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메모리 IC

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설명
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W631GG6KS12I
W631GG6KS12I

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 96BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
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  • 패키지 / 케이스: -
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재고 있음8,478
W631GG6KS-12 TR
W631GG6KS-12 TR

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 96BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: -
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  • 기술: -
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재고 있음3,222
W631GG6KS15I
W631GG6KS15I

Winbond Electronics

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IC SDRAM 1GBIT 96BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
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  • 메모리 포맷: -
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재고 있음3,222
W631GG6MB-11
W631GG6MB-11

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)
재고 있음8,052
W631GG6MB11I
W631GG6MB11I

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IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)
재고 있음5,076
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IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
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재고 있음8,874
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IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
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재고 있음22,374
W631GG6MB-12
W631GG6MB-12

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IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
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재고 있음17
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IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
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  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
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재고 있음3,562
W631GG6MB12I TR
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IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
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재고 있음2,214
W631GG6MB12J
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IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
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W631GG6MB-12 TR
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Winbond Electronics

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IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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재고 있음4,770
W631GG6MB-15
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IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
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재고 있음6,696
W631GG6MB15I
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IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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재고 있음13,770
W631GG6MB15I TR
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IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
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재고 있음3,474
W631GG6MB15J
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IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 667MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
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  • 장착 유형: Surface Mount
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재고 있음2,142
W631GG6MB-15 TR
W631GG6MB-15 TR

Winbond Electronics

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IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 667MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)
재고 있음8,640
W631GG8KB-11
W631GG8KB-11

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)
재고 있음3,438
W631GG8KB-11 TR
W631GG8KB-11 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)
재고 있음5,976
W631GG8KB-12
W631GG8KB-12

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)
재고 있음6,300
W631GG8KB12I
W631GG8KB12I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)
재고 있음4,950
W631GG8KB12I TR
W631GG8KB12I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)
재고 있음8,046
W631GG8KB-12 TR
W631GG8KB-12 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)
재고 있음4,644
W631GG8KB-15
W631GG8KB-15

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기억

IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 667MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)
재고 있음6,084
W631GG8KB15I
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IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 667MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)
재고 있음8,982
W631GG8KB15I TR
W631GG8KB15I TR

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IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 667MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)
재고 있음7,776
W631GG8KB-15 TR
W631GG8KB-15 TR

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IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 667MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)
재고 있음3,996
W631GG8MB-11
W631GG8MB-11

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IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)
재고 있음5,148
W631GG8MB-11 TR
W631GG8MB-11 TR

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)
재고 있음6,264
W631GG8MB-12
W631GG8MB-12

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)
재고 있음8,256