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설명
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60168
60168

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 주파수-전환: -
  • 노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
  • 이득: -
  • 전력-최대: -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,346
60180
60180

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 주파수-전환: -
  • 노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
  • 이득: -
  • 전력-최대: -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,640
60189
60189

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 주파수-전환: -
  • 노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
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  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,506
60205
60205

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 주파수-전환: -
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  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,470
60206
60206

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
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  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,740
61032Q
61032Q

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
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  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
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  • 장착 유형: -
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  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,114
61044
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
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61045
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Microsemi

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  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
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  • 공급자 장치 패키지: -
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61046
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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  • 제조업체: Microsemi Corporation
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  • 트랜지스터 유형: -
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61070
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Microsemi

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  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
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61074
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Microsemi

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  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
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61110
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
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61111
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
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62012T
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
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62028
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
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62089
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
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62090
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
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62091
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
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62144
62144

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
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63004
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
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64010H
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Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
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64017H
64017H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
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64020H
64020H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
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64030
64030

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
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재고 있음3,348
64042
64042

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
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재고 있음8,802
64044
64044

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
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재고 있음8,748
64051
64051

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
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  • 주파수-전환: -
  • 노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
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  • 전력-최대: -
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  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,574
64053
64053

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 주파수-전환: -
  • 노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
  • 이득: -
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  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,472
64054H
64054H

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
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  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,248
64062
64062

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 주파수-전환: -
  • 노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
  • 이득: -
  • 전력-최대: -
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  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,580