트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MRF544 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 70V 1.5GHZ TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V 주파수-전환: 1.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 13.5dB 전력-최대: 3.5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 50mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-39 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음7,794
MRF545 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 70V 1.4GHZ TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V 주파수-전환: 1GHz ~ 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 14dB 전력-최대: 3.5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 50mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음8,766
MRF553 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V 175MHZ 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: 175MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 11.5dB 전력-최대: 3W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,964
MRF553G Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: 175MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 11dB ~ 13dB 전력-최대: 3W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Power Macro 공급자 장치 패키지: Power Macro	재고 있음4,932
MRF553GT Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: 175MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 11.5dB 전력-최대: 3W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Power Macro 공급자 장치 패키지: Power Macro	재고 있음7,434
MRF553T Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: 175MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 11.5dB 전력-최대: 3W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Power Macro 공급자 장치 패키지: Power Macro	재고 있음7,650
MRF555 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V POWER MACRO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 11dB ~ 13dB 전력-최대: 3W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Power Macro 공급자 장치 패키지: Power Macro	재고 있음6,570
MRF555G Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V 470MHZ 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: 470MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 12.5dB 전력-최대: 3W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,210
MRF555GT Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V 470MHZ 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: 470MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 12.5dB 전력-최대: 3W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,372
MRF555T Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V POWER MACRO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 11dB ~ 12.5dB 전력-최대: 3W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Power Macro 공급자 장치 패키지: Power Macro	재고 있음3,400
MRF559 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ MACRO X 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: 870MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9.5dB 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Macro-X 공급자 장치 패키지: Macro-X	재고 있음4,936
MRF559G Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ MICRO X 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: 870MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9.5dB 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Micro-X ceramic (84C) 공급자 장치 패키지: Micro-X ceramic (84C)	재고 있음2,826
MRF559GT Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: 870MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9.5dB 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,526
MRF559T Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: 870MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9.5dB 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,526
MRF581 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz 이득: 13dB ~ 15.5dB 전력-최대: 1.25W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Micro-X ceramic (84C) 공급자 장치 패키지: Micro-X ceramic (84C)	재고 있음22,507
MRF5812 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOIC 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz 이득: 13dB ~ 15.5dB 전력-최대: 1.25W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,804
MRF5812G Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz 이득: 13dB ~ 15.5dB 전력-최대: 1.25W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,870
MRF5812GR1 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz 이득: 13dB ~ 15.5dB 전력-최대: 1.25W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,186
MRF5812GR2 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz 이득: 13dB ~ 15.5dB 전력-최대: 1.25W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,784
MRF5812M Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF TRANS NPN 15V 200MA 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,258
MRF5812MR1 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF TRANS NPN 15V 200MA 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,352
MRF5812MR2 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF TRANS NPN 15V 200MA 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,100
MRF5812R1 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz 이득: 13dB ~ 15.5dB 전력-최대: 1.25W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,552
MRF581A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ MICRO X 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz 이득: 13dB ~ 15.5dB 전력-최대: 1.25W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Micro-X ceramic (84C) 공급자 장치 패키지: Micro-X ceramic (84C)	재고 있음6,912
MRF581AG Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ MACRO X 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz 이득: 13dB ~ 15.5dB 전력-최대: 1.25W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Macro-X 공급자 장치 패키지: Macro-X	재고 있음6,858
MRF581G Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz 이득: 13dB ~ 15.5dB 전력-최대: 1.25W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Micro-X ceramic (84C) 공급자 장치 패키지: Micro-X ceramic (84C)	재고 있음5,022
MRF586 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 17V 주파수-전환: 3GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 13.5dB 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음6,102
MRF586G Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 17V 주파수-전환: 3GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 13.5dB 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음6,174
MRF8372 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: 870MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB ~ 9.5dB 전력-최대: 2.2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,878
MRF8372G Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: 870MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB ~ 9.5dB 전력-최대: 2.2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,984

