트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SGL50N60RUFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 80A 250W TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 1.68mJ (on), 1.03mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 145nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/66ns 테스트 조건: 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 100ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264-3	재고 있음8,148
SGL50N60RUFTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 80A 250W TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 1.68mJ (on), 1.03mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 145nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/66ns 테스트 조건: 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264-3	재고 있음7,470
SGL5N150UFTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1500V 10A 125W TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1500V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전류-수집기 펄스 (Icm): 20A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 5.5V @ 10V, 5A 전력-최대: 125W 에너지 전환: 190µJ (on), 100µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 30nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/30ns 테스트 조건: 600V, 5A, 10Ohm, 10V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264-3	재고 있음7,380
SGL60N90DG3TU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 900V 60A 180W TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A 전력-최대: 180W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 260nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 1.5µs 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264-3	재고 있음3,508
SGL60N90DG3YDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 900V 60A 180W TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A 전력-최대: 180W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 260nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 1.5µs 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264-3	재고 있음7,002
SGM2N60UFTF ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 2.4A 2.1W SOT-223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.4A 전류-수집기 펄스 (Icm): 10A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A 전력-최대: 2.1W 에너지 전환: 30µJ (on), 13µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 9nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/80ns 테스트 조건: 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223-4	재고 있음7,218
SGP02N120XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6.2A 전류-수집기 펄스 (Icm): 9.6A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A 전력-최대: 62W 에너지 전환: 220µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 11nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/260ns 테스트 조건: 800V, 2A, 91Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3	재고 있음140,352
SGP02N60XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 6A 30W TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전류-수집기 펄스 (Icm): 12A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A 전력-최대: 30W 에너지 전환: 64µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 14nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/259ns 테스트 조건: 400V, 2A, 118Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3	재고 있음2,484
SGP04N60XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 9.4A 전류-수집기 펄스 (Icm): 19A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 4A 전력-최대: 50W 에너지 전환: 131µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 24nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/237ns 테스트 조건: 400V, 4A, 67Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3	재고 있음4,428
SGP06N60XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 12A 68W TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전류-수집기 펄스 (Icm): 24A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 6A 전력-최대: 68W 에너지 전환: 215µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 32nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/220ns 테스트 조건: 400V, 6A, 50Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3	재고 있음4,158
SGP07N120XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 16.5A 125W TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 16.5A 전류-수집기 펄스 (Icm): 27A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 8A 전력-최대: 125W 에너지 전환: 1mJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 70nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/440ns 테스트 조건: 800V, 8A, 47Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3	재고 있음13,692
SGP10N60AXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 20A 92W TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전류-수집기 펄스 (Icm): 40A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A 전력-최대: 92W 에너지 전환: 320µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 52nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/178ns 테스트 조건: 400V, 10A, 25Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3	재고 있음6,408
SGP10N60RUFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 16A 75W TO220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전류-수집기 펄스 (Icm): 30A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A 전력-최대: 75W 에너지 전환: 141µJ (on), 215µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 30nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/36ns 테스트 조건: 300V, 10A, 20Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 60ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음21,096
SGP13N60UFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 13A 60W TO220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 13A 전류-수집기 펄스 (Icm): 52A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A 전력-최대: 60W 에너지 전환: 85µJ (on), 95µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 25nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/70ns 테스트 조건: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 55ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음2,484
SGP13N60UFTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 13A 60W TO220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 13A 전류-수집기 펄스 (Icm): 52A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A 전력-최대: 60W 에너지 전환: 85µJ (on), 95µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 25nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/70ns 테스트 조건: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음7,398
SGP15N120XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 30A 198W TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 52A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A 전력-최대: 198W 에너지 전환: 1.9mJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 130nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/580ns 테스트 조건: 800V, 15A, 33Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3	재고 있음4,464
SGP15N60RUFTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 24A 160W TO220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 24A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 15A 전력-최대: 160W 에너지 전환: 320µJ (on), 356µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 42nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/44ns 테스트 조건: 300V, 15A, 13Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음2,682
SGP15N60XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 31A 139W TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 31A 전류-수집기 펄스 (Icm): 62A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A 전력-최대: 139W 에너지 전환: 570µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 76nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 32ns/234ns 테스트 조건: 400V, 15A, 21Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3	재고 있음8,100
SGP20N60HSXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 36A 178W TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 36A 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 20A 전력-최대: 178W 에너지 전환: 690µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 100nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/207ns 테스트 조건: 400V, 20A, 16Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1	재고 있음4,338
SGP20N60XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 179W TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A 전력-최대: 179W 에너지 전환: 440µJ (on), 330µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 100nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 36ns/225ns 테스트 조건: 400V, 20A, 16Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3	재고 있음3,420
SGP23N60UFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 23A 100W TO220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 23A 전류-수집기 펄스 (Icm): 92A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A 전력-최대: 100W 에너지 전환: 115µJ (on), 135µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 49nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/60ns 테스트 조건: 300V, 12A, 23Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 60ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음445
SGP23N60UFTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 23A 100W TO220-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 23A 전류-수집기 펄스 (Icm): 92A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A 전력-최대: 100W 에너지 전환: 115µJ (on), 135µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/60ns 테스트 조건: 300V, 12A, 23Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음22,704
SGP30N60HSXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 41A 250W TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 41A 전류-수집기 펄스 (Icm): 112A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 1.15mJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 141nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/250ns 테스트 조건: 400V, 30A, 11Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3	재고 있음6,534
SGP30N60XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 41A 250W TO263 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 41A 전류-수집기 펄스 (Icm): 112A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 1.29mJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 140nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/291ns 테스트 조건: 400V, 30A, 11Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음6,552
SGP40N60UFTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 160W TO220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A 전력-최대: 160W 에너지 전환: 160µJ (on), 200µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 97nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/65ns 테스트 조건: 300V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음2,520
SGP5N60RUFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 8A 60W TO220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전류-수집기 펄스 (Icm): 15A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 5A 전력-최대: 60W 에너지 전환: 88µJ (on), 107µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 16nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/34ns 테스트 조건: 300V, 5A, 40Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 55ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,258
SGP6N60UFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 6A 30W TO220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전류-수집기 펄스 (Icm): 25A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A 전력-최대: 30W 에너지 전환: 57µJ (on), 25µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 15nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/60ns 테스트 조건: 300V, 3A, 80Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 52ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,418
SGR15N40LTF ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 400V 45W DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 130A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 130A 전력-최대: 45W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: D-Pak	재고 있음8,460
SGR15N40LTM ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 400V 45W DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 130A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 130A 전력-최대: 45W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: D-Pak	재고 있음2,736
SGR20N40LTF ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 400V 45W DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 150A 전력-최대: 45W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: D-Pak	재고 있음5,472

