다이오드 및 정류기

부품 번호	설명	재고 있음
HSMS-286Y-BLKG Broadcom	다이오드-RF RF DIODE SCHOTTKY 4V SOD323 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - Single 전압-피크 역방향 (최대): 4V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523 공급자 장치 패키지: SOD-323	재고 있음1,341
HSMS-286Y-TR1G Broadcom	다이오드-RF RF DIODE SCHOTTKY 4V SOD323 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - Single 전압-피크 역방향 (최대): 4V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523 공급자 장치 패키지: SOD-323	재고 있음2,808
HSMS-8101-BLKG Broadcom	다이오드-RF RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - Single 전압-피크 역방향 (최대): 4V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대): 75mW 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음9
HSMS-8101-TR1 Broadcom	다이오드-RF RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - Single 전압-피크 역방향 (최대): 4V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대): 75mW 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,078
HSMS-8101-TR1G Broadcom	다이오드-RF RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - Single 전압-피크 역방향 (최대): 4V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대): 75mW 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,058
HSMS-8101-TR2G Broadcom	다이오드-RF RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - Single 전압-피크 역방향 (최대): 4V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대): 75mW 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,454
HSMS-8202-BLKG Broadcom	다이오드-RF RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection 전압-피크 역방향 (최대): 4V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대): 75mW 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,976
HSMS-8202-TR1 Broadcom	다이오드-RF RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection 전압-피크 역방향 (최대): 4V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대): 75mW 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음441
HSMS-8202-TR1G Broadcom	다이오드-RF RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection 전압-피크 역방향 (최대): 4V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대): 75mW 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음570,578
HSMS-8202-TR2G Broadcom	다이오드-RF RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection 전압-피크 역방향 (최대): 4V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대): 75mW 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,834
HSMS-8207-BLKG Broadcom	다이오드-RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - 2 Pair Series Connection 전압-피크 역방향 (최대): 4V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대): 75mW 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143-4	재고 있음2,250
HSMS-8207-TR1G Broadcom	다이오드-RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - 2 Pair Series Connection 전압-피크 역방향 (최대): 4V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대): 75mW 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143-4	재고 있음2,988
HSMS-8207-TR2G Broadcom	다이오드-RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - 2 Pair Series Connection 전압-피크 역방향 (최대): 4V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대): 75mW 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143-4	재고 있음6,534
HSMS-8209-BLKG Broadcom	다이오드-RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - Cross Over 전압-피크 역방향 (최대): 4V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대): 75mW 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143-4	재고 있음7,326
HSMS-8209-TR1 Broadcom	다이오드-RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - Cross Over 전압-피크 역방향 (최대): 4V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대): 75mW 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143-4	재고 있음2,484
HSMS-8209-TR1G Broadcom	다이오드-RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - Cross Over 전압-피크 역방향 (최대): 4V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대): 75mW 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143-4	견적 요청
HSMS-8209-TR2G Broadcom	다이오드-RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - Cross Over 전압-피크 역방향 (최대): 4V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대): 75mW 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143-4	재고 있음3,078
HUM2015B Microsemi	다이오드-RF AXIAL DIODE 1500V 13W 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 다이오드 유형: - 전압-피크 역방향 (최대): - 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: - 저항 @ If, F: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,118
JDH2S01FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage	다이오드-RF RF DIODE SCHOTTKY 4V FSC 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - Single 전압-피크 역방향 (최대): 4V 현재-최대: 25mA 커패시턴스 @ Vr, F: 0.6pF @ 0.2V, 1MHz 저항 @ If, F: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 125°C (TJ) 패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: fSC	재고 있음2,340
JDH2S02FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage	다이오드-RF RF DIODE SCHOTTKY 10V FSC 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - Single 전압-피크 역방향 (최대): 10V 현재-최대: 10mA 커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 0.2V, 1MHz 저항 @ If, F: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 125°C (TJ) 패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: fSC	재고 있음3,708
JDH3D01STE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	다이오드-RF RF DIODE SCHOTTKY 4V SSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky 전압-피크 역방향 (최대): 4V 현재-최대: 25mA 커패시턴스 @ Vr, F: 0.6pF @ 0.2V, 1MHz 저항 @ If, F: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 125°C (TJ) 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SSM	재고 있음2,808
JDP2S02ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	다이오드-RF RF DIODE PIN 30V CST2 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 다이오드 유형: PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대): 30V 현재-최대: 50mA 커패시턴스 @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz 저항 @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: SOD-882 공급자 장치 패키지: CST2	재고 있음2,040,946
JDP2S02AFS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	다이오드-RF RF DIODE PIN 30V FSC 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 다이오드 유형: PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대): 30V 현재-최대: 50mA 커패시턴스 @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz 저항 @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: fSC	재고 있음32,793
JDP2S08SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	다이오드-RF RF DIODE PIN 30V SC2 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 다이오드 유형: PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대): 30V 현재-최대: 50mA 커패시턴스 @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz 저항 @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: 2-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: SC2	재고 있음10,197
JDP2S12CR(TE85L,Q Toshiba Semiconductor and Storage	다이오드-RF RF DIODE PIN 180V S-FLAT 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 다이오드 유형: PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대): 180V 현재-최대: 1A 커패시턴스 @ Vr, F: 1.3pF @ 40V, 1MHz 저항 @ If, F: 700mOhm @ 10mA, 100MHz 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 175°C (TJ) 패키지 / 케이스: SOD-123F 공급자 장치 패키지: S-FLAT (1.6x3.5)	재고 있음78,529
JDP4P02AT(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	다이오드-RF RF DIODE PIN 30V CST4 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 다이오드 유형: PIN - 2 Independent 전압-피크 역방향 (최대): 30V 현재-최대: 50mA 커패시턴스 @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz 저항 @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: CST4 (1.2x0.8)	재고 있음7,758
JDV2S07FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage	다이오드-RF RF DIODE STANDARD 10V FSC 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 다이오드 유형: Standard - Single 전압-피크 역방향 (최대): 10V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 4.9pF @ 1V, 1MHz 저항 @ If, F: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: fSC	재고 있음7,947
JDV2S09FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage	다이오드-RF RF DIODE STANDARD 10V FSC 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 다이오드 유형: Standard - Single 전압-피크 역방향 (최대): 10V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 11.1pF @ 1V, 1MHz 저항 @ If, F: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: fSC	재고 있음16,919
JDV2S10FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	다이오드-RF RF DIODE STANDARD 10V FSC 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 다이오드 유형: Standard - Single 전압-피크 역방향 (최대): 10V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 3.4pF @ 2.5V, 1MHz 저항 @ If, F: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: fSC	재고 있음20,853
JDV2S41FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	다이오드-RF RF DIODE STANDARD 15V FSC 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 다이오드 유형: Standard - Single 전압-피크 역방향 (최대): 15V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 16pF @ 2V, 1MHz 저항 @ If, F: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 125°C (TJ) 패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: fSC	재고 있음7,689

