트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
TF256-4-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 30MW USFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 30mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: 3-USFP	재고 있음6,714
TF256-5-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 30MW USFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 240µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 30mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-1123 공급자 장치 패키지: 3-USFP	재고 있음4,626
TF256TH-3-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: VTFP	재고 있음5,976
TF256TH-4-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-VTFP	재고 있음2,826
TF256TH-5-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 240µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-VTFP	재고 있음7,380
TF262TH-4-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 100MW 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 2V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: VTFP	재고 있음18,857
TF262TH-5-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 100MW 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 2V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: VTFP	재고 있음7,272
TF408-2-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 10MA 30MW USFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 30mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-USFP	재고 있음8,460
TF408-3-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 10MA 30MW USFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 30mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-USFP	재고 있음6,120
TF408-3-TL-HX ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 10MA 30MW USFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,014
TF410-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 30MW USFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 0.7pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 30mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-USFP	재고 있음6,102
TF410-TL-HX ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 30MW USFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,730
TF412ST5G ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XFDFN 공급자 장치 패키지: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)	재고 있음126,060
TF414T5G ON Semiconductor	트랜지스터-JFET IC JFET N-CH 40V XDFN3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 0.7pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)	재고 있음378,096
TIS74 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 4nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 40 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,400
TIS74_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 4nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 40 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,320
TIS75 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 4nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,776
TIS75_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 4nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,806
TIS75_D75Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 4nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,582
TIS75_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 4nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,776
U1897 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,590
U1898 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,492
U1898_D27Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,956
U290 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 3nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 0V 저항-RDS (켜짐): 3 Ohms 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AC (TO-52)	재고 있음7,380
U290-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 3nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 0V 저항-RDS (켜짐): 3 Ohms 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AC (TO-52)	재고 있음7,956
U291 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 3nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 0V 저항-RDS (켜짐): 7 Ohms 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AC (TO-52)	재고 있음28
U291-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 3nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 0V 저항-RDS (켜짐): 7 Ohms 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AC (TO-52)	재고 있음6,174
U310-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET P-CH 25V TO-52 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AC (TO-52)	재고 있음3,128
U430 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET P-CH 25V TO-78 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음8,856
U430-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET DUAL P-CH 25V TO-78 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음2,304

TF256-4-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 30MW USFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 30mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: 3-USFP

재고 있음6,714

TF256-5-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 30MW USFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 240µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 30mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-1123
공급자 장치 패키지: 3-USFP

재고 있음4,626

TF256TH-3-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: VTFP

재고 있음5,976

TF256TH-4-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-VTFP

재고 있음2,826

TF256TH-5-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 240µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-VTFP

재고 있음7,380

TF262TH-4-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 2V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: VTFP

재고 있음18,857

TF262TH-5-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 2V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: VTFP

재고 있음7,272

TF408-2-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 10MA 30MW USFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 10mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 30mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-USFP

재고 있음8,460

TF408-3-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 10MA 30MW USFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 10mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 30mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-USFP

재고 있음6,120

TF408-3-TL-HX

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 10MA 30MW USFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,014

TF410-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 30MW USFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 0.7pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 30mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-USFP

재고 있음6,102

TF410-TL-HX

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 30MW USFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,730

TF412ST5G

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 10mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XFDFN
공급자 장치 패키지: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

재고 있음126,060

TF414T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

IC JFET N-CH 40V XDFN3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 0.7pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

재고 있음378,096

TIS74

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 4nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 40 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,400

TIS74_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 4nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 40 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,320

TIS75

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 4nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,776

TIS75_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 4nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,806

TIS75_D75Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 4nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,582

TIS75_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 4nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,776

U1897

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,590

U1898

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,492

U1898_D27Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,956

U290

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 3nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 0V
저항-RDS (켜짐): 3 Ohms
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AC (TO-52)

재고 있음7,380

U290-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 3nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 0V
저항-RDS (켜짐): 3 Ohms
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AC (TO-52)

재고 있음7,956

U291

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 3nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 0V
저항-RDS (켜짐): 7 Ohms
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AC (TO-52)

재고 있음28

U291-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 3nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 0V
저항-RDS (켜짐): 7 Ohms
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AC (TO-52)

재고 있음6,174

U310-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 25V TO-52

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AC (TO-52)

재고 있음3,128

U430

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 25V TO-78

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음8,856

U430-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET DUAL P-CH 25V TO-78

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음2,304

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