트랜지스터

RGPR30BM40HRTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

400V 30A IGNITION IGBT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• IGBT 유형: -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 430V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): -
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A
• 전력-최대: 125W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 22nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 500ns/4µs
• 테스트 조건: 300V, 8A, 100Ohm, 5V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 공급자 장치 패키지: TO-252

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RGPR30NS40HRTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

400V 30A IGNITION IGBT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• IGBT 유형: -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 430V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): -
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A
• 전력-최대: 125W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 22nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 500ns/4µs
• 테스트 조건: 300V, 8A, 100Ohm, 5V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 공급자 장치 패키지: LPDS

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RGPZ10BM40FHTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• IGBT 유형: -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 460V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): -
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A
• 전력-최대: 107W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 14nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 500ns/4µs
• 테스트 조건: 300V, 8A, 100Ohm, 5V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 공급자 장치 패키지: TO-252

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RGS00TS65DHRC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

ROHM'S IGBT PRODUCTS WILL CONTRI

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 88A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
• 전력-최대: 326W
• 에너지 전환: 1.46mJ (on), 1.29mJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 58nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 36ns/115ns
• 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 103ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247N

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RGS00TS65HRC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT.

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 88A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
• 전력-최대: 326W
• 에너지 전환: 1.46mJ (on), 1.29mJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 58nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 36ns/115ns
• 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247N

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RGS50TSX2DHRC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
• 전력-최대: 395W
• 에너지 전환: 1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 67nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 37ns/140ns
• 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 182ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247N

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RGS50TSX2HRC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
• 전력-최대: 395W
• 에너지 전환: 1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 67nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 37ns/140ns
• 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247N

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RGS60TS65DHRC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 56A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
• 전력-최대: 223W
• 에너지 전환: 660µJ (on), 810µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 36nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/104ns
• 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 103ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247N

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RGS60TS65HRC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 56A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
• 전력-최대: 223W
• 에너지 전환: 660µJ (on), 810µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 36nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/104ns
• 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247N

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RGS80TS65HRC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT.

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 73A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
• 전력-최대: 272W
• 에너지 전환: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 48nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 37ns/112ns
• 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247N

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RGS80TSX2DHRC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
• 전력-최대: 555W
• 에너지 전환: 3mJ (on), 3.1mJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 104nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 49ns/199ns
• 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 198ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247N

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RGS80TSX2HRC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
• 전력-최대: 555W
• 에너지 전환: 3mJ (on), 3.1mJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 104nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 49ns/199ns
• 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247N

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RGT00TS65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 85A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
• 전력-최대: 277W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 94nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 42ns/137ns
• 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 54ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247N

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RGT16BM65DTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 24A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
• 전력-최대: 94W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 21nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/33ns
• 테스트 조건: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 42ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 공급자 장치 패키지: TO-252

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RGT16NL65DGTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

FIELD STOP TRENCH IGBT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 24A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
• 전력-최대: 94W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 21nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/33ns
• 테스트 조건: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 42ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 공급자 장치 패키지: LPDS

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RGT16NS65DGC9

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 24A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
• 전력-최대: 94W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 21nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/33ns
• 테스트 조건: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 42ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
• 공급자 장치 패키지: TO-262

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RGT16NS65DGTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 16A 94W TO-263S

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 24A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
• 전력-최대: 94W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 21nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/33ns
• 테스트 조건: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 42ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 공급자 장치 패키지: LPDS (TO-263S)

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RGT16TM65DGC9

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

FIELD STOP TRENCH IGBT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 9A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 24A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
• 전력-최대: 22W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 21nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/33ns
• 테스트 조건: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 42ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
• 공급자 장치 패키지: TO-220NFM

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RGT30NL65DGTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

FIELD STOP TRENCH IGBT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
• 전력-최대: 133W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 32nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/64ns
• 테스트 조건: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 55ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 공급자 장치 패키지: LPDS

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RGT30NS65DGC9

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
• 전력-최대: 133W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 32nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/64ns
• 테스트 조건: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 55ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
• 공급자 장치 패키지: TO-262

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RGT30NS65DGTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 30A 133W TO-263S

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
• 전력-최대: 133W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 32nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/64ns
• 테스트 조건: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 55ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 공급자 장치 패키지: LPDS (TO-263S)

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RGT30TM65DGC9

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

FIELD STOP TRENCH IGBT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 14A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
• 전력-최대: 32W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 32nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/64ns
• 테스트 조건: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 55ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
• 공급자 장치 패키지: TO-220NFM

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RGT40NL65DGTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

FIELD STOP TRENCH IGBT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
• 전력-최대: 161W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 40nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/75ns
• 테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 58ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 공급자 장치 패키지: LPDS

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RGT40NS65DGC9

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
• 전력-최대: 161W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 40nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/75ns
• 테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 58ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
• 공급자 장치 패키지: TO-262

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RGT40NS65DGTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 40A 161W TO-263S

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
• 전력-최대: 161W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 40nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/75ns
• 테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 58ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 공급자 장치 패키지: LPDS (TO-263S)

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RGT40TM65DGC9

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

FIELD STOP TRENCH IGBT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 17A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
• 전력-최대: 39W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 40nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/75ns
• 테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 58ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
• 공급자 장치 패키지: TO-220NFM

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RGT40TS65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 40A 144W TO-247N

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
• 전력-최대: 144W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 40nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/75ns
• 테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 58ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247N

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RGT50NL65DGTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

FIELD STOP TRENCH IGBT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 48A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
• 전력-최대: 194W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 49nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/88ns
• 테스트 조건: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 58ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 공급자 장치 패키지: LPDS

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RGT50NS65DGC9

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 48A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
• 전력-최대: 194W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 49nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/88ns
• 테스트 조건: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 58ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
• 공급자 장치 패키지: TO-262

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RGT50NS65DGTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 48A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
• 전력-최대: 194W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 49nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/88ns
• 테스트 조건: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 58ns
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 공급자 장치 패키지: LPDS

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