트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NGTB40N65IHRTG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V/40A RC IGBT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A 전력-최대: 405W 에너지 전환: 420µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 190nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음6,084
NGTB40N65IHRWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A 전력-최대: 405W 에너지 전환: 420µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 190nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음7,740
NGTB45N60S1WG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 45A 600V TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 90A 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A 전력-최대: 300W 에너지 전환: 1.25mJ (on), 530µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 125nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 72ns/132ns 테스트 조건: 400V, 45A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 70ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음3,816
NGTB45N60S2WG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 45A 600V TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 90A 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 45A 전력-최대: 300W 에너지 전환: 360µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 135nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/151ns 테스트 조건: 400V, 45A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 498ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음7,848
NGTB45N60SWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 45A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 90A 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 550µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 134nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 70ns/144ns 테스트 조건: 400V, 45A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 376ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음4,104
NGTB50N120FL2WAG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A 전력-최대: 536W 에너지 전환: 2.15mJ (on), 1.4mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 313nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/150ns 테스트 조건: 600V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 281ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-4 공급자 장치 패키지: TO-247-4L	재고 있음7,032
NGTB50N120FL2WG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 100A 535W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A 전력-최대: 535W 에너지 전환: 4.4mJ (on), 1.4mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 311nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 118ns/282ns 테스트 조건: 600V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 256ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음851
NGTB50N60FL2WG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 50A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A 전력-최대: 417W 에너지 전환: 1.5mJ (on), 460µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 220nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 100ns/237ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 94ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음1,222
NGTB50N60FLWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 50A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A 전력-최대: 223W 에너지 전환: 1.1mJ (on), 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 310nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 116ns/292ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 85ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음5,328
NGTB50N60FWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 100A 223W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A 전력-최대: 223W 에너지 전환: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 310nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 117ns/285ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 77ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음5,382
NGTB50N60L2WG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 50A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A 전력-최대: 500W 에너지 전환: 800µJ (on), 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 310nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 110ns/270ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 67ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음428
NGTB50N60S1WG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 50A 600V TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A 전력-최대: 417W 에너지 전환: 1.5mJ (on), 460µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 220nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 100ns/237ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 94ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음8,370
NGTB50N60SWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 50A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A 전력-최대: - 에너지 전환: 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 135nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 70ns/144ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 376ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음5,634
NGTB50N65FL2WAG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT FIELD STOP 650V TO247-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A 전력-최대: 417W 에너지 전환: 420µJ (on), 550µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 215nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/123ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 94ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-4 공급자 장치 패키지: TO-247-4L	재고 있음6,624
NGTB50N65FL2WG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 50A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A 전력-최대: 417W 에너지 전환: 1.5mJ (on), 460µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 220nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 100ns/237ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 94ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음1,024
NGTB50N65S1WG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH 650V 140A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 140A 전류-수집기 펄스 (Icm): 140A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A 전력-최대: 300W 에너지 전환: 1.25mJ (on), 530µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 128nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 75ns/128ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 70ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음6,642
NGTB60N60SWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 120A 298W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A 전력-최대: 298W 에너지 전환: 1.41mJ (on), 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 173nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 87ns/180ns 테스트 조건: 400V, 60A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 76ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음1,664
NGTB60N65FL2WG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V/60A IGBT FSII 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A 전력-최대: 595W 에너지 전환: 1.59mJ (on), 660µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 318nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 117ns/265ns 테스트 조건: 400V, 60A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 96ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음5,533
NGTB75N60FL2WG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 75A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A 전력-최대: 595W 에너지 전환: 1.5mJ (on), 1mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 310nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 110ns/270ns 테스트 조건: 400V, 75A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 80ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음3,492
NGTB75N60SWG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 75A 600V TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A 전력-최대: 595W 에너지 전환: 1.5mJ (on), 1mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 310nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 110ns/270ns 테스트 조건: 400V, 75A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 80ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음3,294
NGTB75N65FL2WAG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT FIELD STOP 650V TO247-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A 전력-최대: 536W 에너지 전환: 610µJ (on), 1.2mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 310nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/157ns 테스트 조건: 400V, 75A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 90ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-4 공급자 장치 패키지: TO-247-4L	재고 있음8,532
NGTB75N65FL2WG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 75A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A 전력-최대: 595W 에너지 전환: 1.5mJ (on), 1mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 310nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 110ns/270ns 테스트 조건: 400V, 75A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 80ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음6,108
NGTD13T65F2SWK ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음3,132
NGTD13T65F2WP ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음4,410
NGTD14T65F2SWK ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음2,646
NGTD14T65F2WP ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음5,094
NGTD17T65F2SWK ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음6,426
NGTD17T65F2WP ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음7,722
NGTD20T120F2SWK ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음3,418
NGTD20T120F2WP ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음6,750

