트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MS2502W Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,460
MS2506 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,580
MS2552 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 2NLFL 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6.7dB 전력-최대: 880W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 24A 작동 온도: 250°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 2NLFL 공급자 장치 패키지: 2NLFL	재고 있음5,310
MS2553C Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 1.15GHZ M220 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10.5dB 전력-최대: 175W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M220 공급자 장치 패키지: M220	재고 있음7,740
MS2554 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6.2dB 전력-최대: 600W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 17.8A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M218 공급자 장치 패키지: M218	재고 있음5,436
MS2554A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M216 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6.2dB 전력-최대: 600W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 17.8A 작동 온도: 200°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M216 공급자 장치 패키지: M216	재고 있음8,280
MS2562 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,808
MS2563 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,762
MS2575A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,076
MS2586 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,750
MS2587 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,102
MS2588 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,150
MS2608 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,128
MS2870 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,102
MS2874 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,204
MS3455 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,380
MS3456 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,618
MS652S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: 450MHz ~ 512MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 25W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M123 공급자 장치 패키지: M123	재고 있음7,668
MSC1090M Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 65V 1.15GHZ M220 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.4dB 전력-최대: 220W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 5.52A 작동 온도: 200°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M220 공급자 장치 패키지: M220	재고 있음7,542
MSC1175M Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB 전력-최대: 400W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 작동 온도: 250°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M218 공급자 장치 패키지: M218	재고 있음8,874
MSC1175MA Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB 전력-최대: 400W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 작동 온도: 250°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M218 공급자 장치 패키지: M218	재고 있음7,686
MSC1350M Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB ~ 7.1dB 전력-최대: 720W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 19.8A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M218 공급자 장치 패키지: M218	재고 있음4,680
MSC1400M Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M216 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6.5dB 전력-최대: 1000W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 28A 작동 온도: 250°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M216 공급자 장치 패키지: M216	재고 있음8,874
MSC1450A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 65V M216 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB 전력-최대: 910W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 28A 작동 온도: 250°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M216 공급자 장치 패키지: M216	재고 있음4,050
MSC1450M Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M216 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.09GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB 전력-최대: 910W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 28A 작동 온도: 250°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M216 공급자 장치 패키지: M216	재고 있음4,662
MSC2295-BT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 150MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59	재고 있음2,466
MSC2295-CT1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 150MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59	재고 있음2,322
MSC2295-CT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 150MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59	재고 있음2,106
MSC3930-BT1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 150MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음4,446
MSC3930-BT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 150MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음3,528

MS2502W

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,460

MS2506

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,580

MS2552

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 2NLFL

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6.7dB
전력-최대: 880W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 24A
작동 온도: 250°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 2NLFL
공급자 장치 패키지: 2NLFL

재고 있음5,310

MS2553C

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 1.15GHZ M220

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10.5dB
전력-최대: 175W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M220
공급자 장치 패키지: M220

재고 있음7,740

MS2554

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6.2dB
전력-최대: 600W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 17.8A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M218
공급자 장치 패키지: M218

재고 있음5,436

MS2554A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M216

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6.2dB
전력-최대: 600W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 17.8A
작동 온도: 200°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M216
공급자 장치 패키지: M216

재고 있음8,280

MS2562

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,808

MS2563

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,762

MS2575A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,076

MS2586

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,750

MS2587

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,102

MS2588

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,150

MS2608

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,128

MS2870

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,102

MS2874

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,204

MS3455

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,380

MS3456

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,618

MS652S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: 450MHz ~ 512MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 25W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M123
공급자 장치 패키지: M123

재고 있음7,668

MSC1090M

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 65V 1.15GHZ M220

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.4dB
전력-최대: 220W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 5.52A
작동 온도: 200°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M220
공급자 장치 패키지: M220

재고 있음7,542

MSC1175M

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB
전력-최대: 400W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
작동 온도: 250°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M218
공급자 장치 패키지: M218

재고 있음8,874

MSC1175MA

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB
전력-최대: 400W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
작동 온도: 250°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M218
공급자 장치 패키지: M218

재고 있음7,686

MSC1350M

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB ~ 7.1dB
전력-최대: 720W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 19.8A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M218
공급자 장치 패키지: M218

재고 있음4,680

MSC1400M

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M216

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6.5dB
전력-최대: 1000W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 28A
작동 온도: 250°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M216
공급자 장치 패키지: M216

재고 있음8,874

MSC1450A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 65V M216

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB
전력-최대: 910W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 28A
작동 온도: 250°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M216
공급자 장치 패키지: M216

재고 있음4,050

MSC1450M

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M216

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.09GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB
전력-최대: 910W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 28A
작동 온도: 250°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M216
공급자 장치 패키지: M216

재고 있음4,662

MSC2295-BT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 150MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59

재고 있음2,466

MSC2295-CT1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 150MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59

재고 있음2,322

MSC2295-CT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 150MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59

재고 있음2,106

MSC3930-BT1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 150MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음4,446

MSC3930-BT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 150MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음3,528

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