트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MS2214 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M218 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.5dB 전력-최대: 300W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 2A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 작동 온도: 250°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M218 공급자 장치 패키지: M218	재고 있음5,616
MS2215 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M216 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.5dB 전력-최대: 300W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 16.5A 작동 온도: 250°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M216 공급자 장치 패키지: M216	재고 있음7,938
MS2225H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,194
MS2226H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,850
MS2228 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M214 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.03GHz ~ 1.09GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9dB 전력-최대: 175W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 5.4A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M214 공급자 장치 패키지: M214	재고 있음6,300
MS2244 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,906
MS2248 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,400
MS2266 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,582
MS2267 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ M214 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB ~ 8.7dB 전력-최대: 575W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 작동 온도: 250°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M214 공급자 장치 패키지: M214	재고 있음2,034
MS2272 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M216 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.6dB 전력-최대: 940W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 24A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M216 공급자 장치 패키지: M216	재고 있음2,700
MS2279 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,426
MS2284 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,408
MS2321 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M105 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 87.5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M105 공급자 장치 패키지: M105	재고 있음3,330
MS2321A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,400
MS2322 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 87.5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M115 공급자 장치 패키지: M115	재고 있음2,988
MS2341 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9dB 전력-최대: 87.5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.6A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M115 공급자 장치 패키지: M115	재고 있음3,834
MS2348 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,330
MS2356A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,168
MS2361 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9dB 전력-최대: 87.5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.6A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M115 공급자 장치 패키지: M115	재고 있음8,676
MS2392 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,726
MS2393 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M138 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.2dB 전력-최대: 583W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 300mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 11A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M138 공급자 장치 패키지: M138	재고 있음6,606
MS2396 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,528
MS2421 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M103 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6.3dB 전력-최대: 875W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 22A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M103 공급자 장치 패키지: M103	재고 있음8,820
MS2422 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M138 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6.3dB 전력-최대: 875W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 22A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M138 공급자 장치 패키지: M138	재고 있음2,250
MS2441 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M112 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6.5dB 전력-최대: 1458W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 250mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 22A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M112 공급자 장치 패키지: M112	재고 있음3,096
MS2472 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M112 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 5.6dB 전력-최대: 1350W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 250mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M112 공급자 장치 패키지: M112	재고 있음5,861
MS2473 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M112 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.09GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6dB 전력-최대: 2300W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 46A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M112 공급자 장치 패키지: M112	재고 있음5,490
MS2473A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,628
MS2477 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,806
MS2502A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,830

MS2214

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M218

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.5dB
전력-최대: 300W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 2A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
작동 온도: 250°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M218
공급자 장치 패키지: M218

재고 있음5,616

MS2215

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M216

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.5dB
전력-최대: 300W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 16.5A
작동 온도: 250°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M216
공급자 장치 패키지: M216

재고 있음7,938

MS2225H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,194

MS2226H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,850

MS2228

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M214

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.03GHz ~ 1.09GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9dB
전력-최대: 175W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 5.4A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M214
공급자 장치 패키지: M214

재고 있음6,300

MS2244

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,906

MS2248

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,400

MS2266

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,582

MS2267

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ M214

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB ~ 8.7dB
전력-최대: 575W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
작동 온도: 250°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M214
공급자 장치 패키지: M214

재고 있음2,034

MS2272

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M216

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.6dB
전력-최대: 940W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 24A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M216
공급자 장치 패키지: M216

재고 있음2,700

MS2279

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,426

MS2284

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,408

MS2321

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M105

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 87.5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M105
공급자 장치 패키지: M105

재고 있음3,330

MS2321A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,400

MS2322

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 87.5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M115
공급자 장치 패키지: M115

재고 있음2,988

MS2341

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9dB
전력-최대: 87.5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.6A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M115
공급자 장치 패키지: M115

재고 있음3,834

MS2348

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,330

MS2356A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,168

MS2361

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9dB
전력-최대: 87.5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.6A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M115
공급자 장치 패키지: M115

재고 있음8,676

MS2392

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,726

MS2393

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M138

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.2dB
전력-최대: 583W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 300mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 11A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M138
공급자 장치 패키지: M138

재고 있음6,606

MS2396

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,528

MS2421

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M103

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6.3dB
전력-최대: 875W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 22A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M103
공급자 장치 패키지: M103

재고 있음8,820

MS2422

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M138

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 960MHz ~ 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6.3dB
전력-최대: 875W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 22A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M138
공급자 장치 패키지: M138

재고 있음2,250

MS2441

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M112

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6.5dB
전력-최대: 1458W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 22A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M112
공급자 장치 패키지: M112

재고 있음3,096

MS2472

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M112

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 5.6dB
전력-최대: 1350W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M112
공급자 장치 패키지: M112

재고 있음5,861

MS2473

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M112

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.09GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6dB
전력-최대: 2300W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 46A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M112
공급자 장치 패키지: M112

재고 있음5,490

MS2473A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,628

MS2477

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,806

MS2502A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,830

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