HSMS-286Y-BLKG

Broadcom

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V SOD323

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - Single
전압-피크 역방향 (최대): 4V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
공급자 장치 패키지: SOD-323

재고 있음1,341

HSMS-286Y-TR1G

Broadcom

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V SOD323

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - Single
전압-피크 역방향 (최대): 4V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
공급자 장치 패키지: SOD-323

재고 있음2,808

HSMS-8101-BLKG

Broadcom

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - Single
전압-피크 역방향 (최대): 4V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대): 75mW
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음9

HSMS-8101-TR1

Broadcom

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - Single
전압-피크 역방향 (최대): 4V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대): 75mW
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,078

HSMS-8101-TR1G

Broadcom

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - Single
전압-피크 역방향 (최대): 4V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대): 75mW
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,058

HSMS-8101-TR2G

Broadcom

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - Single
전압-피크 역방향 (최대): 4V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대): 75mW
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,454

HSMS-8202-BLKG

Broadcom

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대): 4V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대): 75mW
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,976

HSMS-8202-TR1

Broadcom

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대): 4V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대): 75mW
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음441

HSMS-8202-TR1G

Broadcom

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대): 4V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대): 75mW
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음570,578

HSMS-8202-TR2G

Broadcom

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대): 4V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대): 75mW
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,834

HSMS-8207-BLKG

Broadcom

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - 2 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대): 4V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대): 75mW
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143-4

재고 있음2,250

HSMS-8207-TR1G

Broadcom

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - 2 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대): 4V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대): 75mW
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143-4

재고 있음2,988

HSMS-8207-TR2G

Broadcom

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - 2 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대): 4V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대): 75mW
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143-4

