트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FC8V22040L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 24V 8A WMINI8-F1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1W 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: WMini8-F1	재고 있음25,758
FC8V33030L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 33V 6.5A WMINI8 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 33V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 480µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 10V 전력-최대: 1W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: WMini8-F1	재고 있음6,300
FCAB21490L1 Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CHANNEL 10SMD 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1.11mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3570pF @ 10V 전력-최대: 3.5W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 10-SMD	재고 있음12,342
FCAB21520L1 Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CHANNEL 10SMD 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1.64mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5250pF @ 10V 전력-최대: 3.8W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 10-SMD	재고 있음19,626
FD6M016N03 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 80A EPM15 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Power-SPM™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 295nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11535pF @ 15V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: EPM15 공급자 장치 패키지: EPM15	재고 있음2,844
FD6M033N06 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 73A EPM15 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Power-SPM™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 129nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6010pF @ 25V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: EPM15 공급자 장치 패키지: EPM15	재고 있음6,804
FD6M043N08 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Power-SPM™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 148nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6180pF @ 25V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: EPM15 공급자 장치 패키지: EPM15	재고 있음7,830
FD6M045N06 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Power-SPM™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3890pF @ 25V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: EPM15 공급자 장치 패키지: EPM15	재고 있음2,484
FDC3601N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 153pF @ 50V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음8,496
FDC6000NZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6SSOT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6 FLMP	재고 있음7,686
FDC6000NZ_F077 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6-SSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6 FLMP	재고 있음2,322
FDC6020C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 6SSOT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A, 4.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 677pF @ 10V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6 FLMP	재고 있음5,202
FDC6020C_F077 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 6-SSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A, 4.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 677pF @ 10V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6 FLMP	재고 있음3,258
FDC6036P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 5A 6SSOT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 992pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음5,688
FDC6036P_F077 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 5A 6SSOT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 992pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음3,708
FDC6301N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.5pF @ 10V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음239,010
FDC6301N_G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.5pF @ 10V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음7,938
FDC6302P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11pF @ 10V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음26,388
FDC6303N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음7,416
FDC6304P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 460mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 62pF @ 10V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음110,778
FDC6305N ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 310pF @ 10V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음3,150
FDC6306P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 441pF @ 10V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음5,616
FDC6310P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 337pF @ 10V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음2,556
FDC6312P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 467pF @ 10V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음666,684
FDC6318P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 455pF @ 6V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음23,196
FDC6320C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 25V SSOT6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA, 120mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.5pF @ 10V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음5,886
FDC6321C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680mA, 460mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음3,600
FDC6322C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA, 460mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.5pF @ 10V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음5,058
FDC6327C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A, 1.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 10V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음259,572
FDC6333C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 282pF @ 15V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6	재고 있음356,982

FC8V22040L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 24V 8A WMINI8-F1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1W
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: WMini8-F1

재고 있음25,758

FC8V33030L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 33V 6.5A WMINI8

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 33V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 480µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 10V
전력-최대: 1W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: WMini8-F1

재고 있음6,300

FCAB21490L1

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 10SMD

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3570pF @ 10V
전력-최대: 3.5W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 10-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 10-SMD

재고 있음12,342

FCAB21520L1

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 10SMD

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1.64mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5250pF @ 10V
전력-최대: 3.8W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 10-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 10-SMD

재고 있음19,626

FD6M016N03

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 80A EPM15

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Power-SPM™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 295nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11535pF @ 15V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: EPM15
공급자 장치 패키지: EPM15

재고 있음2,844

FD6M033N06

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 73A EPM15

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Power-SPM™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 129nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6010pF @ 25V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: EPM15
공급자 장치 패키지: EPM15

재고 있음6,804

FD6M043N08

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Power-SPM™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 148nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6180pF @ 25V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: EPM15
공급자 장치 패키지: EPM15

재고 있음7,830

FD6M045N06

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Power-SPM™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3890pF @ 25V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: EPM15
공급자 장치 패키지: EPM15

재고 있음2,484

FDC3601N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 153pF @ 50V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음8,496

FDC6000NZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6SSOT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6 FLMP

재고 있음7,686

FDC6000NZ_F077

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6-SSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6 FLMP

재고 있음2,322

FDC6020C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 6SSOT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A, 4.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 677pF @ 10V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6 FLMP

재고 있음5,202

FDC6020C_F077

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 6-SSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A, 4.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 677pF @ 10V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6 FLMP

재고 있음3,258

FDC6036P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 5A 6SSOT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 992pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음5,688

FDC6036P_F077

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 5A 6SSOT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 992pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음3,708

FDC6301N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.5pF @ 10V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음239,010

FDC6301N_G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.5pF @ 10V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음7,938

FDC6302P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11pF @ 10V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음26,388

FDC6303N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음7,416

FDC6304P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 460mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 62pF @ 10V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음110,778

FDC6305N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 310pF @ 10V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음3,150

FDC6306P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 441pF @ 10V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음5,616

FDC6310P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 337pF @ 10V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음2,556

FDC6312P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 467pF @ 10V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음666,684

FDC6318P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 455pF @ 6V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음23,196

FDC6320C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 25V SSOT6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA, 120mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.5pF @ 10V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음5,886

FDC6321C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680mA, 460mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음3,600

FDC6322C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA, 460mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.5pF @ 10V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음5,058

FDC6327C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A, 1.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 10V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음259,572

FDC6333C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, 2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 282pF @ 15V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6

재고 있음356,982

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