트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NGTB10N60R2DT4G ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 10A 600V DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전류-수집기 펄스 (Icm): 40A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A 전력-최대: 72W 에너지 전환: 412µJ (on), 140µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 53nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 48ns/120ns 테스트 조건: 300V, 10A, 30Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 90ns 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음3,562
NGTB15N120FL2WG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A 전력-최대: 294W 에너지 전환: 1.2mJ (on), 370µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 109nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 64ns/132ns 테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 110ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음4,827
NGTB15N120FLWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 15A TO247-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A 전력-최대: 156W 에너지 전환: 1.17mJ (on), 550µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 150nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 72ns/168ns 테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 166ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음6,816
NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 30A 156W TO247-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A 전력-최대: 156W 에너지 전환: 560µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 160nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/165ns 테스트 조건: 600V, 15A, 15Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음5,616
NGTB15N120IHRWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 15A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A 전력-최대: 333W 에너지 전환: 340µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 160nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/170ns 테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음8,838
NGTB15N120IHTG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 15A BIPOLAR TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,636
NGTB15N120IHWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 15A 1200V TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A 전력-최대: 278W 에너지 전환: 360µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 120nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/130ns 테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음7,902
NGTB15N120LWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 30A 156W TO247-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A 전력-최대: 229W 에너지 전환: 2.1mJ (on), 560µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 160nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 72ns/165ns 테스트 조건: 600V, 15A, 15Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음4,734
NGTB15N135IHRWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1350V 15A TO247-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1350V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 15A 전력-최대: 357W 에너지 전환: 420µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 156nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/170ns 테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음3,474
NGTB15N60EG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 30A 117W TO220-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 15A 전력-최대: 117W 에너지 전환: 900µJ (on), 300µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 80nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 78ns/130ns 테스트 조건: 400V, 15A, 22Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 270ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음6,318
NGTB15N60R2FG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 15A 600V TO220-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 24A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A 전력-최대: 54W 에너지 전환: 550µJ (on), 220µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 80nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 70ns/190ns 테스트 조건: 300V, 15A, 30Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 95ns 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F-3FS	재고 있음104,631
NGTB15N60S1EG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 30A 117W TO220-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A 전력-최대: 117W 에너지 전환: 550µJ (on), 350µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 88nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 65ns/170ns 테스트 조건: 400V, 15A, 22Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 270ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음7,488
NGTB20N120IHLWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 40A 192W TO247-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A 전력-최대: 192W 에너지 전환: 700µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 200nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/235ns 테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음2,322
NGTB20N120IHRWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 40A 384W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 20A 전력-최대: 384W 에너지 전환: 450µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 225nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/235ns 테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음12,207
NGTB20N120IHSWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 20A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A 전력-최대: 156W 에너지 전환: 650µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 155nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/160ns 테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음8,496
NGTB20N120IHTG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 20A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,780
NGTB20N120IHWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 20A 1200V TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A 전력-최대: 341W 에너지 전환: 480µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 150nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/170ns 테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음2,916
NGTB20N120LWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 40A 192W TO247-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A 전력-최대: 192W 에너지 전환: 3.1mJ (on), 700µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 200nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 86ns/235ns 테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음4,770
NGTB20N135IHRWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1350V 40A 394W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1350V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A 전력-최대: 394W 에너지 전환: 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 234nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/245ns 테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음428
NGTB20N60L2TF1G ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 20A TO3PF 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A 전력-최대: 64W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 84nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 60ns/193ns 테스트 조건: 300V, 20A, 30Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 70ns 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PF-3	재고 있음5,004
NGTB25N120FL2WAG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A 전력-최대: 385W 에너지 전환: 990µJ (on), 660µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 181nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/113ns 테스트 조건: 600V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 136ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-4 공급자 장치 패키지: TO-247-4L	재고 있음2,952
NGTB25N120FL2WG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 25A TO247-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A 전력-최대: 385W 에너지 전환: 1.95mJ (on), 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 178nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 87ns/179ns 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 154ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음7,440
NGTB25N120FL3WG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 100A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A 전력-최대: 349W 에너지 전환: 1mJ (on), 700µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 136nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/109ns 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 114ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음7,596
NGTB25N120FLWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 25A TO247-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A 전력-최대: 192W 에너지 전환: 1.5mJ (on), 950µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 220nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 91ns/228ns 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 240ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음5,045
NGTB25N120IHLWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 50A 192W TO247-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A 전력-최대: 192W 에너지 전환: 800µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 200nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/235ns 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음7,740
NGTB25N120LWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 50A 192W TO247-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A 전력-최대: 192W 에너지 전환: 3.4mJ (on), 800µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 200nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 89ns/235ns 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음5,580
NGTB25N120SWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 25A 1200V TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A 전력-최대: 385W 에너지 전환: 1.95mJ (on), 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 178nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 87ns/179ns 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 154ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음8,352
NGTB30N120FL2WG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 60A 452W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A 전력-최대: 452W 에너지 전환: 2.6mJ (on), 700µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 220nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 98ns/210ns 테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 240ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음8,334
NGTB30N120IHLWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 30A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 320A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A 전력-최대: 260W 에너지 전환: 1mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 420nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/360ns 테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음4,644
NGTB30N120IHRWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 60A 384W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A 전력-최대: 384W 에너지 전환: 700µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 225nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/230ns 테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음3,708

