트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
RGT50TM65DGC9 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 21A 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A 전력-최대: 47W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 49nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/88ns 테스트 조건: 400V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 58ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NFM	재고 있음19,236
RGT50TS65DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 48A 174W TO-247N 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 48A 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A 전력-최대: 174W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 49nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/88ns 테스트 조건: 400V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 58ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음8,052
RGT60TS65DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 55A 194W TO-247N 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 55A 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A 전력-최대: 194W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 58nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 29ns/100ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 58ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음6,048
RGT80TS65DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 70A 234W TO-247N 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A 전력-최대: 234W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 79nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 34ns/119ns 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 58ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음8,376
RGT8BM65DTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 8A 62W TO-252 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전류-수집기 펄스 (Icm): 12A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A 전력-최대: 62W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 13.5nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/69ns 테스트 조건: 400V, 4A, 50Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 40ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252	재고 있음8,658
RGT8NL65DGTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전류-수집기 펄스 (Icm): 12A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A 전력-최대: 65W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 13.5nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/69ns 테스트 조건: 400V, 4A, 50Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 40ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: LPDS	재고 있음20,160
RGT8NS65DGC9 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전류-수집기 펄스 (Icm): 12A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A 전력-최대: 65W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 13.5nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/69ns 테스트 조건: 400V, 4A, 50Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 40ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 공급자 장치 패키지: TO-262	재고 있음13,104
RGT8NS65DGTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 8A 65W TO-263S 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전류-수집기 펄스 (Icm): 12A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A 전력-최대: 65W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 13.5nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/69ns 테스트 조건: 400V, 4A, 50Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 40ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: LPDS (TO-263S)	재고 있음8,640
RGT8TM65DGC9 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전류-수집기 펄스 (Icm): 12A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A 전력-최대: 16W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 13.5nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/69ns 테스트 조건: 400V, 4A, 50Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 40ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NFM	재고 있음8,766
RGTH00TK65DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전력-최대: 72W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 94nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 39ns/143ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 225ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음6,606
RGTH00TK65GC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전력-최대: 72W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 94nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 39ns/143ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음9,012
RGTH00TS65DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 85A 277W TO-247N 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 85A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전력-최대: 277W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 94nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 39ns/143ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 54ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음5,400
RGTH00TS65GC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 85A 277W TO-247N 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 85A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전력-최대: 277W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 94nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 39ns/143ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음8,928
RGTH40TK65DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 23A 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A 전력-최대: 56W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 40nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/73ns 테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 58ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음10,344
RGTH40TK65GC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 23A 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A 전력-최대: 56W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 40nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/73ns 테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음8,052
RGTH40TS65DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 40A 144W TO-247N 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A 전력-최대: 144W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 40nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/73ns 테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 58ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음5,004
RGTH40TS65GC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 40A 144W TO-247N 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A 전력-최대: 144W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 40nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/73ns 테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음8,568
RGTH50TK65DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 26A 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A 전력-최대: 59W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 49nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/94ns 테스트 조건: 400V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 58ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음8,376
RGTH50TK65GC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 26A 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A 전력-최대: 59W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 49nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/94ns 테스트 조건: 400V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음10,704
RGTH50TS65DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 50A 174W TO-247N 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A 전력-최대: 174W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 49nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/94ns 테스트 조건: 400V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 58ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음8,556
RGTH50TS65GC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 50A 174W TO-247N 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A 전력-최대: 174W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 49nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/94ns 테스트 조건: 400V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음8,028
RGTH60TK65DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 28A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A 전력-최대: 61W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 58nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/105ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 58ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음8,244
RGTH60TK65GC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 28A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A 전력-최대: 61W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 58nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/105ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음8,664
RGTH60TS65DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 58A 194W TO-247N 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 58A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A 전력-최대: 194W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 58nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/105ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 58ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음4,500
RGTH60TS65GC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 58A 197W TO-247N 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 58A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A 전력-최대: 197W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 58nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/105ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음6,084
RGTH80TK65DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 31A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A 전력-최대: 66W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 79nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 34ns/120ns 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 58ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음9,792
RGTH80TK65GC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 31A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A 전력-최대: 66W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 79nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 34ns/120ns 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음10,416
RGTH80TS65DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 70A 234W TO-247N 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A 전력-최대: 234W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 79nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 34ns/120ns 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 58ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음3,924
RGTH80TS65GC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A 전력-최대: 234W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 79nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 34ns/120ns 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음6,744
RGTV00TK65DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A 전력-최대: 94W 에너지 전환: 1.17mJ (on), 940µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 104nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 41ns/142ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 102ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음9,804

