트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SGB15N60HSATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 27A 138W TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 27A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 15A 전력-최대: 138W 에너지 전환: 530µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 80nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/209ns 테스트 조건: 400V, 15A, 23Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3	재고 있음5,580
SGB20N60ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 179W TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A 전력-최대: 179W 에너지 전환: 440µJ (on), 330µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 100nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 36ns/225ns 테스트 조건: 400V, 20A, 16Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3	재고 있음2,430
SGB30N60ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 41A 250W TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 41A 전류-수집기 펄스 (Icm): 112A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 1.29mJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 140nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/291ns 테스트 조건: 400V, 30A, 11Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3	재고 있음2,898
SGD02N120BUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6.2A 전류-수집기 펄스 (Icm): 9.6A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A 전력-최대: 62W 에너지 전환: 220µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 11nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/260ns 테스트 조건: 800V, 2A, 91Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3	재고 있음6,002
SGD02N60BUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 6A 30W TO252-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전류-수집기 펄스 (Icm): 12A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A 전력-최대: 30W 에너지 전환: 64µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 14nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/259ns 테스트 조건: 400V, 2A, 118Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3	재고 있음8,604
SGD04N60BUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 9.4A 50W TO252-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 9.4A 전류-수집기 펄스 (Icm): 19A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 4A 전력-최대: 50W 에너지 전환: 131µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 24nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/237ns 테스트 조건: 400V, 4A, 67Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3	재고 있음4,482
SGD06N60BUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 12A 68W TO252-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전류-수집기 펄스 (Icm): 24A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 6A 전력-최대: 68W 에너지 전환: 215µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 32nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/220ns 테스트 조건: 400V, 6A, 50Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3	재고 있음6,282
SGF23N60UFDM1TU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 23A 75W TO3PF 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 23A 전류-수집기 펄스 (Icm): 92A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A 전력-최대: 75W 에너지 전환: 115µJ (on), 135µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 49nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/60ns 테스트 조건: 300V, 12A, 23Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 60ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-3PF	재고 있음4,050
SGF23N60UFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 23A 75W TO3PF 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 23A 전류-수집기 펄스 (Icm): 92A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A 전력-최대: 75W 에너지 전환: 115µJ (on), 135µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 49nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/60ns 테스트 조건: 300V, 12A, 23Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 60ns 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-3PF	재고 있음8,226
SGF23N60UFTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 23A 75W TO3PF 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 23A 전류-수집기 펄스 (Icm): 92A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A 전력-최대: 75W 에너지 전환: 115µJ (on), 135µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/60ns 테스트 조건: 300V, 12A, 23Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-3PF	재고 있음4,626
SGF40N60UFTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 100W TO3PF 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A 전력-최대: 100W 에너지 전환: 160µJ (on), 200µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 97nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/65ns 테스트 조건: 300V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-3PF	재고 있음6,984
SGF5N150UFTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1500V 10A 62.5W TO3PF 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1500V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전류-수집기 펄스 (Icm): 20A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 5.5V @ 10V, 5A 전력-최대: 62.5W 에너지 전환: 190µJ (on), 100µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 30nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/30ns 테스트 조건: 600V, 5A, 10Ohm, 10V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-3PF	재고 있음5,688
SGF80N60UFTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 80A 110W TO3PF 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 220A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A 전력-최대: 110W 에너지 전환: 570µJ (on), 590µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 175nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/90ns 테스트 조건: 300V, 40A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-3PF	재고 있음5,562
SGH10N60RUFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 16A 75W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전류-수집기 펄스 (Icm): 30A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A 전력-최대: 75W 에너지 전환: 141µJ (on), 215µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 30nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/36ns 테스트 조건: 300V, 10A, 20Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 60ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3PN	재고 있음6,264
SGH15N60RUFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 24A 160W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 24A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 15A 전력-최대: 160W 에너지 전환: 320µJ (on), 356µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 42nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/44ns 테스트 조건: 300V, 15A, 13Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 60ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3PN	재고 있음8,244
SGH15N60RUFTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 24A 160W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 24A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 15A 전력-최대: 160W 에너지 전환: 320µJ (on), 356µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 42nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/44ns 테스트 조건: 300V, 15A, 13Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3PN	재고 있음5,346
SGH20N60RUFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 32A 195W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 32A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A 전력-최대: 195W 에너지 전환: 524µJ (on), 473µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 55nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/48ns 테스트 조건: 300V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 95ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음3,580
SGH23N60UFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 23A 100W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 23A 전류-수집기 펄스 (Icm): 92A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A 전력-최대: 100W 에너지 전환: 115µJ (on), 135µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 49nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/60ns 테스트 조건: 300V, 12A, 23Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 60ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3PN	재고 있음8,064
SGH30N60RUFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 48A 235W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 48A 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 30A 전력-최대: 235W 에너지 전환: 919µJ (on), 814µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 85nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/54ns 테스트 조건: 300V, 30A, 7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 95ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음3,436
SGH30N60RUFTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 48A 235W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 48A 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 30A 전력-최대: 235W 에너지 전환: 919µJ (on), 814µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 85nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/54ns 테스트 조건: 300V, 30A, 7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3PN	재고 있음7,326
SGH40N60UFDM1TU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 160W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A 전력-최대: 160W 에너지 전환: 160µJ (on), 200µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 97nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/65ns 테스트 조건: 300V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 60ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음2,754
SGH40N60UFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 160W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A 전력-최대: 160W 에너지 전환: 160µJ (on), 200µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 97nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/65ns 테스트 조건: 300V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 60ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음6,066
SGH40N60UFTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 160W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A 전력-최대: 160W 에너지 전환: 160µJ (on), 200µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 97nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/65ns 테스트 조건: 300V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음2,340
SGH80N60UFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 80A 195W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 220A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A 전력-최대: 195W 에너지 전환: 570µJ (on), 590µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 175nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/90ns 테스트 조건: 300V, 40A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 95ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음7,704
SGH80N60UFTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 80A 195W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 220A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A 전력-최대: 195W 에너지 전환: 570µJ (on), 590µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 175nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/90ns 테스트 조건: 300V, 40A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음8,802
SGI02N120XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 6.2A 62W TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6.2A 전류-수집기 펄스 (Icm): 9.6A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A 전력-최대: 62W 에너지 전환: 220µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 11nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/260ns 테스트 조건: 800V, 2A, 91Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1	재고 있음7,920
SGL160N60UFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 160A 250W TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 2.5mJ (on), 1.76mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 345nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/90ns 테스트 조건: 300V, 80A, 3.9Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 95ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264-3	재고 있음176,232
SGL160N60UFTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 160A 250W TO3PF 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 2.5mJ (on), 1.76mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 345nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/90ns 테스트 조건: 300V, 80A, 3.9Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264-3	재고 있음7,776
SGL40N150DTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1500V 40A 200W TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1500V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.7V @ 15V, 40A 전력-최대: 200W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 140nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 300ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264-3	재고 있음7,614
SGL40N150TU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1500V 40A 200W TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1500V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.7V @ 15V, 40A 전력-최대: 200W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 140nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264-3	재고 있음4,554