SGL50N60RUFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 80A 250W TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 1.68mJ (on), 1.03mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 145nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/66ns
테스트 조건: 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 100ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264-3

재고 있음8,148

SGL50N60RUFTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 80A 250W TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 1.68mJ (on), 1.03mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 145nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/66ns
테스트 조건: 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264-3

재고 있음7,470

SGL5N150UFTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1500V 10A 125W TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1500V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전류-수집기 펄스 (Icm): 20A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 5.5V @ 10V, 5A
전력-최대: 125W
에너지 전환: 190µJ (on), 100µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 30nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/30ns
테스트 조건: 600V, 5A, 10Ohm, 10V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264-3

재고 있음7,380

SGL60N90DG3TU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 60A 180W TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A
전력-최대: 180W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 260nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 1.5µs
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264-3

재고 있음3,508

SGL60N90DG3YDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 60A 180W TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A
전력-최대: 180W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 260nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 1.5µs
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264-3

재고 있음7,002

SGM2N60UFTF

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 2.4A 2.1W SOT-223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.4A
전류-수집기 펄스 (Icm): 10A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A
전력-최대: 2.1W
에너지 전환: 30µJ (on), 13µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 9nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/80ns
테스트 조건: 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223-4

재고 있음7,218

SGP02N120XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6.2A
전류-수집기 펄스 (Icm): 9.6A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A
전력-최대: 62W
에너지 전환: 220µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 11nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/260ns
테스트 조건: 800V, 2A, 91Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3

재고 있음140,352

SGP02N60XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 6A 30W TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전류-수집기 펄스 (Icm): 12A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A
전력-최대: 30W
에너지 전환: 64µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 14nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/259ns
테스트 조건: 400V, 2A, 118Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3

재고 있음2,484

SGP04N60XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 9.4A
전류-수집기 펄스 (Icm): 19A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 4A
전력-최대: 50W
에너지 전환: 131µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 24nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/237ns
테스트 조건: 400V, 4A, 67Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3

재고 있음4,428

SGP06N60XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 12A 68W TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전류-수집기 펄스 (Icm): 24A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 6A
전력-최대: 68W
에너지 전환: 215µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 32nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/220ns
테스트 조건: 400V, 6A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3