NGTB10N60R2DT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 10A 600V DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전류-수집기 펄스 (Icm): 40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
전력-최대: 72W
에너지 전환: 412µJ (on), 140µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 53nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 48ns/120ns
테스트 조건: 300V, 10A, 30Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 90ns
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음3,562

NGTB15N120FL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
전력-최대: 294W
에너지 전환: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 109nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 64ns/132ns
테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 110ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음4,827

NGTB15N120FLWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 15A TO247-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
전력-최대: 156W
에너지 전환: 1.17mJ (on), 550µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 150nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 72ns/168ns
테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 166ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음6,816

NGTB15N120IHLWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 30A 156W TO247-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
전력-최대: 156W
에너지 전환: 560µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 160nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/165ns
테스트 조건: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음5,616

NGTB15N120IHRWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 15A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
전력-최대: 333W
에너지 전환: 340µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 160nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/170ns
테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음8,838

NGTB15N120IHTG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 15A BIPOLAR TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,636

NGTB15N120IHWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 15A 1200V TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A
전력-최대: 278W
에너지 전환: 360µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/130ns
테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음7,902

NGTB15N120LWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 30A 156W TO247-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
전력-최대: 229W
에너지 전환: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 160nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 72ns/165ns
테스트 조건: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음4,734

NGTB15N135IHRWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1350V 15A TO247-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1350V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 15A
전력-최대: 357W
에너지 전환: 420µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 156nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/170ns
테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음3,474

NGTB15N60EG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 30A 117W TO220-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 15A
전력-최대: 117W
에너지 전환: 900µJ (on), 300µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 80nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 78ns/130ns
테스트 조건: 400V, 15A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 270ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음6,318

NGTB15N60R2FG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 15A 600V TO220-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 24A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
전력-최대: 54W
에너지 전환: 550µJ (on), 220µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 80nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 70ns/190ns
테스트 조건: 300V, 15A, 30Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 95ns
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F-3FS

재고 있음104,631

NGTB15N60S1EG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 30A 117W TO220-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
전력-최대: 117W
에너지 전환: 550µJ (on), 350µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 88nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 65ns/170ns
테스트 조건: 400V, 15A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 270ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음7,488

NGTB20N120IHLWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 40A 192W TO247-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
전력-최대: 192W
에너지 전환: 700µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 200nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/235ns
테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음2,322

NGTB20N120IHRWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 40A 384W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 20A
전력-최대: 384W
에너지 전환: 450µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 225nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/235ns
테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음12,207

NGTB20N120IHSWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 20A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
전력-최대: 156W
에너지 전환: 650µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 155nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/160ns
테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음8,496

NGTB20N120IHTG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 20A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,780

NGTB20N120IHWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 20A 1200V TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A
전력-최대: 341W
에너지 전환: 480µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 150nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/170ns
테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음2,916

NGTB20N120LWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 40A 192W TO247-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
전력-최대: 192W
에너지 전환: 3.1mJ (on), 700µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 200nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 86ns/235ns
테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음4,770

NGTB20N135IHRWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1350V 40A 394W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1350V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A
전력-최대: 394W
에너지 전환: 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 234nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/245ns
테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음428

NGTB20N60L2TF1G

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 20A TO3PF

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
전력-최대: 64W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 84nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 60ns/193ns
테스트 조건: 300V, 20A, 30Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 70ns
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PF-3

재고 있음5,004

NGTB25N120FL2WAG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
전력-최대: 385W
에너지 전환: 990µJ (on), 660µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 181nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/113ns
테스트 조건: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 136ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-4
공급자 장치 패키지: TO-247-4L

재고 있음2,952

NGTB25N120FL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 25A TO247-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
전력-최대: 385W
에너지 전환: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 178nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 87ns/179ns
테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 154ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음7,440

NGTB25N120FL3WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 100A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
전력-최대: 349W
에너지 전환: 1mJ (on), 700µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 136nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/109ns
테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 114ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음7,596

NGTB25N120FLWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 25A TO247-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
전력-최대: 192W
에너지 전환: 1.5mJ (on), 950µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 220nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 91ns/228ns
테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 240ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음5,045

NGTB25N120IHLWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 50A 192W TO247-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
전력-최대: 192W
에너지 전환: 800µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 200nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/235ns
테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음7,740

NGTB25N120LWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 50A 192W TO247-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
전력-최대: 192W
에너지 전환: 3.4mJ (on), 800µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 200nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 89ns/235ns
테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음5,580

NGTB25N120SWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 25A 1200V TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
전력-최대: 385W
에너지 전환: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 178nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 87ns/179ns
테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 154ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음8,352

NGTB30N120FL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 60A 452W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
전력-최대: 452W
에너지 전환: 2.6mJ (on), 700µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 220nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 98ns/210ns
테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 240ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음8,334

NGTB30N120IHLWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 30A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 320A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
전력-최대: 260W
에너지 전환: 1mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 420nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/360ns
테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음4,644

NGTB30N120IHRWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 60A 384W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
전력-최대: 384W
에너지 전환: 700µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 225nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/230ns
테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음3,708

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