트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
KSC1674YTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz 이득: - 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,948
KSC1730OBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,892
KSC1730OTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,726
KSC1730YBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,948
KSC1730YTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,442
KSC2755OMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 30V 600MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB @ 200MHz 이득: 20dB ~ 23dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 3mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음2,790
KSC2755YMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 30V 600MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB @ 200MHz 이득: 20dB ~ 23dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 3mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음3,402
KSC2756OMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 850MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 850MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz 이득: 15dB ~ 23dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음7,416
KSC2756RMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 850MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 850MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz 이득: 15dB ~ 23dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음6,498
KSC2756YMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 850MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 850MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz 이득: 15dB ~ 23dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음4,788
KSC2757OMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음8,730
KSC2757RMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음5,166
KSC2757YMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음8,820
KSC2786OBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz 이득: 18dB ~ 22dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음2,322
KSC2786OTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz 이득: 18dB ~ 22dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음3,654
KSC2786RBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz 이득: 18dB ~ 22dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음5,436
KSC2786RTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz 이득: 18dB ~ 22dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음4,428
KSC2786YBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz 이득: 18dB ~ 22dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음7,650
KSC2786YTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 600MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz 이득: 18dB ~ 22dB 전력-최대: 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음4,734
KSC3123OMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz 이득: 20dB ~ 23dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음5,616
KSC3123RMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz 이득: 20dB ~ 23dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음7,308
KSC3123YMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz 이득: 20dB ~ 23dB 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음2,610
KSP10BU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음49,524
KSP10TA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,372
KST10MTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V 주파수-전환: 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음124,260
KST5179MTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 900MHZ SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 900MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz 이득: 15dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,960
LM3046M Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 NPN 15V 14SOIC 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.25dB @ 1kHz 이득: - 전력-최대: 750mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음3,492
LM3046M/NOPB Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 NPN 15V 14SOIC 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.25dB @ 1kHz 이득: - 전력-최대: 750mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음3,456
LM3046MX Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 NPN 15V 14SOIC 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.25dB @ 1kHz 이득: - 전력-최대: 750mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음6,228
LM3046MX/NOPB Texas Instruments	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 5 NPN 15V 14SOIC 제조업체: 시리즈: - 트랜지스터 유형: 5 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.25dB @ 1kHz 이득: - 전력-최대: 750mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음3,780

KSC1674YTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
이득: -
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,948

KSC1730OBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,892

KSC1730OTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,726

KSC1730YBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,948

KSC1730YTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,442

KSC2755OMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 30V 600MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB @ 200MHz
이득: 20dB ~ 23dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 3mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음2,790

KSC2755YMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 30V 600MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB @ 200MHz
이득: 20dB ~ 23dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 3mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음3,402

KSC2756OMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 850MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 850MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz
이득: 15dB ~ 23dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음7,416

KSC2756RMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 850MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 850MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz
이득: 15dB ~ 23dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음6,498

KSC2756YMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 850MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 850MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz
이득: 15dB ~ 23dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음4,788

KSC2757OMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음8,730

KSC2757RMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음5,166

KSC2757YMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음8,820

KSC2786OBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
이득: 18dB ~ 22dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음2,322

KSC2786OTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
이득: 18dB ~ 22dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음3,654

KSC2786RBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
이득: 18dB ~ 22dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음5,436

KSC2786RTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
이득: 18dB ~ 22dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음4,428

KSC2786YBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
이득: 18dB ~ 22dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음7,650

KSC2786YTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
이득: 18dB ~ 22dB
전력-최대: 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음4,734

KSC3123OMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
이득: 20dB ~ 23dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음5,616

KSC3123RMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
이득: 20dB ~ 23dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음7,308

KSC3123YMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
이득: 20dB ~ 23dB
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음2,610

KSP10BU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음49,524

KSP10TA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,372

KST10MTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
주파수-전환: 650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음124,260

KST5179MTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 900MHZ SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 900MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
이득: 15dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,960

LM3046M

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 NPN 15V 14SOIC

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.25dB @ 1kHz
이득: -
전력-최대: 750mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 14-SOIC

재고 있음3,492

LM3046M/NOPB

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 NPN 15V 14SOIC

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.25dB @ 1kHz
이득: -
전력-최대: 750mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 14-SOIC

재고 있음3,456

LM3046MX

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 NPN 15V 14SOIC

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.25dB @ 1kHz
이득: -
전력-최대: 750mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 14-SOIC

재고 있음6,228

LM3046MX/NOPB

Texas Instruments

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 5 NPN 15V 14SOIC

제조업체:
시리즈: -
트랜지스터 유형: 5 NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.25dB @ 1kHz
이득: -
전력-최대: 750mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 14-SOIC

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