SGB15N60HSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 27A 138W TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 27A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 15A
전력-최대: 138W
에너지 전환: 530µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 80nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/209ns
테스트 조건: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3

재고 있음5,580

SGB20N60ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 179W TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
전력-최대: 179W
에너지 전환: 440µJ (on), 330µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 36ns/225ns
테스트 조건: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3

재고 있음2,430

SGB30N60ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 41A 250W TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 41A
전류-수집기 펄스 (Icm): 112A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 1.29mJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 140nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/291ns
테스트 조건: 400V, 30A, 11Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3

재고 있음2,898

SGD02N120BUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6.2A
전류-수집기 펄스 (Icm): 9.6A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A
전력-최대: 62W
에너지 전환: 220µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 11nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/260ns
테스트 조건: 800V, 2A, 91Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3

재고 있음6,002

SGD02N60BUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 6A 30W TO252-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전류-수집기 펄스 (Icm): 12A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A
전력-최대: 30W
에너지 전환: 64µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 14nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/259ns
테스트 조건: 400V, 2A, 118Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3

재고 있음8,604

SGD04N60BUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 9.4A 50W TO252-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 9.4A
전류-수집기 펄스 (Icm): 19A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 4A
전력-최대: 50W
에너지 전환: 131µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 24nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/237ns
테스트 조건: 400V, 4A, 67Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3

재고 있음4,482

SGD06N60BUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 12A 68W TO252-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전류-수집기 펄스 (Icm): 24A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 6A
전력-최대: 68W
에너지 전환: 215µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 32nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/220ns
테스트 조건: 400V, 6A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3

재고 있음6,282

SGF23N60UFDM1TU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 23A 75W TO3PF

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 23A
전류-수집기 펄스 (Icm): 92A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A
전력-최대: 75W
에너지 전환: 115µJ (on), 135µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 49nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/60ns
테스트 조건: 300V, 12A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 60ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-3PF

재고 있음4,050

SGF23N60UFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 23A 75W TO3PF

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 23A
전류-수집기 펄스 (Icm): 92A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A
전력-최대: 75W
에너지 전환: 115µJ (on), 135µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 49nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/60ns
테스트 조건: 300V, 12A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 60ns
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-3PF

