트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NGTD21T65F2SWK ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 45A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음5,688
NGTD21T65F2WP ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 45A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음2,646
NGTD23T120F2SWK ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음8,604
NGTD23T120F2WP ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음5,868
NGTD28T65F2SWK ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음3,672
NGTD28T65F2WP ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음6,696
NGTD30T120F2SWK ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음4,194
NGTD30T120F2WP ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음4,626
NGTG12N60TF1G ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 24A 54W TO-3PF 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 24A 전류-수집기 펄스 (Icm): 88A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 12A 전력-최대: 54W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 84nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 55ns/200ns 테스트 조건: 300V, 15A, 30Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,488
NGTG15N120FL2WG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 15A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A 전력-최대: 294W 에너지 전환: 1.2mJ (on), 370µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 109nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 64ns/128ns 테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음3,816
NGTG15N60S1EG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 30A 117W TO220-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A 전력-최대: 117W 에너지 전환: 550µJ (on), 350µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 88nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 65ns/170ns 테스트 조건: 400V, 15A, 22Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음19,746
NGTG20N60L2TF1G ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 64W TO-3PF 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 105A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A 전력-최대: 64W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 84nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 60ns/193ns 테스트 조건: 300V, 20A, 30Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,404
NGTG25N120FL2WG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 25A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A 전력-최대: 385W 에너지 전환: 1.95mJ (on), 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 178nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 87ns/179ns 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음5,544
NGTG30N60FLWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 60A 250W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 700µJ (on), 280µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 170nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 83ns/170ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음3,528
NGTG30N60FWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 60A 167W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A 전력-최대: 167W 에너지 전환: 650µJ (on), 650µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 170nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 81ns/190ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음4,698
NGTG35N65FL2WG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 60A 167W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A 전력-최대: 300W 에너지 전환: 840µJ (on), 280µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 125nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 72ns/132ns 테스트 조건: 400V, 35A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음6,426
NGTG40N120FL2WG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 40A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A 전력-최대: 535W 에너지 전환: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 313nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 116ns/286ns 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음6,174
NGTG50N60FLWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 50A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A 전력-최대: 223W 에너지 전환: 1.1mJ (on), 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 310nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 116ns/292ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음3,564
NGTG50N60FWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 100A 223W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A 전력-최대: 223W 에너지 전환: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 310nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 117ns/285ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음7,056
RGC80TSX8RGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1800V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 40A 전력-최대: 535W 에너지 전환: 1.85mJ (on), 1.6mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 468nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 80ns/565ns 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음7,056
RGCL60TK60DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A 전력-최대: 54W 에너지 전환: 770µJ (on), 1.11mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 68nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/186ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 58ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음8,412
RGCL60TK60GC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A 전력-최대: 54W 에너지 전환: 770µJ (on), 1.11mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 68nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/186ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음8,298
RGCL60TS60DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 48A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A 전력-최대: 111W 에너지 전환: 770µJ (on), 1.11mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 68nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/186ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 58ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음8,928
RGCL60TS60GC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 48A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A 전력-최대: 111W 에너지 전환: 770µJ (on), 1.11mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 68nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/186ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음8,880
RGCL80TK60DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A 전력-최대: 57W 에너지 전환: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 98nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 53ns/227ns 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 58ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음8,592
RGCL80TK60GC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A 전력-최대: 57W 에너지 전환: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 98nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 53ns/227ns 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음9,552
RGCL80TS60DGC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A 전력-최대: 148W 에너지 전환: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 98nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 53ns/227ns 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 58ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음10,248
RGCL80TS60GC11 Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A 전력-최대: 148W 에너지 전환: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 98nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 53ns/227ns 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247N	재고 있음8,460
RGPR10BM40FHTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 460V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A 전력-최대: 107W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 14nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 500ns/4µs 테스트 조건: 300V, 8A, 100Ohm, 5V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 75°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252	재고 있음21,348
RGPR20NS43HRTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 430V 20A IGNITION IGBT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 460V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A 전력-최대: 107W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 14nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 500ns/4µs 테스트 조건: 300V, 8A, 100Ohm, 5V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: LPDS	재고 있음5,094

