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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
NGTB30N120IHSWG
NGTB30N120IHSWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 30A TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 192W
  • 에너지 전환: 1mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 220nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/210ns
  • 테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음5,382
NGTB30N120L2WG
NGTB30N120L2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 60A 534W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 534W
  • 에너지 전환: 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 310nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 116ns/285ns
  • 테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 450ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음6,384
NGTB30N120LWG
NGTB30N120LWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 30A TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 560W
  • 에너지 전환: 4.4mJ (on), 1mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 420nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 136ns/360ns
  • 테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음4,086
NGTB30N135IHR1WG
NGTB30N135IHR1WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1350V 30A TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1350V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 394W
  • 에너지 전환: 630µA (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 220nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/200ns
  • 테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음5,346
NGTB30N135IHRWG
NGTB30N135IHRWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1350V 60A 394W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1350V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 394W
  • 에너지 전환: 850µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 234nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/250ns
  • 테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음6,576
NGTB30N60FLWG
NGTB30N60FLWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 60A 250W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 250W
  • 에너지 전환: 700µJ (on), 280µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 170nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 83ns/170ns
  • 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 72ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음6,858
NGTB30N60FWG
NGTB30N60FWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 60A 167W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 167W
  • 에너지 전환: 650µJ (on), 650µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 170nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 81ns/190ns
  • 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 72ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음4,968
NGTB30N60IHLWG
NGTB30N60IHLWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 30A TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 250W
  • 에너지 전환: 280µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 130nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 70ns/140ns
  • 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 400ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음3,436
NGTB30N60L2WG
NGTB30N60L2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 30A TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 225W
  • 에너지 전환: 310µJ (on), 1.14mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 166nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 100ns/390ns
  • 테스트 조건: 300V, 30A, 30Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 70ns
  • 작동 온도: 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음6,504
NGTB30N60SWG
NGTB30N60SWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 60A 189W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 189W
  • 에너지 전환: 750µJ (on), 540µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 90nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 57ns/109ns
  • 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 200ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음2,880
NGTB30N65IHL2WG
NGTB30N65IHL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 70A 300W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 300W
  • 에너지 전환: 200µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 135nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/145ns
  • 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 430ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음2,862
NGTB35N60FL2WG
NGTB35N60FL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 70A 300W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
  • 전력-최대: 300W
  • 에너지 전환: 840µJ (on), 280µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 125nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 72ns/132ns
  • 테스트 조건: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 68ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음7,392
NGTB35N65FL2WG
NGTB35N65FL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 70A 300W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
  • 전력-최대: 300W
  • 에너지 전환: 840µJ (on), 280µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 125nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 72ns/132ns
  • 테스트 조건: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 68ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음8,910
NGTB40N120FL2WAG
NGTB40N120FL2WAG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT FIELD STOP 1200V TO247-4

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 536W
  • 에너지 전환: 1.7mJ (on), 1.1mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 313nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/145ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 240ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-4
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-4L
재고 있음7,104
NGTB40N120FL2WG
NGTB40N120FL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 80A 535W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 535W
  • 에너지 전환: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 313nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 116ns/286ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 240ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음45,446
NGTB40N120FL3WG
NGTB40N120FL3WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 160A TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 454W
  • 에너지 전환: 1.6mJ (on), 1.1mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 212nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/145ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 136ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음35,239
NGTB40N120FLWG
NGTB40N120FLWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 40A TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 260W
  • 에너지 전환: 2.6mJ (on), 1.6mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 415nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 130ns/385ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 200ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음7,146
NGTB40N120IHLWG
NGTB40N120IHLWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 40A TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 320A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 260W
  • 에너지 전환: 1.4mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 420nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/360ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음8,856
NGTB40N120IHRWG
NGTB40N120IHRWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 80A 384W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 384W
  • 에너지 전환: 950µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 225nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/230ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음7,200
NGTB40N120L3WG
NGTB40N120L3WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 160A TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 454W
  • 에너지 전환: 1.5mJ (on), 1.5mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 220nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/150ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 86ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음6,193
NGTB40N120LWG
NGTB40N120LWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 40A TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 320A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 260W
  • 에너지 전환: 5.5mJ (on), 1.4mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 420nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 140ns/360ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음8,334
NGTB40N120S3WG
NGTB40N120S3WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1.2KV 40A TO247-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 454W
  • 에너지 전환: 2.2mJ (on), 1.1mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 212nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/145ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 163ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음15,528
NGTB40N120SWG
NGTB40N120SWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 40A 1200V TO-247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 535W
  • 에너지 전환: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 313nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 116ns/286ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 240ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음2,617
NGTB40N135IHRWG
NGTB40N135IHRWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1350V 80A 394W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1350V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 394W
  • 에너지 전환: 1.3mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 234nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/250ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음6,156
NGTB40N60FL2WG
NGTB40N60FL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 80A 366W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 366W
  • 에너지 전환: 970µJ (on), 440µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 170nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 84ns/177ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 72ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음3,726
NGTB40N60FLWG
NGTB40N60FLWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 80A 257W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 257W
  • 에너지 전환: 890µJ (on), 440µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 171nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 85ns/174ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 77ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음4,486
NGTB40N60IHLWG
NGTB40N60IHLWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 250W
  • 에너지 전환: 400µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 130nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 70ns/140ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 400ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음6,786
NGTB40N60L2WG
NGTB40N60L2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 80A 417W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.61V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 417W
  • 에너지 전환: 1.17mJ (on), 280µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 228nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 98ns/213ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 73ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음6,966
NGTB40N65FL2WG
NGTB40N65FL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 80A 366W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 366W
  • 에너지 전환: 970µJ (on), 440µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 170nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 84ns/177ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 72ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음8,514
NGTB40N65IHL2WG
NGTB40N65IHL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 40A TO-247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 300W
  • 에너지 전환: 360µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 135nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/140ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 465ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음8,190