트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
RGTV00TK65GVC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A 전력-최대: 94W 에너지 전환: 1.17mJ (on), 940µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 104nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 41ns/142ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음10,524
RGTV00TS65DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 95A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A 전력-최대: 276W 에너지 전환: 1.17mJ (on), 940µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 104nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 41ns/142ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 102ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음9,672
RGTV00TS65GC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 95A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A 전력-최대: 276W 에너지 전환: 1.17mJ (on), 940µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 104nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 41ns/142ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음9,648
RGTV60TK65DGVC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 33A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전력-최대: 76W 에너지 전환: 570µJ (on), 500µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 64nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/105ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 95ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음7,860
RGTV60TK65GVC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 33A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전력-최대: 76W 에너지 전환: 570µJ (on), 500µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 64nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/105ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음11,352
RGTV60TS65DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전력-최대: 194W 에너지 전환: 570µJ (on), 500µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 64nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/105ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 95ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음10,632
RGTV60TS65GC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전력-최대: 194W 에너지 전환: 570µJ (on), 500µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 64nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/105ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음7,992
RGTVX6TS65DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 144A 전류-수집기 펄스 (Icm): 320A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A 전력-최대: 404W 에너지 전환: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 171nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 45ns/201ns 테스트 조건: 400V, 80A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 109ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음2,808
RGTVX6TS65GC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 144A 전류-수집기 펄스 (Icm): 320A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A 전력-최대: 404W 에너지 전환: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 171nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 45ns/201ns 테스트 조건: 400V, 80A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음8,088
RGW00TK65DGVC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A 전력-최대: 89W 에너지 전환: 1.18mJ (on), 960µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 141nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 52ns/180ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 95ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음11,112
RGW00TK65GVC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A 전력-최대: 89W 에너지 전환: 1.18mJ (on), 960µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 141nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 52ns/180ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음8,268
RGW00TS65DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 96A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A 전력-최대: 254W 에너지 전환: 1.18mJ (on), 960µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 141nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 52ns/180ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 95ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음9,132
RGW00TS65GC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 96A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A 전력-최대: 254W 에너지 전환: 1.18mJ (on), 960µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 141nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 52ns/180ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음10,596
RGW60TK65DGVC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 33A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전력-최대: 72W 에너지 전환: 480µJ (on), 490µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 84nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 37ns/114ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 92ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음10,188
RGW60TK65GVC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 33A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전력-최대: 72W 에너지 전환: 480µJ (on), 490µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 84nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 37ns/114ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음7,980
RGW60TS65DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전력-최대: 178W 에너지 전환: 480µJ (on), 490µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 84nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 37ns/114ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 92ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음10,968
RGW60TS65GC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전력-최대: 178W 에너지 전환: 480µJ (on), 490µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 84nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 37ns/114ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음9,252
RGW80TK65DGVC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 39A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A 전력-최대: 81W 에너지 전환: 760µJ (on), 720µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 110nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/143ns 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 92ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음9,792
RGW80TK65GVC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 39A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A 전력-최대: 81W 에너지 전환: 760µJ (on), 720µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 110nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/143ns 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음10,332
RGW80TS65DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 78A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A 전력-최대: 214W 에너지 전환: 760µJ (on), 720µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 110nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/143ns 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 92ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음8,412
RGW80TS65GC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 78A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A 전력-최대: 214W 에너지 전환: 760µJ (on), 720µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 110nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/143ns 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음10,824
RJH1BF6RDPQ-80#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1100V 55A 227.2W TO247 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1100V 전류-수집기 (Ic) (최대): 55A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 55A 전력-최대: 227.2W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음4,878
RJH1BF7RDPQ-80#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1100V 60A 250W TO247 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1100V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 60A 전력-최대: 250W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음6,150
RJH1BG7RDPK-00#T0 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1100V 60A 250W TO247 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,064
RJH1CF4RDPQ-80#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 40A 156.2W TO247 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A 전력-최대: 156.2W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음5,994
RJH1CF5RDPQ-80#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 50A 192.3W TO247 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A 전력-최대: 192.3W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음7,044
RJH1CF6RDPQ-80#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 55A 227.2W TO247 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 55A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A 전력-최대: 227.2W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음5,256
RJH1CF7RDPQ-80#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 60A 250W TO247 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A 전력-최대: 250W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음4,140
RJH1CM5DPQ-E0#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 30A 245W TO247 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A 전력-최대: 245W 에너지 전환: 1.6mJ (on), 700µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 74nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/100ns 테스트 조건: 600V, 15A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 200ns 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음6,192
RJH1CV5DPK-00#T0 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 50A 245W TO-3P 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A 전력-최대: 245W 에너지 전환: 1.9mJ (on), 1.5mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 72nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 42ns/105ns 테스트 조건: 600V, 25A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 170ns 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음3,672

