트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
RJH65T04BDPMA0#T2F Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A 전력-최대: 65W 에너지 전환: 360µJ (on), 350µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 74nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/115ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 80ns 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-94 공급자 장치 패키지: TO-3PFP	재고 있음5,166
RJH65T14DPQ-A0#T0 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH 650V 100A TO247A 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 1.3mJ (on), 1.2mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 80nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 38ns/125ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 250ns 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247A	재고 있음88
RJH65T46DPQ-A0#T0 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH 650V 80A TO247A 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A 전력-최대: 340.9W 에너지 전환: 450µJ (on), 550µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 138nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 45ns/170ns 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 100ns 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247A	재고 있음4,734
RJH65T47DPQ-A0#T0 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH 650V 90A TO247A 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 90A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A 전력-최대: 375W 에너지 전환: 520µJ (on), 560µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 127nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 45ns/190ns 테스트 조건: 400V, 45A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 100ns 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247A	재고 있음6,372
RJP4009ANS-01#Q6 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 400V 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 9V @ 2.5V, 150A 전력-최대: 1.8W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN 공급자 장치 패키지: 8-VSON (3x4.4)	재고 있음4,950
RJP4010AGE-00#P5 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 400V 1.6W TSOJ8 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 9V @ 3V, 150A 전력-최대: 1.6W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOJ (0.094", 2.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSOJ	재고 있음4,050
RJP4301APP-M0#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 430V TO200FL 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 430V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 10V @ 26V, 200A 전력-최대: 30W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 50ns/100ns 테스트 조건: 300V, 200A, 30Ohm, 26V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FL	재고 있음8,676
RJP5001APP-M0#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 500V TO-220FN 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 10V @ 12V, 300A 전력-최대: 45W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 100ns/200ns 테스트 조건: 300V, 300A, 30Ohm, 12V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FL	재고 있음3,418
RJP6085DPK-00#T0 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 40A 전력-최대: 178.5W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음4,500
RJP6085DPN-00#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 178.5W TO-220AB 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 40A 전력-최대: 178.5W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음4,230
RJP60D0DPE-00#J3 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 45A 122W LDPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 22A 전력-최대: 122W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 45nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/90ns 테스트 조건: 300V, 22A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-83 공급자 장치 패키지: 4-LDPAK	재고 있음18,000
RJP60D0DPK-00#T0 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 45A 140W TO-3P 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 22A 전력-최대: 140W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 45nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/90ns 테스트 조건: 300V, 22A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음7,362
RJP60D0DPM-00#T1 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 22A 전력-최대: 40W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 45nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/90ns 테스트 조건: 300V, 22A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음5,238
RJP60D0DPP-M0#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 45A 35W TO-220FL 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 22A 전력-최대: 35W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 45nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/90ns 테스트 조건: 300V, 22A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FL	재고 있음5,040
RJP60F0DPE-00#J3 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 50A 122W LDPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 25A 전력-최대: 122W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 46ns/70ns 테스트 조건: 400V, 30A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-83 공급자 장치 패키지: 4-LDPAK	재고 있음7,452
RJP60F0DPM-00#T1 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 25A 전력-최대: 40W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 46ns/70ns 테스트 조건: 400V, 30A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음3,474
RJP60F4DPM-00#T1 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 30A 전력-최대: 41.2W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 45ns/70ns 테스트 조건: 400V, 30A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음8,946
RJP60F5DPK-01#T0 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 80A 260.4W 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A 전력-최대: 260.4W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 74nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 53ns/90ns 테스트 조건: 400V, 30A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음6,300
RJP60F5DPM-00#T1 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 80A 45W TO-3PFM 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A 전력-최대: 45W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 74nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 53ns/90ns 테스트 조건: 400V, 30A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음8,712
RJP60V0DPM-00#T1 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 22A 전력-최대: 40W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 75nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 45ns/100ns 테스트 조건: 300V, 22A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PFM	재고 있음5,688
RJP65T43DPQ-A0#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH 650V 60A TO247A 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A 전력-최대: 150W 에너지 전환: 170µJ (on), 130µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 69nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/105ns 테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247A	재고 있음4,176
RJP65T54DPM-A0#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.68V @ 15V, 30A 전력-최대: 63.5W 에너지 전환: 330µJ (on), 760µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 72nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/120ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-94 공급자 장치 패키지: TO-3PFP	재고 있음3,744
RJP65T54DPM-E0#T2 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TRENCH TO-3FP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 225A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.68V @ 15V, 30A 전력-최대: 63.5W 에너지 전환: 330µJ (on), 760µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 72nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/120ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3 공급자 장치 패키지: TO-3PF	재고 있음8,712
SGB02N120ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6.2A 전류-수집기 펄스 (Icm): 9.6A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A 전력-최대: 62W 에너지 전환: 220µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 11nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/260ns 테스트 조건: 800V, 2A, 91Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3	재고 있음2,100
SGB02N60ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 6A 30W TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전류-수집기 펄스 (Icm): 12A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A 전력-최대: 30W 에너지 전환: 64µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 14nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/259ns 테스트 조건: 400V, 2A, 118Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3	재고 있음8,658
SGB06N60ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 12A 68W TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전류-수집기 펄스 (Icm): 24A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 6A 전력-최대: 68W 에너지 전환: 215µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 32nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/220ns 테스트 조건: 400V, 6A, 50Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3	재고 있음2,412
SGB07N120ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 16.5A 125W TO263-3-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 16.5A 전류-수집기 펄스 (Icm): 27A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 8A 전력-최대: 125W 에너지 전환: 1mJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 70nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/440ns 테스트 조건: 800V, 8A, 47Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2	재고 있음5,058
SGB10N60AATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 20A 92W TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전류-수집기 펄스 (Icm): 40A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A 전력-최대: 92W 에너지 전환: 320µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 52nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/178ns 테스트 조건: 400V, 10A, 25Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3	재고 있음2,412
SGB15N120ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 30A 198W TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 52A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A 전력-최대: 198W 에너지 전환: 1.9mJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 130nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/580ns 테스트 조건: 800V, 15A, 33Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3	재고 있음4,464
SGB15N60ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 31A 139W TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 31A 전류-수집기 펄스 (Icm): 62A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A 전력-최대: 139W 에너지 전환: 570µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 76nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 32ns/234ns 테스트 조건: 400V, 15A, 21Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3	재고 있음2,718

