트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SGR20N40LTM ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 400V 45W DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 150A 전력-최대: 45W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: D-Pak	재고 있음3,726
SGR2N60UFDTF ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 2.4A 25W DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.4A 전류-수집기 펄스 (Icm): 10A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A 전력-최대: 25W 에너지 전환: 30µJ (on), 13µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 9nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/80ns 테스트 조건: 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: D-Pak	재고 있음8,262
SGR2N60UFDTM ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 2.4A 25W DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.4A 전류-수집기 펄스 (Icm): 10A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A 전력-최대: 25W 에너지 전환: 30µJ (on), 13µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 9nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/80ns 테스트 조건: 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: D-Pak	재고 있음7,380
SGR6N60UFTF ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 6A 30W DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전류-수집기 펄스 (Icm): 25A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A 전력-최대: 30W 에너지 전환: 57µJ (on), 25µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 15nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/60ns 테스트 조건: 300V, 3A, 80Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: D-Pak	재고 있음4,068
SGR6N60UFTM ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 6A 30W DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전류-수집기 펄스 (Icm): 25A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A 전력-최대: 30W 에너지 전환: 57µJ (on), 25µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 15nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/60ns 테스트 조건: 300V, 3A, 80Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: D-Pak	재고 있음3,528
SGS10N60RUFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 16A 55W TO220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전류-수집기 펄스 (Icm): 30A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A 전력-최대: 55W 에너지 전환: 141µJ (on), 215µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 30nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/36ns 테스트 조건: 300V, 10A, 20Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 60ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음18,912
SGS10N60RUFTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 16A 55W TO220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전류-수집기 펄스 (Icm): 30A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A 전력-최대: 55W 에너지 전환: 141µJ (on), 215µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 30nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/36ns 테스트 조건: 300V, 10A, 20Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음8,568
SGS13N60UFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 13A 45W TO220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 13A 전류-수집기 펄스 (Icm): 52A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A 전력-최대: 45W 에너지 전환: 85µJ (on), 95µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 25nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/70ns 테스트 조건: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 55ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음7,884
SGS23N60UFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 23A 73W TO220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 23A 전류-수집기 펄스 (Icm): 92A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A 전력-최대: 73W 에너지 전환: 115µJ (on), 135µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 49nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/60ns 테스트 조건: 300V, 12A, 23Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 60ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음5,346
SGS5N150UFTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1500V 10A 50W TO220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1500V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전류-수집기 펄스 (Icm): 20A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 5.5V @ 10V, 5A 전력-최대: 50W 에너지 전환: 190µJ (on), 100µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 30nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/30ns 테스트 조건: 600V, 5A, 10Ohm, 10V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음3,598
SGS5N60RUFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 8A 35W TO220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전류-수집기 펄스 (Icm): 15A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 5A 전력-최대: 35W 에너지 전환: 88µJ (on), 107µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 16nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/34ns 테스트 조건: 300V, 5A, 40Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 55ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음3,384
SGS6N60UFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 6A 22W TO220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전류-수집기 펄스 (Icm): 25A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A 전력-최대: 22W 에너지 전환: 57µJ (on), 25µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 15nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/60ns 테스트 조건: 300V, 3A, 80Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 52ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음2,898
SGS6N60UFTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 6A 22W TO220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전류-수집기 펄스 (Icm): 25A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A 전력-최대: 22W 에너지 전환: 57µJ (on), 25µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 15nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/60ns 테스트 조건: 300V, 3A, 80Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음5,112
SGTB11N60R2DT4G ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 RC2 IGBT 10A 600V DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,608
SGU15N40LTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 400V 45W IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 130A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 130A 전력-최대: 45W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 공급자 장치 패키지: I-PAK	재고 있음4,320
SGU20N40LTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 400V 45W IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 150A 전력-최대: 45W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 공급자 장치 패키지: I-PAK	재고 있음2,646
SGW10N60AFKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 20A 92W TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전류-수집기 펄스 (Icm): 40A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A 전력-최대: 92W 에너지 전환: 320µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 52nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/178ns 테스트 조건: 400V, 10A, 25Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3	재고 있음4,266
SGW10N60RUFDTM ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 16A 75W D2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전류-수집기 펄스 (Icm): 30A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A 전력-최대: 75W 에너지 전환: 141µJ (on), 215µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 30nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/36ns 테스트 조건: 300V, 10A, 20Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 60ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D²PAK	재고 있음4,914
SGW13N60UFDTM ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 13A 60W D2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 13A 전류-수집기 펄스 (Icm): 52A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A 전력-최대: 60W 에너지 전환: 85µJ (on), 95µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 25nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/70ns 테스트 조건: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 55ns 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D²PAK	재고 있음8,028
SGW15N120FKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 30A 198W TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 52A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A 전력-최대: 198W 에너지 전환: 1.9mJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 130nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/580ns 테스트 조건: 800V, 15A, 33Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3	재고 있음5,832
SGW15N60FKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 31A 139W TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 31A 전류-수집기 펄스 (Icm): 62A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A 전력-최대: 139W 에너지 전환: 570µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 76nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 32ns/234ns 테스트 조건: 400V, 15A, 21Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3	재고 있음2,448
SGW20N60FKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 179W TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A 전력-최대: 179W 에너지 전환: 440µJ (on), 330µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 100nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 36ns/225ns 테스트 조건: 400V, 20A, 16Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3	재고 있음4,122
SGW20N60HSFKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 36A 178W TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 36A 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 20A 전력-최대: 178W 에너지 전환: 690µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 100nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/207ns 테스트 조건: 400V, 20A, 16Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3	재고 있음2,142
SGW23N60UFDTM ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 23A 100W D2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 23A 전류-수집기 펄스 (Icm): 92A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A 전력-최대: 100W 에너지 전환: 115µJ (on), 135µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 49nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/60ns 테스트 조건: 300V, 12A, 23Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 60ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D²PAK	재고 있음4,464
SGW25N120FKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 46A 313W TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 46A 전류-수집기 펄스 (Icm): 84A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 25A 전력-최대: 313W 에너지 전환: 3.7mJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 225nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 45ns/730ns 테스트 조건: 800V, 25A, 22Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3	재고 있음7,416
SGW30N60FKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 41A 250W TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 41A 전류-수집기 펄스 (Icm): 112A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 1.29mJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 140nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/291ns 테스트 조건: 400V, 30A, 11Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3	재고 있음2,358
SGW30N60HSFKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 41A 250W TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 41A 전류-수집기 펄스 (Icm): 112A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 1.15mJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 141nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/250ns 테스트 조건: 400V, 30A, 11Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3	재고 있음6,606
SGW50N60HSFKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 100A 416W TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A 전력-최대: 416W 에너지 전환: 1.96mJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 179nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 47ns/310ns 테스트 조건: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3	재고 있음8,658
SGW5N60RUFDTM ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 8A 60W D2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전류-수집기 펄스 (Icm): 15A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 5A 전력-최대: 60W 에너지 전환: 88µJ (on), 107µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 16nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/34ns 테스트 조건: 300V, 5A, 40Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 55ns 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D²PAK	재고 있음2,448
SIGC109T120R3LEX1SA2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 100A DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음4,914