RGTV00TK65GVC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
전력-최대: 94W
에너지 전환: 1.17mJ (on), 940µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 104nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 41ns/142ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음10,524

RGTV00TS65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 95A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
전력-최대: 276W
에너지 전환: 1.17mJ (on), 940µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 104nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 41ns/142ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 102ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음9,672

RGTV00TS65GC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 95A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
전력-최대: 276W
에너지 전환: 1.17mJ (on), 940µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 104nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 41ns/142ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음9,648

RGTV60TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 33A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전력-최대: 76W
에너지 전환: 570µJ (on), 500µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 64nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/105ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 95ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음7,860

RGTV60TK65GVC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 33A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전력-최대: 76W
에너지 전환: 570µJ (on), 500µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 64nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/105ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음11,352

RGTV60TS65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전력-최대: 194W
에너지 전환: 570µJ (on), 500µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 64nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/105ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 95ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음10,632

RGTV60TS65GC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전력-최대: 194W
에너지 전환: 570µJ (on), 500µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 64nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/105ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음7,992

RGTVX6TS65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 144A
전류-수집기 펄스 (Icm): 320A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
전력-최대: 404W
에너지 전환: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 171nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 45ns/201ns
테스트 조건: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 109ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음2,808

RGTVX6TS65GC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 144A
전류-수집기 펄스 (Icm): 320A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
전력-최대: 404W
에너지 전환: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 171nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 45ns/201ns
테스트 조건: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음8,088

RGW00TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
전력-최대: 89W
에너지 전환: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 141nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 52ns/180ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 95ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음11,112

RGW00TK65GVC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
전력-최대: 89W
에너지 전환: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 141nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 52ns/180ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음8,268

RGW00TS65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 96A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
전력-최대: 254W
에너지 전환: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 141nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 52ns/180ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 95ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음9,132

RGW00TS65GC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 96A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
전력-최대: 254W
에너지 전환: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 141nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 52ns/180ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음10,596

RGW60TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 33A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전력-최대: 72W
에너지 전환: 480µJ (on), 490µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 84nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 37ns/114ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 92ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음10,188

RGW60TK65GVC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 33A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전력-최대: 72W
에너지 전환: 480µJ (on), 490µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 84nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 37ns/114ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음7,980

RGW60TS65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전력-최대: 178W
에너지 전환: 480µJ (on), 490µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 84nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 37ns/114ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 92ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음10,968

RGW60TS65GC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전력-최대: 178W
에너지 전환: 480µJ (on), 490µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 84nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 37ns/114ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음9,252

RGW80TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 39A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
전력-최대: 81W
에너지 전환: 760µJ (on), 720µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 110nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/143ns
테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 92ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음9,792

RGW80TK65GVC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 39A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
전력-최대: 81W
에너지 전환: 760µJ (on), 720µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 110nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/143ns
테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음10,332

RGW80TS65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 78A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
전력-최대: 214W
에너지 전환: 760µJ (on), 720µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 110nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/143ns
테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 92ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음8,412

RGW80TS65GC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 78A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
전력-최대: 214W
에너지 전환: 760µJ (on), 720µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 110nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/143ns
테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음10,824

RJH1BF6RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1100V 55A 227.2W TO247

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1100V
전류-수집기 (Ic) (최대): 55A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 55A
전력-최대: 227.2W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음4,878

RJH1BF7RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1100V 60A 250W TO247

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1100V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 60A
전력-최대: 250W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음6,150

RJH1BG7RDPK-00#T0

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1100V 60A 250W TO247

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,064

RJH1CF4RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 40A 156.2W TO247

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
전력-최대: 156.2W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음5,994

RJH1CF5RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 50A 192.3W TO247

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
전력-최대: 192.3W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음7,044

RJH1CF6RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 55A 227.2W TO247

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 55A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
전력-최대: 227.2W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음5,256

RJH1CF7RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 60A 250W TO247

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
전력-최대: 250W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음4,140

RJH1CM5DPQ-E0#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 30A 245W TO247

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A
전력-최대: 245W
에너지 전환: 1.6mJ (on), 700µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 74nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/100ns
테스트 조건: 600V, 15A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 200ns
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음6,192

RJH1CV5DPK-00#T0

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 50A 245W TO-3P

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
전력-최대: 245W
에너지 전환: 1.9mJ (on), 1.5mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 72nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 42ns/105ns
테스트 조건: 600V, 25A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 170ns
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음3,672

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