재고 있음4,158

SGP07N120XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 16.5A 125W TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 16.5A
전류-수집기 펄스 (Icm): 27A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 8A
전력-최대: 125W
에너지 전환: 1mJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 70nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/440ns
테스트 조건: 800V, 8A, 47Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3

재고 있음13,692

SGP10N60AXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 20A 92W TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전류-수집기 펄스 (Icm): 40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A
전력-최대: 92W
에너지 전환: 320µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 52nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/178ns
테스트 조건: 400V, 10A, 25Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3

재고 있음6,408

SGP10N60RUFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 16A 75W TO220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전류-수집기 펄스 (Icm): 30A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A
전력-최대: 75W
에너지 전환: 141µJ (on), 215µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 30nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/36ns
테스트 조건: 300V, 10A, 20Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 60ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음21,096

SGP13N60UFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 13A 60W TO220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 13A
전류-수집기 펄스 (Icm): 52A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
전력-최대: 60W
에너지 전환: 85µJ (on), 95µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 25nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/70ns
테스트 조건: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 55ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음2,484

SGP13N60UFTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 13A 60W TO220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 13A
전류-수집기 펄스 (Icm): 52A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
전력-최대: 60W
에너지 전환: 85µJ (on), 95µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 25nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/70ns
테스트 조건: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음7,398

SGP15N120XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 30A 198W TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 52A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A
전력-최대: 198W
에너지 전환: 1.9mJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 130nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/580ns
테스트 조건: 800V, 15A, 33Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3

재고 있음4,464

SGP15N60RUFTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 24A 160W TO220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 24A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 15A
전력-최대: 160W
에너지 전환: 320µJ (on), 356µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 42nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/44ns
테스트 조건: 300V, 15A, 13Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음2,682

SGP15N60XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 31A 139W TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 31A
전류-수집기 펄스 (Icm): 62A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
전력-최대: 139W
에너지 전환: 570µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 76nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 32ns/234ns
테스트 조건: 400V, 15A, 21Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3

재고 있음8,100

SGP20N60HSXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 36A 178W TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 36A
전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 20A
전력-최대: 178W
에너지 전환: 690µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/207ns
테스트 조건: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1

재고 있음4,338

SGP20N60XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 179W TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
전력-최대: 179W
에너지 전환: 440µJ (on), 330µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 36ns/225ns
테스트 조건: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3

재고 있음3,420

SGP23N60UFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 23A 100W TO220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 23A
전류-수집기 펄스 (Icm): 92A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A
전력-최대: 100W
에너지 전환: 115µJ (on), 135µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 49nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/60ns
테스트 조건: 300V, 12A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 60ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음445

SGP23N60UFTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 23A 100W TO220-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 23A
전류-수집기 펄스 (Icm): 92A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A
전력-최대: 100W
에너지 전환: 115µJ (on), 135µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/60ns
테스트 조건: 300V, 12A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음22,704

SGP30N60HSXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 41A 250W TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 41A
전류-수집기 펄스 (Icm): 112A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 1.15mJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 141nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/250ns
테스트 조건: 400V, 30A, 11Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3

재고 있음6,534

SGP30N60XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 41A 250W TO263

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 41A
전류-수집기 펄스 (Icm): 112A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 1.29mJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 140nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/291ns
테스트 조건: 400V, 30A, 11Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음6,552

SGP40N60UFTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 160W TO220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A
전력-최대: 160W
에너지 전환: 160µJ (on), 200µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 97nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/65ns
테스트 조건: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음2,520

SGP5N60RUFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 8A 60W TO220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전류-수집기 펄스 (Icm): 15A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 5A
전력-최대: 60W
에너지 전환: 88µJ (on), 107µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 16nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/34ns
테스트 조건: 300V, 5A, 40Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 55ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,258

SGP6N60UFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 6A 30W TO220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전류-수집기 펄스 (Icm): 25A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A
전력-최대: 30W
에너지 전환: 57µJ (on), 25µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 15nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/60ns
테스트 조건: 300V, 3A, 80Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 52ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,418

SGR15N40LTF

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 400V 45W DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 130A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 130A
전력-최대: 45W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: D-Pak

재고 있음8,460

SGR15N40LTM

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 400V 45W DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 130A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 130A
전력-최대: 45W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: D-Pak

재고 있음2,736

SGR20N40LTF

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 400V 45W DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 150A
전력-최대: 45W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: D-Pak

재고 있음5,472

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