RGT50TM65DGC9

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 21A
전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
전력-최대: 47W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 49nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/88ns
테스트 조건: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 58ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NFM

재고 있음19,236

RGT50TS65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 48A 174W TO-247N

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 48A
전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
전력-최대: 174W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 49nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/88ns
테스트 조건: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 58ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음8,052

RGT60TS65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 55A 194W TO-247N

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 55A
전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
전력-최대: 194W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 58nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 29ns/100ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 58ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음6,048

RGT80TS65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 70A 234W TO-247N

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
전력-최대: 234W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 79nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 34ns/119ns
테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 58ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음8,376

RGT8BM65DTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 8A 62W TO-252

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전류-수집기 펄스 (Icm): 12A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
전력-최대: 62W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 13.5nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/69ns
테스트 조건: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 40ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252

재고 있음8,658

RGT8NL65DGTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전류-수집기 펄스 (Icm): 12A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
전력-최대: 65W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 13.5nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/69ns
테스트 조건: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 40ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: LPDS

재고 있음20,160

RGT8NS65DGC9

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전류-수집기 펄스 (Icm): 12A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
전력-최대: 65W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 13.5nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/69ns
테스트 조건: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 40ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
공급자 장치 패키지: TO-262

재고 있음13,104

RGT8NS65DGTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 8A 65W TO-263S

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전류-수집기 펄스 (Icm): 12A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
전력-최대: 65W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 13.5nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/69ns
테스트 조건: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 40ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: LPDS (TO-263S)

재고 있음8,640

RGT8TM65DGC9

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전류-수집기 펄스 (Icm): 12A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
전력-최대: 16W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 13.5nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/69ns
테스트 조건: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 40ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NFM

재고 있음8,766

RGTH00TK65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전력-최대: 72W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 94nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 39ns/143ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 225ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음6,606

RGTH00TK65GC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전력-최대: 72W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 94nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 39ns/143ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음9,012

RGTH00TS65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 85A 277W TO-247N

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 85A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전력-최대: 277W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 94nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 39ns/143ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 54ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음5,400

RGTH00TS65GC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 85A 277W TO-247N

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 85A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전력-최대: 277W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 94nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 39ns/143ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음8,928

RGTH40TK65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 23A
전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
전력-최대: 56W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 40nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/73ns
테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 58ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음10,344

RGTH40TK65GC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 23A
전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
전력-최대: 56W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 40nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/73ns
테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음8,052

RGTH40TS65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 40A 144W TO-247N

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
전력-최대: 144W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 40nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/73ns
테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 58ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음5,004

RGTH40TS65GC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 40A 144W TO-247N

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
전력-최대: 144W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 40nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/73ns
테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음8,568

RGTH50TK65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 26A
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
전력-최대: 59W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 49nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/94ns
테스트 조건: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 58ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음8,376

RGTH50TK65GC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 26A
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
전력-최대: 59W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 49nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/94ns
테스트 조건: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음10,704

RGTH50TS65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 50A 174W TO-247N

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
전력-최대: 174W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 49nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/94ns
테스트 조건: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 58ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음8,556

RGTH50TS65GC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 50A 174W TO-247N

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
전력-최대: 174W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 49nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/94ns
테스트 조건: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음8,028

RGTH60TK65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 28A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
전력-최대: 61W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 58nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/105ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 58ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음8,244

RGTH60TK65GC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 28A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
전력-최대: 61W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 58nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/105ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음8,664

RGTH60TS65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 58A 194W TO-247N

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 58A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
전력-최대: 194W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 58nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/105ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 58ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음4,500

RGTH60TS65GC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 58A 197W TO-247N

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 58A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
전력-최대: 197W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 58nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/105ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음6,084

RGTH80TK65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 31A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
전력-최대: 66W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 79nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 34ns/120ns
테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 58ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음9,792

RGTH80TK65GC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 31A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
전력-최대: 66W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 79nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 34ns/120ns
테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음10,416

RGTH80TS65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 70A 234W TO-247N

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
전력-최대: 234W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 79nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 34ns/120ns
테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 58ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음3,924

RGTH80TS65GC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
전력-최대: 234W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 79nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 34ns/120ns
테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음6,744

RGTV00TK65DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
전력-최대: 94W
에너지 전환: 1.17mJ (on), 940µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 104nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 41ns/142ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 102ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음9,804

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