트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ECH8654-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 960pF @ 10V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음43,310
ECH8654-TL-HQ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음8,064
ECH8654-TL-HX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 INTEGRATED CIRCUIT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,876
ECH8655R-R-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음3,546
ECH8655R-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음4,788
ECH8657-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 35V 4.5A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 20V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음5,994
ECH8659-M-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 10V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음6,174
ECH8659-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 10V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음4,896
ECH8659-TL-HX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음4,626
ECH8659-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 10V 전력-최대: 1.3W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: SOT-28FL/ECH8	재고 있음7,578
ECH8660-S-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음3,582
ECH8660-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 240pF @ 10V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음288,204
ECH8661-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 10V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음7,776
ECH8661-TL-HX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 INTEGRATED CIRCUIT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,434
ECH8662-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V 6.5A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 20V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음4,626
ECH8662-TL-HX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,190
ECH8663R-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음4,302
ECH8664R-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음23,450
ECH8667-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 5.5A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음2,268
ECH8667-TL-HX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 5.5A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음2,034
ECH8668-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 10V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음8,460
ECH8672-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 3.5A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음3,942
ECH8675-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4.5A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 10V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음2,988
ECH8690-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 955pF @ 20V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음29,652
ECH8691-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음34,441
ECH8693R-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 24V 14A SOT-28 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: SOT-28FL/ECH8	재고 있음5,436
ECH8695R-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: SOT-28FL/ECH8	재고 있음8,568
ECH8697R-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-28 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: SOT-28FL/ECH8	재고 있음68,616
EFC2J003NUZTCG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH 12V DUAL WLCSP6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,852
EFC2J004NUZTDG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET NCH 12V WLCSP6 DUAL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,660

ECH8654-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 960pF @ 10V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음43,310

ECH8654-TL-HQ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음8,064

ECH8654-TL-HX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

INTEGRATED CIRCUIT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,876

ECH8655R-R-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음3,546

ECH8655R-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음4,788

ECH8657-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 35V 4.5A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 35V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 20V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음5,994

ECH8659-M-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 10V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음6,174

ECH8659-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 10V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음4,896

ECH8659-TL-HX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음4,626

ECH8659-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 10V
전력-최대: 1.3W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: SOT-28FL/ECH8

재고 있음7,578

ECH8660-S-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음3,582

ECH8660-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 240pF @ 10V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음288,204

ECH8661-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, 5.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 10V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음7,776

ECH8661-TL-HX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

INTEGRATED CIRCUIT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,434

ECH8662-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 6.5A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 20V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음4,626

ECH8662-TL-HX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,190

ECH8663R-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음4,302

ECH8664R-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음23,450

ECH8667-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 5.5A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음2,268

ECH8667-TL-HX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 5.5A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음2,034

ECH8668-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 10V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음8,460

ECH8672-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 3.5A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음3,942

ECH8675-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 10V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음2,988

ECH8690-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 955pF @ 20V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음29,652

ECH8691-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음34,441

ECH8693R-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 24V 14A SOT-28

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: SOT-28FL/ECH8

재고 있음5,436

ECH8695R-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: SOT-28FL/ECH8

재고 있음8,568

ECH8697R-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-28

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: SOT-28FL/ECH8

재고 있음68,616

EFC2J003NUZTCG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH 12V DUAL WLCSP6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,852

EFC2J004NUZTDG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET NCH 12V WLCSP6 DUAL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,660

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