NGTD21T65F2SWK

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 45A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음5,688

NGTD21T65F2WP

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 45A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음2,646

NGTD23T120F2SWK

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음8,604

NGTD23T120F2WP

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음5,868

NGTD28T65F2SWK

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음3,672

NGTD28T65F2WP

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음6,696

NGTD30T120F2SWK

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음4,194

NGTD30T120F2WP

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음4,626

NGTG12N60TF1G

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 24A 54W TO-3PF

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 24A
전류-수집기 펄스 (Icm): 88A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 12A
전력-최대: 54W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 84nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 55ns/200ns
테스트 조건: 300V, 15A, 30Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,488

NGTG15N120FL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 15A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
전력-최대: 294W
에너지 전환: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 109nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 64ns/128ns
테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음3,816

NGTG15N60S1EG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 30A 117W TO220-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
전력-최대: 117W
에너지 전환: 550µJ (on), 350µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 88nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 65ns/170ns
테스트 조건: 400V, 15A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음19,746

NGTG20N60L2TF1G

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 64W TO-3PF

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 105A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
전력-최대: 64W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 84nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 60ns/193ns
테스트 조건: 300V, 20A, 30Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,404

NGTG25N120FL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 25A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
전력-최대: 385W
에너지 전환: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 178nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 87ns/179ns
테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음5,544

NGTG30N60FLWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 60A 250W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 700µJ (on), 280µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 170nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 83ns/170ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음3,528

NGTG30N60FWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 60A 167W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
전력-최대: 167W
에너지 전환: 650µJ (on), 650µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 170nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 81ns/190ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음4,698

NGTG35N65FL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 60A 167W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
전력-최대: 300W
에너지 전환: 840µJ (on), 280µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 125nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 72ns/132ns
테스트 조건: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음6,426

NGTG40N120FL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 40A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
전력-최대: 535W
에너지 전환: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 313nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 116ns/286ns
테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음6,174

NGTG50N60FLWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 50A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
전력-최대: 223W
에너지 전환: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 310nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 116ns/292ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음3,564

NGTG50N60FWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 100A 223W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
전력-최대: 223W
에너지 전환: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 310nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 117ns/285ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음7,056

RGC80TSX8RGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1800V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 40A
전력-최대: 535W
에너지 전환: 1.85mJ (on), 1.6mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 468nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 80ns/565ns
테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음7,056

RGCL60TK60DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
전력-최대: 54W
에너지 전환: 770µJ (on), 1.11mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 68nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/186ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 58ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음8,412

RGCL60TK60GC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
전력-최대: 54W
에너지 전환: 770µJ (on), 1.11mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 68nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/186ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음8,298

RGCL60TS60DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 48A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
전력-최대: 111W
에너지 전환: 770µJ (on), 1.11mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 68nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/186ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 58ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음8,928

RGCL60TS60GC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 48A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
전력-최대: 111W
에너지 전환: 770µJ (on), 1.11mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 68nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/186ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음8,880

RGCL80TK60DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
전력-최대: 57W
에너지 전환: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 98nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 53ns/227ns
테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 58ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음8,592

RGCL80TK60GC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
전력-최대: 57W
에너지 전환: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 98nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 53ns/227ns
테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음9,552

RGCL80TS60DGC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
전력-최대: 148W
에너지 전환: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 98nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 53ns/227ns
테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 58ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음10,248

RGCL80TS60GC11

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
전력-최대: 148W
에너지 전환: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 98nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 53ns/227ns
테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247N

재고 있음8,460

RGPR10BM40FHTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 460V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A
전력-최대: 107W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 14nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 500ns/4µs
테스트 조건: 300V, 8A, 100Ohm, 5V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 75°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252

재고 있음21,348

RGPR20NS43HRTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

430V 20A IGNITION IGBT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 460V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A
전력-최대: 107W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 14nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 500ns/4µs
테스트 조건: 300V, 8A, 100Ohm, 5V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: LPDS

재고 있음5,094

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