트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
EPC2100ENGRT EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 40A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음26,922
EPC2101 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 38A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음98,832
EPC2101ENG EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 38A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 30V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음3,384
EPC2101ENGRT EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 38A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 30V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음35,766
EPC2102 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 30V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음87,732
EPC2102ENG EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 30V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음6,804
EPC2102ENGRT EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tj) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 30V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음53,898
EPC2103 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 40V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음78,552
EPC2103ENG EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 40V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음5,076
EPC2103ENGRT EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 40V 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음45,828
EPC2104 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 50V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음78,798
EPC2104ENG EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 50V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음3,744
EPC2104ENGRT EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GANFET 2NCH 100V 23A DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 50V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음16,584
EPC2105 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 38A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음100,422
EPC2105ENG EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 38A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 40V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음5,796
EPC2105ENGRT EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 40V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음5,076
EPC2106 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 600µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.73nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 50V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음78,744
EPC2106ENGRT EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 600µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.73nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 50V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음62,904
EPC2107 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GANFET 3 N-CH 100V 9BGA 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A, 500mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-VFBGA 공급자 장치 패키지: 9-BGA (1.35x1.35)	재고 있음36,030
EPC2107ENGRT EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A, 500mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-VFBGA 공급자 장치 패키지: 9-BGA (1.35x1.35)	재고 있음4,140
EPC2108 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A, 500mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-VFBGA 공급자 장치 패키지: 9-BGA (1.35x1.35)	재고 있음23,286
EPC2110 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 120V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 700µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 80pF @ 60V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음4,680
EPC2110ENGRT EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 120V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 700µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 80pF @ 60V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음92,868
EPC2111 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID 제조업체: EPC 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음3,137
EPC2111ENGRT EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID 제조업체: EPC 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음2,430
FC4B22270L1 Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CHANNEL 4SMD 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 310µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 910pF @ 10V 전력-최대: 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-XFLGA, CSP 공급자 장치 패키지: ULGA004-W-1313-RA	재고 있음19,884
FC6546010R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SMINI6-F3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V 전력-최대: 150mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: SMini6-F3-B	재고 있음57,252
FC6943010R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SSMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V 전력-최대: 125mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B	재고 있음69,846
FC6946010R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SSMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V 전력-최대: 125mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B	재고 있음304,686
FC8J33040L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 33V 5A WMINI8-F1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 33V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 260µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 10V 전력-최대: 1W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: WMini8-F1	재고 있음3,436

EPC2100ENGRT

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음26,922

EPC2101

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 38A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음98,832

EPC2101ENG

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 38A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 30V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음3,384

EPC2101ENGRT

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 38A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 30V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음35,766

EPC2102

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 30V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음87,732

EPC2102ENG

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 30V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음6,804

EPC2102ENGRT

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tj)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 30V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음53,898

EPC2103

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 40V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음78,552

EPC2103ENG

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 40V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음5,076

EPC2103ENGRT

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 40V
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음45,828

EPC2104

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 50V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음78,798

EPC2104ENG

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 50V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음3,744

EPC2104ENGRT

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GANFET 2NCH 100V 23A DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 50V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음16,584

EPC2105

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 38A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음100,422

EPC2105ENG

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 38A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 40V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음5,796

EPC2105ENGRT

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 40V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음5,076

EPC2106

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 600µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 50V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음78,744

EPC2106ENGRT

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 600µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 50V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음62,904

EPC2107

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GANFET 3 N-CH 100V 9BGA

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A, 500mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 9-VFBGA
공급자 장치 패키지: 9-BGA (1.35x1.35)

재고 있음36,030

EPC2107ENGRT

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A, 500mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 9-VFBGA
공급자 장치 패키지: 9-BGA (1.35x1.35)

재고 있음4,140

EPC2108

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A, 500mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 9-VFBGA
공급자 장치 패키지: 9-BGA (1.35x1.35)

재고 있음23,286

EPC2110

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 120V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 700µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 80pF @ 60V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음4,680

EPC2110ENGRT

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 120V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 700µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 80pF @ 60V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음92,868

EPC2111

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

제조업체: EPC
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음3,137

EPC2111ENGRT

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

제조업체: EPC
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음2,430

FC4B22270L1

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 4SMD

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 310µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 910pF @ 10V
전력-최대: 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-XFLGA, CSP
공급자 장치 패키지: ULGA004-W-1313-RA

재고 있음19,884

FC6546010R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SMINI6-F3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V
전력-최대: 150mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: SMini6-F3-B

재고 있음57,252

FC6943010R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SSMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V
전력-최대: 125mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B

재고 있음69,846

FC6946010R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SSMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V
전력-최대: 125mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B

재고 있음304,686

FC8J33040L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 33V 5A WMINI8-F1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 33V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 260µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 10V
전력-최대: 1W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: WMini8-F1

재고 있음3,436

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