메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
W631GU6MB12J Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음6,552
W631GU6MB-12 TR Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음3,078
W631GU6MB-15 Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음8,118
W631GU6MB15I Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음3,096
W631GU6MB15I TR Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음7,092
W631GU6MB-15 TR Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-VFBGA 공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)	재고 있음5,598
W631GU8KB11I Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 1GBIT 78BGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,618
W631GU8KB-12 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)	재고 있음3,042
W631GU8KB12I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)	재고 있음4,158
W631GU8KB12I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)	재고 있음5,994
W631GU8KB-12 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)	재고 있음6,462
W631GU8KB-15 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)	재고 있음6,696
W631GU8KB15I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)	재고 있음4,698
W631GU8KB15I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)	재고 있음7,830
W631GU8KB-15 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)	재고 있음7,470
W631GU8MB11I Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)	재고 있음8,676
W631GU8MB11I TR Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)	재고 있음3,564
W631GU8MB-12 Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)	재고 있음3,580
W631GU8MB12I Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)	재고 있음7,344
W631GU8MB12I TR Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)	재고 있음8,082
W631GU8MB-12 TR Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)	재고 있음3,960
W631GU8MB-15 Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)	재고 있음3,222
W631GU8MB15I Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)	재고 있음2,376
W631GU8MB15I TR Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)	재고 있음2,106
W631GU8MB-15 TR Winbond Electronics	기억 IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)	재고 있음3,526
W632GG6AB-12 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,642
W632GG6AB-15 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,462
W632GG6KB-09 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1066MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음3,454
W632GG6KB-11 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음4,590
W632GG6KB11I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)	재고 있음5,094

W631GU6MB12J

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음6,552

W631GU6MB-12 TR

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음3,078

W631GU6MB-15

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음8,118

W631GU6MB15I

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음3,096

W631GU6MB15I TR

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음7,092

W631GU6MB-15 TR

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-VFBGA
공급자 장치 패키지: 96-VFBGA (7.5x13)

재고 있음5,598

W631GU8KB11I

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 78BGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,618

W631GU8KB-12

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)

재고 있음3,042

W631GU8KB12I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)

재고 있음4,158

W631GU8KB12I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)

재고 있음5,994

W631GU8KB-12 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)

재고 있음6,462

W631GU8KB-15

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)

재고 있음6,696

W631GU8KB15I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)

재고 있음4,698

W631GU8KB15I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)

재고 있음7,830

W631GU8KB-15 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-WBGA (10.5x8)

재고 있음7,470

W631GU8MB11I

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)

재고 있음8,676

W631GU8MB11I TR

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)

재고 있음3,564

W631GU8MB-12

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)

재고 있음3,580

W631GU8MB12I

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)

재고 있음7,344

W631GU8MB12I TR

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)

재고 있음8,082

W631GU8MB-12 TR

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)

재고 있음3,960

W631GU8MB-15

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)

재고 있음3,222

W631GU8MB15I

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)

재고 있음2,376

W631GU8MB15I TR

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)

재고 있음2,106

W631GU8MB-15 TR

Winbond Electronics

기억

IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-VFBGA (10.5x8)

재고 있음3,526

W632GG6AB-12

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,642

W632GG6AB-15

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,462

W632GG6KB-09

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1066MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음3,454

W632GG6KB-11

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음4,590

W632GG6KB11I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-WBGA (9x13)

재고 있음5,094

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