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메모리 IC

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부품 번호
설명
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W29N01HVSINA
W29N01HVSINA

Winbond Electronics

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND (SLC)
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP
재고 있음5,237
W29N01HVSINF
W29N01HVSINF

Winbond Electronics

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND (SLC)
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP
재고 있음37
W29N02GVBIAA
W29N02GVBIAA

Winbond Electronics

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 63FBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND (SLC)
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-FBGA (9x11.5)
재고 있음748
W29N02GVBIAF
W29N02GVBIAF

Winbond Electronics

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IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND (SLC)
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음6,984
W29N02GVSIAA
W29N02GVSIAA

Winbond Electronics

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND (SLC)
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP
재고 있음2,916
W29N02GVSIAF
W29N02GVSIAF

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IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND (SLC)
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP
재고 있음8,676
W29N02GWBIBA
W29N02GWBIBA

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IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND (SLC)
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음3,834
W29N02GZBIBA
W29N02GZBIBA

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IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND (SLC)
  • 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음3,436
W29N04GVBIAA
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IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND (SLC)
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음8,154
W29N04GVBIAF
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Winbond Electronics

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IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND (SLC)
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음2,556
W29N04GVSIAA
W29N04GVSIAA

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기억

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND (SLC)
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP
재고 있음3,564
W29N04GVSIAF
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Winbond Electronics

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND (SLC)
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP
재고 있음3,852
W29N04GWBIBA
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Winbond Electronics

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND (SLC)
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음3,492
W29N04GZBIBA
W29N04GZBIBA

Winbond Electronics

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND (SLC)
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음7,236
W39V040FAPZ
W39V040FAPZ

Winbond Electronics

기억

IC FLASH 4M PARALLEL 32PLCC

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 300ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.43x13.97)
재고 있음4,032
W631GG6KB-11
W631GG6KB-11

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)
재고 있음6,156
W631GG6KB11I
W631GG6KB11I

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 96BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)
재고 있음5,670
W631GG6KB11I TR
W631GG6KB11I TR

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 96BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)
재고 있음4,194
W631GG6KB-11 TR
W631GG6KB-11 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)
재고 있음3,996
W631GG6KB-12
W631GG6KB-12

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)
재고 있음183,594
W631GG6KB12I
W631GG6KB12I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)
재고 있음6,624
W631GG6KB12I TR
W631GG6KB12I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)
재고 있음7,038
W631GG6KB12J
W631GG6KB12J

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 96BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)
재고 있음3,042
W631GG6KB-12 TR
W631GG6KB-12 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)
재고 있음8,892
W631GG6KB-15
W631GG6KB-15

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 667MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)
재고 있음4,611
W631GG6KB15I
W631GG6KB15I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 667MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)
재고 있음7,218
W631GG6KB15I TR
W631GG6KB15I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 667MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)
재고 있음4,608
W631GG6KB15J
W631GG6KB15J

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IC SDRAM 1GBIT 96BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 667MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)
재고 있음6,084
W631GG6KB-15 TR
W631GG6KB-15 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 667MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)
재고 있음7,128
W631GG6KS-12
W631GG6KS-12

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 96BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,312