SGR20N40LTM

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 400V 45W DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 150A
전력-최대: 45W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: D-Pak

재고 있음3,726

SGR2N60UFDTF

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 2.4A 25W DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.4A
전류-수집기 펄스 (Icm): 10A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A
전력-최대: 25W
에너지 전환: 30µJ (on), 13µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 9nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/80ns
테스트 조건: 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: D-Pak

재고 있음8,262

SGR2N60UFDTM

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 2.4A 25W DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.4A
전류-수집기 펄스 (Icm): 10A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A
전력-최대: 25W
에너지 전환: 30µJ (on), 13µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 9nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/80ns
테스트 조건: 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: D-Pak

재고 있음7,380

SGR6N60UFTF

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 6A 30W DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전류-수집기 펄스 (Icm): 25A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A
전력-최대: 30W
에너지 전환: 57µJ (on), 25µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 15nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/60ns
테스트 조건: 300V, 3A, 80Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: D-Pak

재고 있음4,068

SGR6N60UFTM

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 6A 30W DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전류-수집기 펄스 (Icm): 25A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A
전력-최대: 30W
에너지 전환: 57µJ (on), 25µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 15nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/60ns
테스트 조건: 300V, 3A, 80Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: D-Pak

재고 있음3,528

SGS10N60RUFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 16A 55W TO220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전류-수집기 펄스 (Icm): 30A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A
전력-최대: 55W
에너지 전환: 141µJ (on), 215µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 30nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/36ns
테스트 조건: 300V, 10A, 20Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 60ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음18,912

SGS10N60RUFTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 16A 55W TO220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전류-수집기 펄스 (Icm): 30A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A
전력-최대: 55W
에너지 전환: 141µJ (on), 215µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 30nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/36ns
테스트 조건: 300V, 10A, 20Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음8,568

SGS13N60UFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 13A 45W TO220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 13A
전류-수집기 펄스 (Icm): 52A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
전력-최대: 45W
에너지 전환: 85µJ (on), 95µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 25nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/70ns
테스트 조건: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 55ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음7,884

SGS23N60UFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 23A 73W TO220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 23A
전류-수집기 펄스 (Icm): 92A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A
전력-최대: 73W
에너지 전환: 115µJ (on), 135µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 49nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/60ns
테스트 조건: 300V, 12A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 60ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음5,346