MRF544

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 70V 1.5GHZ TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
주파수-전환: 1.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 13.5dB
전력-최대: 3.5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 50mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-39
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음7,794

MRF545

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 70V 1.4GHZ TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
주파수-전환: 1GHz ~ 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 14dB
전력-최대: 3.5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 50mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음8,766

MRF553

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V 175MHZ

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: 175MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 11.5dB
전력-최대: 3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,964

MRF553G

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: 175MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 11dB ~ 13dB
전력-최대: 3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Power Macro
공급자 장치 패키지: Power Macro

재고 있음4,932

MRF553GT

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: 175MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 11.5dB
전력-최대: 3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Power Macro
공급자 장치 패키지: Power Macro

재고 있음7,434

MRF553T

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: 175MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 11.5dB
전력-최대: 3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Power Macro
공급자 장치 패키지: Power Macro

재고 있음7,650

MRF555

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V POWER MACRO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 11dB ~ 13dB
전력-최대: 3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Power Macro
공급자 장치 패키지: Power Macro

재고 있음6,570

MRF555G

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V 470MHZ

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: 470MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 12.5dB
전력-최대: 3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,210

MRF555GT

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V 470MHZ

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: 470MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 12.5dB
전력-최대: 3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,372

MRF555T

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V POWER MACRO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 11dB ~ 12.5dB
전력-최대: 3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Power Macro
공급자 장치 패키지: Power Macro

재고 있음3,400

MRF559

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V 870MHZ MACRO X

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: 870MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9.5dB
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Macro-X
공급자 장치 패키지: Macro-X

재고 있음4,936

MRF559G

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V 870MHZ MICRO X

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: 870MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9.5dB
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Micro-X ceramic (84C)
공급자 장치 패키지: Micro-X ceramic (84C)

재고 있음2,826

MRF559GT

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V 870MHZ

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: 870MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9.5dB
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,526

MRF559T

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V 870MHZ

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: 870MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9.5dB
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,526

MRF581

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
이득: 13dB ~ 15.5dB
전력-최대: 1.25W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Micro-X ceramic (84C)
공급자 장치 패키지: Micro-X ceramic (84C)

재고 있음22,507

MRF5812

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOIC

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
이득: 13dB ~ 15.5dB
전력-최대: 1.25W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,804

MRF5812G

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
이득: 13dB ~ 15.5dB
전력-최대: 1.25W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,870

MRF5812GR1

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
이득: 13dB ~ 15.5dB
전력-최대: 1.25W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,186

MRF5812GR2

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
이득: 13dB ~ 15.5dB
전력-최대: 1.25W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,784

MRF5812M

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

TRANS NPN 15V 200MA

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,258

MRF5812MR1

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

TRANS NPN 15V 200MA

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,352

MRF5812MR2

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

TRANS NPN 15V 200MA

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,100

MRF5812R1

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
이득: 13dB ~ 15.5dB
전력-최대: 1.25W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음6,552

MRF581A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ MICRO X

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
이득: 13dB ~ 15.5dB
전력-최대: 1.25W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Micro-X ceramic (84C)
공급자 장치 패키지: Micro-X ceramic (84C)

재고 있음6,912

MRF581AG

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ MACRO X

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
이득: 13dB ~ 15.5dB
전력-최대: 1.25W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Macro-X
공급자 장치 패키지: Macro-X

재고 있음6,858

MRF581G

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
이득: 13dB ~ 15.5dB
전력-최대: 1.25W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Micro-X ceramic (84C)
공급자 장치 패키지: Micro-X ceramic (84C)

재고 있음5,022

MRF586

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 17V
주파수-전환: 3GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 13.5dB
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음6,102

MRF586G

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 17V
주파수-전환: 3GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 13.5dB
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음6,174

MRF8372

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: 870MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB ~ 9.5dB
전력-최대: 2.2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음4,878

MRF8372G

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: 870MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB ~ 9.5dB
전력-최대: 2.2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음6,984

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