트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MPSH17RLRAG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 800MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz 이득: 24dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,190
MPSH81 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음6,102
MPSH81 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,254
MPSH81 MICROSS/On Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF DIE TRANSISTOR RF PNP 제조업체: MICROSS/On Semiconductor 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,042
MPSH81_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,250
MPSH81_D27Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,168
MPSH81_D75Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,184
MPSH81 TRE Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음2,790
MRF10031 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V 332A-03 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9.5dB 전력-최대: 30W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 332A-03 공급자 장치 패키지: 332A-03, Style 2	재고 있음6,102
MRF10120 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V 355C-02 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.5dB 전력-최대: 120W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 355C-02 공급자 장치 패키지: 355C-02, Style 1	재고 있음5,040
MRF10350 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 355E-01 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9dB 전력-최대: 350W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 31A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 355E-01 공급자 장치 패키지: 355E-01, Style 1	재고 있음5,742
MRF10502 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 355J-02 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9dB 전력-최대: 500W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 29A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 355J-02 공급자 장치 패키지: 355J-02, STYLE 1	재고 있음8,586
MRF1090MB M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 70V 332A-03 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10.8dB 전력-최대: 90W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 2.5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 332A-03 공급자 장치 패키지: 332A-03, Style 1	재고 있음6,840
MRF314 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 35V 211-07 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 13.5dB 전력-최대: 30W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.4A 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 211-07 공급자 장치 패키지: 211-07, STYLE 1	재고 있음7,776
MRF321 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 33V 244-04 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 33V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 13dB 전력-최대: 10W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.1A 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 244-04 공급자 장치 패키지: 244-04, STYLE 1	재고 있음8,946
MRF327 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 33V 316-01 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 33V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9dB 전력-최대: 80W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 9A 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 316-01 공급자 장치 패키지: 316-01, STYLE 1	재고 있음6,804
MRF392 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2NPN EMITTR 30V 744A-01 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Common Emitter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 125W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 744A-01 공급자 장치 패키지: 744A-01, Style 1	재고 있음3,978
MRF393 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2NPN EMITTR 30V 744A-01 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Common Emitter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.5dB 전력-최대: 100W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 744A-01 공급자 장치 패키지: 744A-01, Style 1	재고 있음6,714
MRF422 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 35V 211-11 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 13dB 전력-최대: 150W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 211-11, Style 2 공급자 장치 패키지: 211-11, Style 2	재고 있음258
MRF428 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V 211-11 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 15dB 전력-최대: 150W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 211-11, Style 2 공급자 장치 패키지: 211-11, Style 2	재고 있음2,728
MRF4427 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 8SO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 20dB 전력-최대: 1.5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,316
MRF4427G Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 8SO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 20dB 전력-최대: 1.5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,040
MRF4427GR1 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 8SO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 20dB 전력-최대: 1.5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,812
MRF4427GR2 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 8SO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 20dB 전력-최대: 1.5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,454
MRF4427R1 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 8DBGA 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 20dB 전력-최대: 1.5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-dBGA (2x1.5)	재고 있음5,778
MRF4427R2 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 8SO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 20dB 전력-최대: 1.5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,344
MRF448 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 50V 211-11 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 14dB 전력-최대: 250W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 211-11, Style 2 공급자 장치 패키지: 211-11, Style 2	재고 있음6,648
MRF454 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 211-11 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 12dB 전력-최대: 80W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 211-11, Style 2 공급자 장치 패키지: 211-11, Style 2	재고 있음5,022
MRF455 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 18V 211-07 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 13dB 전력-최대: 60W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 211-07 공급자 장치 패키지: 211-07, STYLE 1	재고 있음6,120
MRF517 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 4GHZ TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9dB ~ 10dB 전력-최대: 2.5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 60mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음5,310

MPSH17RLRAG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 800MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz
이득: 24dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,190

MPSH81

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음6,102

MPSH81

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,254

MPSH81

MICROSS/On Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

DIE TRANSISTOR RF PNP

제조업체: MICROSS/On Semiconductor
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,042

MPSH81_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,250

MPSH81_D27Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,168

MPSH81_D75Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,184

MPSH81 TRE

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음2,790

MRF10031

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 332A-03

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9.5dB
전력-최대: 30W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 332A-03
공급자 장치 패키지: 332A-03, Style 2

재고 있음6,102

MRF10120

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 355C-02

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.5dB
전력-최대: 120W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 355C-02
공급자 장치 패키지: 355C-02, Style 1

재고 있음5,040

MRF10350

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 355E-01

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9dB
전력-최대: 350W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 31A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 355E-01
공급자 장치 패키지: 355E-01, Style 1

재고 있음5,742

MRF10502

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 355J-02

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9dB
전력-최대: 500W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 29A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 355J-02
공급자 장치 패키지: 355J-02, STYLE 1

재고 있음8,586

MRF1090MB

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 70V 332A-03

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10.8dB
전력-최대: 90W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 2.5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 332A-03
공급자 장치 패키지: 332A-03, Style 1

재고 있음6,840

MRF314

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 35V 211-07

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 13.5dB
전력-최대: 30W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.4A
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 211-07
공급자 장치 패키지: 211-07, STYLE 1

재고 있음7,776

MRF321

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 33V 244-04

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 33V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 13dB
전력-최대: 10W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.1A
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 244-04
공급자 장치 패키지: 244-04, STYLE 1

재고 있음8,946

MRF327

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 33V 316-01

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 33V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9dB
전력-최대: 80W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 9A
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 316-01
공급자 장치 패키지: 316-01, STYLE 1

재고 있음6,804

MRF392

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2NPN EMITTR 30V 744A-01

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Common Emitter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 125W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 744A-01
공급자 장치 패키지: 744A-01, Style 1

재고 있음3,978

MRF393

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2NPN EMITTR 30V 744A-01

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Common Emitter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.5dB
전력-최대: 100W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 744A-01
공급자 장치 패키지: 744A-01, Style 1

재고 있음6,714

MRF422

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 35V 211-11

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 13dB
전력-최대: 150W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 211-11, Style 2
공급자 장치 패키지: 211-11, Style 2

재고 있음258

MRF428

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 211-11

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 15dB
전력-최대: 150W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 211-11, Style 2
공급자 장치 패키지: 211-11, Style 2

재고 있음2,728

MRF4427

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 8SO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 20dB
전력-최대: 1.5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,316

MRF4427G

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 8SO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 20dB
전력-최대: 1.5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음5,040

MRF4427GR1

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 8SO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 20dB
전력-최대: 1.5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,812

MRF4427GR2

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 8SO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 20dB
전력-최대: 1.5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음5,454

MRF4427R1

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 8DBGA

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 20dB
전력-최대: 1.5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-dBGA (2x1.5)

재고 있음5,778

MRF4427R2

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 8SO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 20dB
전력-최대: 1.5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,344

MRF448

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 50V 211-11

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 14dB
전력-최대: 250W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 211-11, Style 2
공급자 장치 패키지: 211-11, Style 2

재고 있음6,648

MRF454

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 211-11

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 12dB
전력-최대: 80W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 211-11, Style 2
공급자 장치 패키지: 211-11, Style 2

재고 있음5,022

MRF455

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 18V 211-07

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 13dB
전력-최대: 60W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 211-07
공급자 장치 패키지: 211-07, STYLE 1

재고 있음6,120

MRF517

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 4GHZ TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9dB ~ 10dB
전력-최대: 2.5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 60mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음5,310

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