NGTB40N65IHRTG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V/40A RC IGBT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
전력-최대: 405W
에너지 전환: 420µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 190nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음6,084

NGTB40N65IHRWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
전력-최대: 405W
에너지 전환: 420µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 190nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음7,740

NGTB45N60S1WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 45A 600V TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 90A
전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
전력-최대: 300W
에너지 전환: 1.25mJ (on), 530µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 125nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 72ns/132ns
테스트 조건: 400V, 45A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 70ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음3,816

NGTB45N60S2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 45A 600V TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 90A
전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 45A
전력-최대: 300W
에너지 전환: 360µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 135nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/151ns
테스트 조건: 400V, 45A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 498ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음7,848

NGTB45N60SWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 45A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 90A
전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 550µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 134nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 70ns/144ns
테스트 조건: 400V, 45A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 376ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음4,104

NGTB50N120FL2WAG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
전력-최대: 536W
에너지 전환: 2.15mJ (on), 1.4mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 313nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/150ns
테스트 조건: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 281ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-4
공급자 장치 패키지: TO-247-4L

재고 있음7,032

NGTB50N120FL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 100A 535W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
전력-최대: 535W
에너지 전환: 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 311nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 118ns/282ns
테스트 조건: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 256ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음851

NGTB50N60FL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 50A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
전력-최대: 417W
에너지 전환: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 220nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 100ns/237ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 94ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음1,222

NGTB50N60FLWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 50A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
전력-최대: 223W
에너지 전환: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 310nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 116ns/292ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 85ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음5,328

NGTB50N60FWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 100A 223W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
전력-최대: 223W
에너지 전환: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 310nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 117ns/285ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 77ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음5,382

NGTB50N60L2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 50A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
전력-최대: 500W
에너지 전환: 800µJ (on), 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 310nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 110ns/270ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 67ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음428

NGTB50N60S1WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 50A 600V TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
전력-최대: 417W
에너지 전환: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 220nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 100ns/237ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 94ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음8,370

NGTB50N60SWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 50A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
전력-최대: -
에너지 전환: 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 135nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 70ns/144ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 376ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음5,634

NGTB50N65FL2WAG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT FIELD STOP 650V TO247-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
전력-최대: 417W
에너지 전환: 420µJ (on), 550µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 215nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/123ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 94ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-4
공급자 장치 패키지: TO-247-4L

재고 있음6,624

NGTB50N65FL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 50A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
전력-최대: 417W
에너지 전환: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 220nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 100ns/237ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 94ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음1,024

NGTB50N65S1WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH 650V 140A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 140A
전류-수집기 펄스 (Icm): 140A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
전력-최대: 300W
에너지 전환: 1.25mJ (on), 530µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 128nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 75ns/128ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 70ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음6,642

NGTB60N60SWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 120A 298W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
전력-최대: 298W
에너지 전환: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 173nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 87ns/180ns
테스트 조건: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 76ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음1,664

NGTB60N65FL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V/60A IGBT FSII

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
전력-최대: 595W
에너지 전환: 1.59mJ (on), 660µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 318nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 117ns/265ns
테스트 조건: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 96ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음5,533

NGTB75N60FL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 75A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
전력-최대: 595W
에너지 전환: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 310nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 110ns/270ns
테스트 조건: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 80ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음3,492

NGTB75N60SWG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 75A 600V TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
전력-최대: 595W
에너지 전환: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 310nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 110ns/270ns
테스트 조건: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 80ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음3,294

NGTB75N65FL2WAG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT FIELD STOP 650V TO247-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
전력-최대: 536W
에너지 전환: 610µJ (on), 1.2mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 310nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/157ns
테스트 조건: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 90ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-4
공급자 장치 패키지: TO-247-4L

재고 있음8,532

NGTB75N65FL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 75A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
전력-최대: 595W
에너지 전환: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 310nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 110ns/270ns
테스트 조건: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 80ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음6,108

NGTD13T65F2SWK

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음3,132

NGTD13T65F2WP

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음4,410

NGTD14T65F2SWK

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음2,646

NGTD14T65F2WP

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음5,094

NGTD17T65F2SWK

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음6,426

NGTD17T65F2WP

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음7,722

NGTD20T120F2SWK

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음3,418

NGTD20T120F2WP

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음6,750

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