트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MRF8372GR1 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: 870MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB ~ 9.5dB 전력-최대: 2.2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,442
MRF8372GR2 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: 870MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB ~ 9.5dB 전력-최대: 2.2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,282
MRF8372MR1 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF TRANS NPN 16V 200MA 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,652
MRF8372R1 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: 870MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB ~ 9.5dB 전력-최대: 2.2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음2,898
MRF8372R2 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V 주파수-전환: 870MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB ~ 9.5dB 전력-최대: 2.2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,752
MRF904 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 4GHZ TO72 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 450MHz 이득: 6.5dB ~ 10.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-72	재고 있음2,070
MRFC544 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,562
MRFC545 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,068
MS1001 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V 주파수-전환: 30MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 13dB 전력-최대: 270W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M174 공급자 장치 패키지: M174	재고 있음4,500
MS1001A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF TRANS RF BIPO 270W 20A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,676
MS1003 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V 주파수-전환: 136MHz ~ 175MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6dB 전력-최대: 270W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: M111 공급자 장치 패키지: M111	재고 있음8,190
MS1004 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V 30MHZ M177 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: 30MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 14.5dB 전력-최대: 330W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M177 공급자 장치 패키지: M177	재고 있음8,298
MS1006 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: 30MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 14dB 전력-최대: 127W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 19 @ 1.4A, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.25A 작동 온도: 200°C 장착 유형: Stud Mount 패키지 / 케이스: M135 공급자 장치 패키지: M135	재고 있음5,022
MS1007 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V 30MHZ M174 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: 30MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 14dB 전력-최대: 233W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 18 @ 1.4A, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M174 공급자 장치 패키지: M174	재고 있음3,996
MS1008 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V 30MHZ M164 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: 30MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 14dB 전력-최대: 233W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1.4A, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M164 공급자 장치 패키지: M164	재고 있음8,046
MS1014 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,598
MS1015D Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,140
MS1019 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,308
MS1030 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,528
MS1030DE Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,946
MS1051 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V 주파수-전환: 30MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 11dB ~ 13dB 전력-최대: 290W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M174 공급자 장치 패키지: M174	재고 있음8,190
MS1076 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 35V 30MHZ M174 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V 주파수-전환: 30MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 12dB 전력-최대: 320W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 7A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M174 공급자 장치 패키지: M174	재고 있음7,110
MS1076A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,186
MS1076C Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,128
MS1087T Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,848
MS1202 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 35V 136MHZ M135 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V 주파수-전환: 118MHz ~ 136MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.4dB 전력-최대: 15W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M135 공급자 장치 패키지: M135	재고 있음6,822
MS1226 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 36V 주파수-전환: 30MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 18dB 전력-최대: 80W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M113 공급자 장치 패키지: M113	재고 있음6,102
MS1227 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 18V 30MHZ M113 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V 주파수-전환: 30MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 15dB 전력-최대: 80W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: M113 공급자 장치 패키지: M113	재고 있음2,592
MS1261 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 18V 175MHZ M122 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V 주파수-전환: 175MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 12dB 전력-최대: 34W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: M122 공급자 장치 패키지: M122	재고 있음3,402
MS1336 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 18V 175MHZ M135 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V 주파수-전환: 175MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 70W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: M135 공급자 장치 패키지: M135	재고 있음3,600

MRF8372GR1

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: 870MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB ~ 9.5dB
전력-최대: 2.2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,442

MRF8372GR2

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: 870MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB ~ 9.5dB
전력-최대: 2.2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음6,282

MRF8372MR1

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

TRANS NPN 16V 200MA

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,652

MRF8372R1

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: 870MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB ~ 9.5dB
전력-최대: 2.2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음2,898

MRF8372R2

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
주파수-전환: 870MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB ~ 9.5dB
전력-최대: 2.2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음4,752

MRF904

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 4GHZ TO72

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 450MHz
이득: 6.5dB ~ 10.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-72

재고 있음2,070

MRFC544

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,562

MRFC545

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,068

MS1001

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V
주파수-전환: 30MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 13dB
전력-최대: 270W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M174
공급자 장치 패키지: M174

재고 있음4,500

MS1001A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

TRANS RF BIPO 270W 20A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,676

MS1003

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V
주파수-전환: 136MHz ~ 175MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6dB
전력-최대: 270W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: M111
공급자 장치 패키지: M111

재고 있음8,190

MS1004

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 30MHZ M177

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: 30MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 14.5dB
전력-최대: 330W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M177
공급자 장치 패키지: M177

재고 있음8,298

MS1006

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: 30MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 14dB
전력-최대: 127W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 19 @ 1.4A, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.25A
작동 온도: 200°C
장착 유형: Stud Mount
패키지 / 케이스: M135
공급자 장치 패키지: M135

재고 있음5,022

MS1007

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 30MHZ M174

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: 30MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 14dB
전력-최대: 233W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 18 @ 1.4A, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M174
공급자 장치 패키지: M174

재고 있음3,996

MS1008

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 30MHZ M164

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: 30MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 14dB
전력-최대: 233W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 1.4A, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M164
공급자 장치 패키지: M164

재고 있음8,046

MS1014

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,598

MS1015D

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,140

MS1019

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,308

MS1030

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,528

MS1030DE

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,946

MS1051

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V
주파수-전환: 30MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 11dB ~ 13dB
전력-최대: 290W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M174
공급자 장치 패키지: M174

재고 있음8,190

MS1076

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 35V 30MHZ M174

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V
주파수-전환: 30MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 12dB
전력-최대: 320W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 7A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M174
공급자 장치 패키지: M174

재고 있음7,110

MS1076A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,186

MS1076C

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,128

MS1087T

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,848

MS1202

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 35V 136MHZ M135

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V
주파수-전환: 118MHz ~ 136MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.4dB
전력-최대: 15W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M135
공급자 장치 패키지: M135

재고 있음6,822

MS1226

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 36V
주파수-전환: 30MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 18dB
전력-최대: 80W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M113
공급자 장치 패키지: M113

재고 있음6,102

MS1227

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 18V 30MHZ M113

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V
주파수-전환: 30MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 15dB
전력-최대: 80W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: M113
공급자 장치 패키지: M113

재고 있음2,592

MS1261

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 18V 175MHZ M122

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V
주파수-전환: 175MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 12dB
전력-최대: 34W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: M122
공급자 장치 패키지: M122

재고 있음3,402

MS1336

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 18V 175MHZ M135

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 18V
주파수-전환: 175MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 70W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: M135
공급자 장치 패키지: M135

재고 있음3,600

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