RJH65T04BDPMA0#T2F

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A
전력-최대: 65W
에너지 전환: 360µJ (on), 350µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 74nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/115ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 80ns
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-94
공급자 장치 패키지: TO-3PFP

재고 있음5,166

RJH65T14DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH 650V 100A TO247A

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 1.3mJ (on), 1.2mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 80nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 38ns/125ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 250ns
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247A

재고 있음88

RJH65T46DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH 650V 80A TO247A

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
전력-최대: 340.9W
에너지 전환: 450µJ (on), 550µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 138nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 45ns/170ns
테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 100ns
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247A

재고 있음4,734

RJH65T47DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH 650V 90A TO247A

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 90A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
전력-최대: 375W
에너지 전환: 520µJ (on), 560µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 127nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 45ns/190ns
테스트 조건: 400V, 45A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 100ns
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247A

재고 있음6,372

RJP4009ANS-01#Q6

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 400V

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 9V @ 2.5V, 150A
전력-최대: 1.8W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN
공급자 장치 패키지: 8-VSON (3x4.4)

재고 있음4,950

RJP4010AGE-00#P5

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 400V 1.6W TSOJ8

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 9V @ 3V, 150A
전력-최대: 1.6W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOJ (0.094", 2.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSOJ

재고 있음4,050

RJP4301APP-M0#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 430V TO200FL

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 430V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 10V @ 26V, 200A
전력-최대: 30W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 50ns/100ns
테스트 조건: 300V, 200A, 30Ohm, 26V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FL

재고 있음8,676

RJP5001APP-M0#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 500V TO-220FN

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 10V @ 12V, 300A
전력-최대: 45W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 100ns/200ns
테스트 조건: 300V, 300A, 30Ohm, 12V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FL

재고 있음3,418

RJP6085DPK-00#T0

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 40A
전력-최대: 178.5W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음4,500

RJP6085DPN-00#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 178.5W TO-220AB

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 40A
전력-최대: 178.5W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음4,230

