음6,678
MAPR-000912-500S00 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 80V 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9.44dB ~ 9.77dB 전력-최대: 500W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 52.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,254
MAPR-002729-170M00 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9.11dB ~ 9.69dB 전력-최대: 170W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 27A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,300
MAPR-002731-115M00 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.06dB ~ 8.45dB 전력-최대: 115W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,246
MAPRST0912-350 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9.4dB 전력-최대: 350W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 32.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,672
MAPRST0912-50 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10.16dB ~ 10.25dB 전력-최대: 50W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 5.3A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,232
MAX2601ESA Maxim Integrated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz 이득: 11.6dB 전력-최대: 6.4W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음7,146
MAX2601ESA+ Maxim Integrated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz 이득: 11.6dB 전력-최대: 6.4W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음8,100
MAX2601ESA-T Maxim Integrated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz 이득: 11.6dB 전력-최대: 6.4W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음8,640
MAX2601ESA+T Maxim Integrated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz 이득: 11.6dB 전력-최대: 6.4W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음4,698
MAX2602ESA Maxim Integrated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz 이득: 11.6dB 전력-최대: 6.4W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음7,704
MAX2602ESA+ Maxim Integrated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz 이득: 11.6dB 전력-최대: 6.4W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음6,708
MAX2602ESA-T Maxim Integrated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz 이득: 11.6dB 전력-최대: 6.4W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음6,318
MAX2602ESA+T Maxim Integrated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz 이득: 11.6dB 전력-최대: 6.4W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음8,046
MBC13900NT1 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6.5V 15GHZ SOT343 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6.5V 주파수-전환: 15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz 이득: 15dB ~ 22dB 전력-최대: 188mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음5,670
MBC13900T1 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6.5V 15GHZ SOT343 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6.5V 주파수-전환: 15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz 이득: 15dB ~ 22dB 전력-최대: 188mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음3,816
MC1331 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,832
MC1331-2 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,160
MC1331-3 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,610
MCH3007-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-MCPH	재고 있음5,220
MCH4009-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ 4MCPH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V 주파수-전환: 25GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz 이득: 13.5dB 전력-최대: 120mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: 4-MCPH	재고 있음83,562
MCH4013-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 3.5V 22.5GHZ 4MCPH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V 주파수-전환: 22.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz 이득: 16dB 전력-최대: 50mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: 4-MCPH	재고 있음5,940
MCH4014-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz 이득: 18dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: 4-MCPH	재고 있음7,182
MCH4015-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz 이득: 17dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: 4-MCPH	재고 있음28,314
MCH4016-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz 이득: 18dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: 4-MCPH	재고 있음7,866
MCH4017-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz 이득: 17dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: 4-MCPH	재고 있음8,208
MCH4020-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V 주파수-전환: 16GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz 이득: 17.5dB 전력-최대: 400mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: 4-MCPH	재고 있음4,284
MCH4020-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V 주파수-전환: 16GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz 이득: 17.5dB @ 1GHz 전력-최대: 400mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: 4-MCPH	재고 있음45,612
MCH4021-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V 주파수-전환: 16GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz 이득: 17.5dB 전력-최대: 400mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-MCPH	재고 있음8,280

LPT16ED

Skyworks Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 4V 16GHZ DIE

제조업체: Skyworks Solutions Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4V
주파수-전환: 16GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 5.2dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음5,418

LZ1418E100R,114

Ampleon

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 1.6GHZ CDFM2

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 1.6GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 45W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-443A
공급자 장치 패키지: CDFM2

재고 있음6,678

MAPR-000912-500S00

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 80V

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9.44dB ~ 9.77dB
전력-최대: 500W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 52.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,254

MAPR-002729-170M00

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9.11dB ~ 9.69dB
전력-최대: 170W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 27A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,300

MAPR-002731-115M00

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.06dB ~ 8.45dB
전력-최대: 115W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,246

MAPRST0912-350

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9.4dB
전력-최대: 350W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 32.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,672

MAPRST0912-50

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10.16dB ~ 10.25dB
전력-최대: 50W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 5.3A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,232

MAX2601ESA

Maxim Integrated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz
이득: 11.6dB
전력-최대: 6.4W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP

재고 있음7,146

MAX2601ESA+

Maxim Integrated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz
이득: 11.6dB
전력-최대: 6.4W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP

재고 있음8,100

MAX2601ESA-T

Maxim Integrated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz
이득: 11.6dB
전력-최대: 6.4W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP

재고 있음8,640

MAX2601ESA+T

Maxim Integrated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz
이득: 11.6dB
전력-최대: 6.4W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP

재고 있음4,698

MAX2602ESA

Maxim Integrated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz
이득: 11.6dB
전력-최대: 6.4W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP

재고 있음7,704

MAX2602ESA+

Maxim Integrated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz
이득: 11.6dB
전력-최대: 6.4W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP

재고 있음6,708

MAX2602ESA-T

Maxim Integrated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz
이득: 11.6dB
전력-최대: 6.4W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP

재고 있음6,318

MAX2602ESA+T

Maxim Integrated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz
이득: 11.6dB
전력-최대: 6.4W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP

재고 있음8,046

MBC13900NT1

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6.5V 15GHZ SOT343

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6.5V
주파수-전환: 15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz
이득: 15dB ~ 22dB
전력-최대: 188mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음5,670

MBC13900T1

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6.5V 15GHZ SOT343

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6.5V
주파수-전환: 15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz
이득: 15dB ~ 22dB
전력-최대: 188mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음3,816

MC1331

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,832

MC1331-2

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,160

MC1331-3

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,610

MCH3007-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-MCPH

재고 있음5,220

MCH4009-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ 4MCPH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V
주파수-전환: 25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
이득: 13.5dB
전력-최대: 120mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: 4-MCPH

재고 있음83,562

MCH4013-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 3.5V 22.5GHZ 4MCPH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3.5V
주파수-전환: 22.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
이득: 16dB
전력-최대: 50mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: 4-MCPH

재고 있음5,940

MCH4014-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
이득: 18dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: 4-MCPH

재고 있음7,182

MCH4015-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
이득: 17dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: 4-MCPH

재고 있음28,314

MCH4016-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
이득: 18dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: 4-MCPH

재고 있음7,866

MCH4017-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
이득: 17dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: 4-MCPH

재고 있음8,208

MCH4020-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V
주파수-전환: 16GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
이득: 17.5dB
전력-최대: 400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: 4-MCPH

재고 있음4,284

MCH4020-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V
주파수-전환: 16GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
이득: 17.5dB @ 1GHz
전력-최대: 400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-343F
공급자 장치 패키지: 4-MCPH

재고 있음45,612

MCH4021-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V
주파수-전환: 16GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
이득: 17.5dB
전력-최대: 400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-MCPH

재고 있음8,280

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