재고 있음8,226

SGF23N60UFTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 23A 75W TO3PF

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 23A
전류-수집기 펄스 (Icm): 92A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A
전력-최대: 75W
에너지 전환: 115µJ (on), 135µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/60ns
테스트 조건: 300V, 12A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-3PF

재고 있음4,626

SGF40N60UFTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 100W TO3PF

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A
전력-최대: 100W
에너지 전환: 160µJ (on), 200µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 97nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/65ns
테스트 조건: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-3PF

재고 있음6,984

SGF5N150UFTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1500V 10A 62.5W TO3PF

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1500V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전류-수집기 펄스 (Icm): 20A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 5.5V @ 10V, 5A
전력-최대: 62.5W
에너지 전환: 190µJ (on), 100µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 30nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/30ns
테스트 조건: 600V, 5A, 10Ohm, 10V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-3PF

재고 있음5,688

SGF80N60UFTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 80A 110W TO3PF

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 220A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
전력-최대: 110W
에너지 전환: 570µJ (on), 590µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 175nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/90ns
테스트 조건: 300V, 40A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-3PF

재고 있음5,562

SGH10N60RUFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 16A 75W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전류-수집기 펄스 (Icm): 30A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A
전력-최대: 75W
에너지 전환: 141µJ (on), 215µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 30nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/36ns
테스트 조건: 300V, 10A, 20Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 60ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3PN

재고 있음6,264

SGH15N60RUFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 24A 160W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 24A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 15A
전력-최대: 160W
에너지 전환: 320µJ (on), 356µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 42nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/44ns
테스트 조건: 300V, 15A, 13Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 60ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3PN

재고 있음8,244

SGH15N60RUFTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 24A 160W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 24A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 15A
전력-최대: 160W
에너지 전환: 320µJ (on), 356µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 42nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/44ns
테스트 조건: 300V, 15A, 13Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3PN

재고 있음5,346

SGH20N60RUFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 32A 195W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 32A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
전력-최대: 195W
에너지 전환: 524µJ (on), 473µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 55nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/48ns
테스트 조건: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 95ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음3,580

SGH23N60UFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 23A 100W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 23A
전류-수집기 펄스 (Icm): 92A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A
전력-최대: 100W
에너지 전환: 115µJ (on), 135µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 49nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/60ns
테스트 조건: 300V, 12A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 60ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3PN

재고 있음8,064

SGH30N60RUFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 48A 235W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 48A
전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 30A
전력-최대: 235W
에너지 전환: 919µJ (on), 814µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 85nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/54ns
테스트 조건: 300V, 30A, 7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 95ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음3,436

SGH30N60RUFTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 48A 235W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 48A
전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 30A
전력-최대: 235W
에너지 전환: 919µJ (on), 814µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 85nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/54ns
테스트 조건: 300V, 30A, 7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3PN

재고 있음7,326

SGH40N60UFDM1TU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 160W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A
전력-최대: 160W
에너지 전환: 160µJ (on), 200µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 97nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/65ns
테스트 조건: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 60ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음2,754

SGH40N60UFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 160W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A
전력-최대: 160W
에너지 전환: 160µJ (on), 200µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 97nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/65ns
테스트 조건: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 60ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음6,066

SGH40N60UFTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 160W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A
전력-최대: 160W
에너지 전환: 160µJ (on), 200µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 97nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/65ns
테스트 조건: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음2,340

SGH80N60UFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 80A 195W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 220A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
전력-최대: 195W
에너지 전환: 570µJ (on), 590µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 175nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/90ns
테스트 조건: 300V, 40A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 95ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음7,704

SGH80N60UFTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 80A 195W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 220A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
전력-최대: 195W
에너지 전환: 570µJ (on), 590µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 175nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/90ns
테스트 조건: 300V, 40A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음8,802

SGI02N120XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 6.2A 62W TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6.2A
전류-수집기 펄스 (Icm): 9.6A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A
전력-최대: 62W
에너지 전환: 220µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 11nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/260ns
테스트 조건: 800V, 2A, 91Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1

재고 있음7,920

SGL160N60UFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 160A 250W TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 2.5mJ (on), 1.76mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 345nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/90ns
테스트 조건: 300V, 80A, 3.9Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 95ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264-3

재고 있음176,232

SGL160N60UFTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 160A 250W TO3PF

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 2.5mJ (on), 1.76mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 345nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/90ns
테스트 조건: 300V, 80A, 3.9Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264-3

재고 있음7,776

SGL40N150DTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1500V 40A 200W TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1500V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.7V @ 15V, 40A
전력-최대: 200W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 140nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 300ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264-3

재고 있음7,614

SGL40N150TU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1500V 40A 200W TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1500V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.7V @ 15V, 40A
전력-최대: 200W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 140nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264-3

재고 있음4,554

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