트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BFT92E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 15V 5GHZ SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 8dB ~ 13.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,184
BFT92W,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 15V 4GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음5,364
BFT93,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 12V 5GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.4dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 30mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음3,996
BFT93W,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 12V 4GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 30mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음4,320
BFU520AR NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz 이득: 18dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음26,088
BFU520AVL NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz 이득: 12.5dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음8,514
BFU520R NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz 이득: 20dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음3,798
BFU520VL NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz 이득: 17.5dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음6,282
BFU520WF NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz 이득: 13dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음2,214
BFU520WX NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz 이득: 18.5dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음243,984
BFU520XAR NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz 이득: 20dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음2,466
BFU520XRR NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz 이득: 20dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음21,894
BFU520XRVL NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz 이득: 17.5dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음6,732
BFU520XVL NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz 이득: 18dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음3,402
BFU520YF NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz 이득: 14dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음7,920
BFU520YX NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz 이득: 19dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음56,040
BFU530AR NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz 이득: 18dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음106,110
BFU530AVL NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz 이득: 12dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음7,506
BFU530R NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz 이득: 21.5dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음5,580
BFU530VL NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz 이득: 15.5dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음3,472
BFU530WF NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz 이득: 12.5dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음6,444
BFU530WX NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz 이득: 18.5dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음7,992
BFU530XAR NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz 이득: 22dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음8,496
BFU530XRR NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz 이득: 21dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음6,354
BFU530XRVL NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz 이득: 16.5dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음6,012
BFU530XVL NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz 이득: 16.5dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음5,886
BFU550AR NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz 이득: 18dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음315,906
BFU550AVL NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz 이득: 12dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음5,706
BFU550R NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz 이득: 21dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음293,670
BFU550VL NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 11GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz 이득: 15dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음6,498

BFT92E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 15V 5GHZ SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 8dB ~ 13.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,184

BFT92W,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 15V 4GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음5,364

BFT93,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 12V 5GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.4dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 30mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음3,996

BFT93W,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 12V 4GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 30mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음4,320

BFU520AR

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
이득: 18dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음26,088

BFU520AVL

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
이득: 12.5dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음8,514

BFU520R

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
이득: 20dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음3,798

BFU520VL

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
이득: 17.5dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음6,282

BFU520WF

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
이득: 13dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음2,214

BFU520WX

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
이득: 18.5dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음243,984

BFU520XAR

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
이득: 20dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음2,466

BFU520XRR

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
이득: 20dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음21,894

BFU520XRVL

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
이득: 17.5dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음6,732

BFU520XVL

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
이득: 18dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음3,402

BFU520YF

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
이득: 14dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음7,920

BFU520YX

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 10GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
이득: 19dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음56,040

BFU530AR

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
이득: 18dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음106,110

BFU530AVL

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
이득: 12dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음7,506

BFU530R

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
이득: 21.5dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음5,580

BFU530VL

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
이득: 15.5dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음3,472

BFU530WF

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
이득: 12.5dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음6,444

BFU530WX

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
이득: 18.5dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음7,992

BFU530XAR

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
이득: 22dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음8,496

BFU530XRR

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
이득: 21dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음6,354

BFU530XRVL

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
이득: 16.5dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음6,012

BFU530XVL

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
이득: 16.5dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음5,886

BFU550AR

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
이득: 18dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음315,906

BFU550AVL

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
이득: 12dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음5,706

BFU550R

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
이득: 21dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음293,670

BFU550VL

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 11GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
이득: 15dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음6,498

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