재고 있음6,534

HSMS-8209-BLKG

Broadcom

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - Cross Over
전압-피크 역방향 (최대): 4V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대): 75mW
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143-4

재고 있음7,326

HSMS-8209-TR1

Broadcom

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - Cross Over
전압-피크 역방향 (최대): 4V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대): 75mW
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143-4

재고 있음2,484

HSMS-8209-TR1G

Broadcom

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - Cross Over
전압-피크 역방향 (최대): 4V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대): 75mW
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143-4

견적 요청

HSMS-8209-TR2G

Broadcom

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - Cross Over
전압-피크 역방향 (최대): 4V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대): 75mW
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143-4

재고 있음3,078

HUM2015B

Microsemi

다이오드-RF

AXIAL DIODE 1500V 13W

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
다이오드 유형: -
전압-피크 역방향 (최대): -
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: -
저항 @ If, F: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,118

JDH2S01FSTPL3

Toshiba Semiconductor and Storage

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V FSC

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - Single
전압-피크 역방향 (최대): 4V
현재-최대: 25mA
커패시턴스 @ Vr, F: 0.6pF @ 0.2V, 1MHz
저항 @ If, F: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 125°C (TJ)
패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: fSC

재고 있음2,340

JDH2S02FSTPL3

Toshiba Semiconductor and Storage

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 10V FSC

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - Single
전압-피크 역방향 (최대): 10V
현재-최대: 10mA
커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 0.2V, 1MHz
저항 @ If, F: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 125°C (TJ)
패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: fSC

재고 있음3,708

JDH3D01STE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky
전압-피크 역방향 (최대): 4V
현재-최대: 25mA
커패시턴스 @ Vr, F: 0.6pF @ 0.2V, 1MHz
저항 @ If, F: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 125°C (TJ)
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SSM

재고 있음2,808

JDP2S02ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

다이오드-RF

RF DIODE PIN 30V CST2

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
다이오드 유형: PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대): 30V
현재-최대: 50mA
커패시턴스 @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
저항 @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: SOD-882
공급자 장치 패키지: CST2

재고 있음2,040,946

JDP2S02AFS(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

다이오드-RF

RF DIODE PIN 30V FSC

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
다이오드 유형: PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대): 30V
현재-최대: 50mA
커패시턴스 @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
저항 @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: fSC

재고 있음32,793

JDP2S08SC(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

다이오드-RF

RF DIODE PIN 30V SC2

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
다이오드 유형: PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대): 30V
현재-최대: 50mA
커패시턴스 @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
저항 @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: 2-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: SC2

재고 있음10,197

JDP2S12CR(TE85L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

다이오드-RF

RF DIODE PIN 180V S-FLAT

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
다이오드 유형: PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대): 180V
현재-최대: 1A
커패시턴스 @ Vr, F: 1.3pF @ 40V, 1MHz
저항 @ If, F: 700mOhm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 175°C (TJ)
패키지 / 케이스: SOD-123F
공급자 장치 패키지: S-FLAT (1.6x3.5)

재고 있음78,529

JDP4P02AT(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

다이오드-RF

RF DIODE PIN 30V CST4

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
다이오드 유형: PIN - 2 Independent
전압-피크 역방향 (최대): 30V
현재-최대: 50mA
커패시턴스 @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
저항 @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: CST4 (1.2x0.8)

재고 있음7,758

JDV2S07FSTPL3

Toshiba Semiconductor and Storage

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 10V FSC

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
다이오드 유형: Standard - Single
전압-피크 역방향 (최대): 10V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 4.9pF @ 1V, 1MHz
저항 @ If, F: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: fSC

재고 있음7,947

JDV2S09FSTPL3

Toshiba Semiconductor and Storage

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 10V FSC

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
다이오드 유형: Standard - Single
전압-피크 역방향 (최대): 10V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 11.1pF @ 1V, 1MHz
저항 @ If, F: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: fSC

재고 있음16,919

JDV2S10FS(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 10V FSC

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
다이오드 유형: Standard - Single
전압-피크 역방향 (최대): 10V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 3.4pF @ 2.5V, 1MHz
저항 @ If, F: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: fSC

재고 있음20,853

JDV2S41FS(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 15V FSC

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
다이오드 유형: Standard - Single
전압-피크 역방향 (최대): 15V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 16pF @ 2V, 1MHz
저항 @ If, F: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 125°C (TJ)
패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: fSC

재고 있음7,689

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