트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MCH4021-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V 주파수-전환: 16GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz 이득: 17.5dB 전력-최대: 400mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-MCPH	재고 있음4,320
MDS1100 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.03GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.9dB 전력-최대: 8750W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 55TU-1 공급자 장치 패키지: 55TU-1	재고 있음8,622
MDS140L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 70V 1.09GHZ 55AW 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V 주파수-전환: 1.03GHz ~ 1.09GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9.5dB 전력-최대: 500W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55AW 공급자 장치 패키지: 55AW	재고 있음5,616
MDS150 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V 주파수-전환: 1.03GHz ~ 1.09GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 350W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55AW 공급자 장치 패키지: 55AW	재고 있음2,106
MDS400 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55KT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V 주파수-전환: 1.03GHz ~ 1.09GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6.5dB 전력-최대: 1450W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55KT 공급자 장치 패키지: 55KT	재고 있음8,370
MDS500L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 70V 1.09GHZ 55ST 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V 주파수-전환: 1.03GHz ~ 1.09GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9.2dB 전력-최대: 833W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 24A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55ST 공급자 장치 패키지: 55ST	재고 있음2,484
MDS60L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55AW 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.03GHz ~ 1.09GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 120W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55AW 공급자 장치 패키지: 55AW	재고 있음4,986
MDS70 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55CX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.03GHz ~ 1.09GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10.3dB ~ 11.65dB 전력-최대: 225W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55CX 공급자 장치 패키지: 55CX	재고 있음7,272
MDS800 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55ST-1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.09GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.6dB 전력-최대: 1458W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55ST-1 공급자 장치 패키지: 55ST-1	재고 있음7,596
MMBT5179 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz 이득: 15dB 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음670,524
MMBT5770 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,058
MMBT918 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz 이득: 15dB 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음8,622
MMBT918LT1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz 이득: 11dB 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음9,596
MMBT918LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz 이득: 11dB 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음55,188
MMBTH10 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음3,490
MMBTH10-4LT1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 800MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음8,082
MMBTH10-4LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 800MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음83,514
MMBTH10-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음6,984
MMBTH10-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음27,750
MMBTH10LT1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음40,398
MMBTH10LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음314,496
MMBTH10LT3G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음74,460
MMBTH10M3T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 265mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: SOT-723	재고 있음7,074
MMBTH10RG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 40V 450MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 주파수-전환: 450MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,420
MMBTH10-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음4,842
MMBTH11 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음50,814
MMBTH24 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 30V 400MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: 400MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음7,938
MMBTH24-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 40V 400MHZ SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 주파수-전환: 400MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음7,902
MMBTH24-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 40V 400MHZ SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 주파수-전환: 400MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음53,214
MMBTH34 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 40V 500MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 주파수-전환: 500MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 225mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 2V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음8,604

MCH4021-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V
주파수-전환: 16GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
이득: 17.5dB
전력-최대: 400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 4-MCPH

재고 있음4,320

MDS1100

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.03GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.9dB
전력-최대: 8750W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 55TU-1
공급자 장치 패키지: 55TU-1

재고 있음8,622

MDS140L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 70V 1.09GHZ 55AW

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
주파수-전환: 1.03GHz ~ 1.09GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9.5dB
전력-최대: 500W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55AW
공급자 장치 패키지: 55AW

재고 있음5,616

MDS150

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
주파수-전환: 1.03GHz ~ 1.09GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 350W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55AW
공급자 장치 패키지: 55AW

재고 있음2,106

MDS400

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55KT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
주파수-전환: 1.03GHz ~ 1.09GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6.5dB
전력-최대: 1450W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55KT
공급자 장치 패키지: 55KT

재고 있음8,370

MDS500L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 70V 1.09GHZ 55ST

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
주파수-전환: 1.03GHz ~ 1.09GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9.2dB
전력-최대: 833W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 24A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55ST
공급자 장치 패키지: 55ST

재고 있음2,484

MDS60L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55AW

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.03GHz ~ 1.09GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 120W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55AW
공급자 장치 패키지: 55AW

재고 있음4,986

MDS70

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55CX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.03GHz ~ 1.09GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10.3dB ~ 11.65dB
전력-최대: 225W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55CX
공급자 장치 패키지: 55CX

재고 있음7,272

MDS800

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55ST-1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.09GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.6dB
전력-최대: 1458W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55ST-1
공급자 장치 패키지: 55ST-1

재고 있음7,596

MMBT5179

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz
이득: 15dB
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음670,524

MMBT5770

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,058

MMBT918

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
이득: 15dB
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음8,622

MMBT918LT1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
이득: 11dB
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음9,596

MMBT918LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
이득: 11dB
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음55,188

MMBTH10

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음3,490

MMBTH10-4LT1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 800MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음8,082

MMBTH10-4LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 800MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음83,514

MMBTH10-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음6,984

MMBTH10-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음27,750

MMBTH10LT1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음40,398

MMBTH10LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음314,496

MMBTH10LT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음74,460

MMBTH10M3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 265mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: SOT-723

재고 있음7,074

MMBTH10RG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 40V 450MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
주파수-전환: 450MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,420

MMBTH10-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음4,842

MMBTH11

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음50,814

MMBTH24

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 30V 400MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: 400MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음7,938

MMBTH24-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 40V 400MHZ SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
주파수-전환: 400MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음7,902

MMBTH24-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 40V 400MHZ SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
주파수-전환: 400MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음53,214

MMBTH34

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 40V 500MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
주파수-전환: 500MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음8,604

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