SGS5N150UFTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1500V 10A 50W TO220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1500V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전류-수집기 펄스 (Icm): 20A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 5.5V @ 10V, 5A
전력-최대: 50W
에너지 전환: 190µJ (on), 100µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 30nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/30ns
테스트 조건: 600V, 5A, 10Ohm, 10V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음3,598

SGS5N60RUFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 8A 35W TO220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전류-수집기 펄스 (Icm): 15A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 5A
전력-최대: 35W
에너지 전환: 88µJ (on), 107µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 16nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/34ns
테스트 조건: 300V, 5A, 40Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 55ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음3,384

SGS6N60UFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 6A 22W TO220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전류-수집기 펄스 (Icm): 25A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A
전력-최대: 22W
에너지 전환: 57µJ (on), 25µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 15nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/60ns
테스트 조건: 300V, 3A, 80Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 52ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음2,898

SGS6N60UFTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 6A 22W TO220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전류-수집기 펄스 (Icm): 25A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A
전력-최대: 22W
에너지 전환: 57µJ (on), 25µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 15nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/60ns
테스트 조건: 300V, 3A, 80Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음5,112

SGTB11N60R2DT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

RC2 IGBT 10A 600V DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,608

SGU15N40LTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 400V 45W IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 130A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 130A
전력-최대: 45W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급자 장치 패키지: I-PAK

재고 있음4,320

SGU20N40LTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 400V 45W IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 150A
전력-최대: 45W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급자 장치 패키지: I-PAK

재고 있음2,646

SGW10N60AFKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 20A 92W TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전류-수집기 펄스 (Icm): 40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A
전력-최대: 92W
에너지 전환: 320µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 52nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/178ns
테스트 조건: 400V, 10A, 25Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3

재고 있음4,266

SGW10N60RUFDTM

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 16A 75W D2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전류-수집기 펄스 (Icm): 30A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A
전력-최대: 75W
에너지 전환: 141µJ (on), 215µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 30nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/36ns
테스트 조건: 300V, 10A, 20Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 60ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D²PAK

재고 있음4,914

SGW13N60UFDTM

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 13A 60W D2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 13A
전류-수집기 펄스 (Icm): 52A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
전력-최대: 60W
에너지 전환: 85µJ (on), 95µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 25nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/70ns
테스트 조건: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 55ns
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D²PAK

재고 있음8,028

SGW15N120FKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 30A 198W TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 52A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A
전력-최대: 198W
에너지 전환: 1.9mJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 130nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/580ns
테스트 조건: 800V, 15A, 33Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3

재고 있음5,832

SGW15N60FKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 31A 139W TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 31A
전류-수집기 펄스 (Icm): 62A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
전력-최대: 139W
에너지 전환: 570µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 76nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 32ns/234ns
테스트 조건: 400V, 15A, 21Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3

재고 있음2,448

SGW20N60FKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 179W TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
전력-최대: 179W
에너지 전환: 440µJ (on), 330µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 36ns/225ns
테스트 조건: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3

재고 있음4,122

SGW20N60HSFKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 36A 178W TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 36A
전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 20A
전력-최대: 178W
에너지 전환: 690µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/207ns
테스트 조건: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3

재고 있음2,142

SGW23N60UFDTM

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 23A 100W D2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 23A
전류-수집기 펄스 (Icm): 92A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A
전력-최대: 100W
에너지 전환: 115µJ (on), 135µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 49nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/60ns
테스트 조건: 300V, 12A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 60ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D²PAK

재고 있음4,464

SGW25N120FKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 46A 313W TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 46A
전류-수집기 펄스 (Icm): 84A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 25A
전력-최대: 313W
에너지 전환: 3.7mJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 225nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 45ns/730ns
테스트 조건: 800V, 25A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3

재고 있음7,416

SGW30N60FKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 41A 250W TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 41A
전류-수집기 펄스 (Icm): 112A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 1.29mJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 140nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/291ns
테스트 조건: 400V, 30A, 11Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3

재고 있음2,358

SGW30N60HSFKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 41A 250W TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 41A
전류-수집기 펄스 (Icm): 112A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 1.15mJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 141nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/250ns
테스트 조건: 400V, 30A, 11Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3

재고 있음6,606

SGW50N60HSFKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 100A 416W TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
전력-최대: 416W
에너지 전환: 1.96mJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 179nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 47ns/310ns
테스트 조건: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3

재고 있음8,658

SGW5N60RUFDTM

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 8A 60W D2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전류-수집기 펄스 (Icm): 15A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 5A
전력-최대: 60W
에너지 전환: 88µJ (on), 107µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 16nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/34ns
테스트 조건: 300V, 5A, 40Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 55ns
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D²PAK

재고 있음2,448

SIGC109T120R3LEX1SA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 100A DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음4,914

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