트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MSC72111H Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,880
MSC74070 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,802
MSC80205 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,870
MSC80806 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,246
MSC86580 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,222
MSD2714AT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SC59 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59	재고 있음6,426
MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz 이득: 10.5dB 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PW-MINI	재고 있음49,482
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 11.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz 이득: 12dB 전력-최대: 700mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음51,288
MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz 이득: 12.5dB 전력-최대: 800mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: UFM	재고 있음4,734
MT3S113P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.3V 주파수-전환: 7.7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz 이득: 10.5dB 전력-최대: 1.6W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PW-MINI	재고 있음22,212
MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.3V 주파수-전환: 12.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz 이득: 11.8dB 전력-최대: 800mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음28,572
MT3S113TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.3V 주파수-전환: 11.2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz 이득: 12.5dB 전력-최대: 900mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: UFM	재고 있음27,966
MT3S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 4GHZ USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz 이득: 4.5dBi 전력-최대: 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: USM	재고 있음27,444
MT3S20P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz 이득: 16.5dB 전력-최대: 1.8W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PW-MINI	재고 있음2,376
MT3S20TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ UFM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.45dB @ 20mA, 5V 이득: 12dB 전력-최대: 900mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: UFM	재고 있음5,094
MT4S300U(TE85L,O,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-RF X34 PB-F RADIO-FREQUENCY SIGE HE 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4V 주파수-전환: 26.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.55dB @ 2GHz 이득: 16.9dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: USQ	재고 있음3,526
MX0912B251Y,114 Ampleon	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.4dB 전력-최대: 690W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-439A 공급자 장치 패키지: CDFM2	재고 있음6,570
MX0912B351Y,114 Ampleon	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.6dB 전력-최대: 960W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 21A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-439A 공급자 장치 패키지: CDFM2	재고 있음281
MZ0912B100Y,114 Ampleon	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.6dB 전력-최대: 290W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-443A 공급자 장치 패키지: CDFM2	재고 있음6,426
MZ0912B50Y,114 Ampleon	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB 전력-최대: 150W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-443A 공급자 장치 패키지: CDFM2	재고 있음7,668
NE202930-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6V 11GHZ 3SMINMOLD 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1GHz 이득: 13.5dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 5mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: 3-SuperMiniMold (30 PKG)	재고 있음5,256
NE202930-T1-A CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 6V 11GHZ SOT323 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1GHz 이득: 13.5dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 5mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음7,506
NE46134-AZ CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz 이득: 7dB 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음4,266
NE46134-T1 CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz 이득: - 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음8,370
NE46134-T1-AZ CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz 이득: 7dB 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음6,984
NE46134-T1-QR-AZ CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz 이득: 7dB 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음2,700
NE46134-T1-QS-AZ CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz 이득: 7dB 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음8,172
NE461M02-AZ CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz 이득: 8.3dB 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음8,100
NE461M02-T1-AZ CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V SOT89 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz 이득: 8.3dB 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음2,196
NE461M02-T1-QR-AZ CEL	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz 이득: 8.3dB 전력-최대: 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,938

MSC72111H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,880

MSC74070

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,802

MSC80205

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,870

MSC80806

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,246

MSC86580

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,222

MSD2714AT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SC59

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59

재고 있음6,426

MT3S111P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz
이득: 10.5dB
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PW-MINI

재고 있음49,482

MT3S111(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 11.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
이득: 12dB
전력-최대: 700mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음51,288

MT3S111TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
이득: 12.5dB
전력-최대: 800mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: UFM

재고 있음4,734

MT3S113P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.3V
주파수-전환: 7.7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
이득: 10.5dB
전력-최대: 1.6W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PW-MINI

재고 있음22,212

MT3S113(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.3V
주파수-전환: 12.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
이득: 11.8dB
전력-최대: 800mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음28,572

MT3S113TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.3V
주파수-전환: 11.2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
이득: 12.5dB
전력-최대: 900mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: UFM

재고 있음27,966

MT3S16U(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 4GHZ USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz
이득: 4.5dBi
전력-최대: 100mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60mA
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: USM

재고 있음27,444

MT3S20P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
이득: 16.5dB
전력-최대: 1.8W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PW-MINI

재고 있음2,376

MT3S20TU(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ UFM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.45dB @ 20mA, 5V
이득: 12dB
전력-최대: 900mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: UFM

재고 있음5,094

MT4S300U(TE85L,O,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

X34 PB-F RADIO-FREQUENCY SIGE HE

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4V
주파수-전환: 26.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.55dB @ 2GHz
이득: 16.9dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: USQ

재고 있음3,526

MX0912B251Y,114

Ampleon

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.4dB
전력-최대: 690W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-439A
공급자 장치 패키지: CDFM2

재고 있음6,570

MX0912B351Y,114

Ampleon

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.6dB
전력-최대: 960W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 21A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-439A
공급자 장치 패키지: CDFM2

재고 있음281

MZ0912B100Y,114

Ampleon

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.6dB
전력-최대: 290W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-443A
공급자 장치 패키지: CDFM2

재고 있음6,426

MZ0912B50Y,114

Ampleon

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 1.215GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB
전력-최대: 150W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-443A
공급자 장치 패키지: CDFM2

재고 있음7,668

NE202930-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6V 11GHZ 3SMINMOLD

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1GHz
이득: 13.5dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 5mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: 3-SuperMiniMold (30 PKG)

재고 있음5,256

NE202930-T1-A

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 6V 11GHZ SOT323

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1GHz
이득: 13.5dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 5mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음7,506

NE46134-AZ

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
이득: 7dB
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음4,266

NE46134-T1

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
이득: -
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음8,370

NE46134-T1-AZ

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
이득: 7dB
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음6,984

NE46134-T1-QR-AZ

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
이득: 7dB
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음2,700

NE46134-T1-QS-AZ

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
이득: 7dB
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음8,172

NE461M02-AZ

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
이득: 8.3dB
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음8,100

NE461M02-T1-AZ

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V SOT89

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
이득: 8.3dB
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음2,196

NE461M02-T1-QR-AZ

CEL

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V

제조업체: CEL
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
이득: 8.3dB
전력-최대: 2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,938

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