RJP60D0DPE-00#J3

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 45A 122W LDPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 22A
전력-최대: 122W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 45nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/90ns
테스트 조건: 300V, 22A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-83
공급자 장치 패키지: 4-LDPAK

재고 있음18,000

RJP60D0DPK-00#T0

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 45A 140W TO-3P

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 22A
전력-최대: 140W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 45nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/90ns
테스트 조건: 300V, 22A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음7,362

RJP60D0DPM-00#T1

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 22A
전력-최대: 40W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 45nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/90ns
테스트 조건: 300V, 22A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음5,238

RJP60D0DPP-M0#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 45A 35W TO-220FL

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 22A
전력-최대: 35W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 45nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/90ns
테스트 조건: 300V, 22A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FL

재고 있음5,040

RJP60F0DPE-00#J3

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 50A 122W LDPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 25A
전력-최대: 122W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 46ns/70ns
테스트 조건: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-83
공급자 장치 패키지: 4-LDPAK

재고 있음7,452

RJP60F0DPM-00#T1

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 25A
전력-최대: 40W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 46ns/70ns
테스트 조건: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음3,474

RJP60F4DPM-00#T1

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 30A
전력-최대: 41.2W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 45ns/70ns
테스트 조건: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음8,946

RJP60F5DPK-01#T0

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 80A 260.4W

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
전력-최대: 260.4W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 74nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 53ns/90ns
테스트 조건: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음6,300

RJP60F5DPM-00#T1

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 80A 45W TO-3PFM

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
전력-최대: 45W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 74nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 53ns/90ns
테스트 조건: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음8,712

RJP60V0DPM-00#T1

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 22A
전력-최대: 40W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 75nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 45ns/100ns
테스트 조건: 300V, 22A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PFM

재고 있음5,688

RJP65T43DPQ-A0#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH 650V 60A TO247A

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
전력-최대: 150W
에너지 전환: 170µJ (on), 130µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 69nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/105ns
테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247A

재고 있음4,176

RJP65T54DPM-A0#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.68V @ 15V, 30A
전력-최대: 63.5W
에너지 전환: 330µJ (on), 760µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 72nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/120ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-94
공급자 장치 패키지: TO-3PFP

재고 있음3,744

RJP65T54DPM-E0#T2

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH TO-3FP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 225A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.68V @ 15V, 30A
전력-최대: 63.5W
에너지 전환: 330µJ (on), 760µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 72nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/120ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지: TO-3PF

재고 있음8,712

SGB02N120ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6.2A
전류-수집기 펄스 (Icm): 9.6A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A
전력-최대: 62W
에너지 전환: 220µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 11nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/260ns
테스트 조건: 800V, 2A, 91Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3

재고 있음2,100

SGB02N60ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 6A 30W TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전류-수집기 펄스 (Icm): 12A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A
전력-최대: 30W
에너지 전환: 64µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 14nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/259ns
테스트 조건: 400V, 2A, 118Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3

재고 있음8,658

SGB06N60ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 12A 68W TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전류-수집기 펄스 (Icm): 24A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 6A
전력-최대: 68W
에너지 전환: 215µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 32nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/220ns
테스트 조건: 400V, 6A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3

재고 있음2,412

SGB07N120ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 16.5A 125W TO263-3-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 16.5A
전류-수집기 펄스 (Icm): 27A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 8A
전력-최대: 125W
에너지 전환: 1mJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 70nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/440ns
테스트 조건: 800V, 8A, 47Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2

재고 있음5,058

SGB10N60AATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 20A 92W TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전류-수집기 펄스 (Icm): 40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A
전력-최대: 92W
에너지 전환: 320µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 52nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/178ns
테스트 조건: 400V, 10A, 25Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3

재고 있음2,412

SGB15N120ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 30A 198W TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 52A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A
전력-최대: 198W
에너지 전환: 1.9mJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 130nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/580ns
테스트 조건: 800V, 15A, 33Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3

재고 있음4,464

SGB15N60ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 31A 139W TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 31A
전류-수집기 펄스 (Icm): 62A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
전력-최대: 139W
에너지 전환: 570µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 76nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 32ns/234ns
테스트 조건: 400V, 15A, 21Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3

재고 있음2,718

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