트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
EFC6618R-A-TF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH EFCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,202
EFC8811R-TF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 6CSP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 6-CSP (1.77x3.54)	재고 있음8,604
EFC8822R-TF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH DUAL 6CSP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,128
EFC8822R-X-TF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH DUAL 6CSP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,884
EM5K5T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.3A EMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 300mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 150mW 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 공급자 장치 패키지: EMT5	재고 있음89,358
EM6J1T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 10V 전력-최대: 150mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음6,210
EM6K1T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 5V 전력-최대: 150mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음69,276
EM6K31GT2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 25V 전력-최대: 120mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음7,164
EM6K31T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 25V 전력-최대: 150mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음2,754
EM6K33T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 1.2V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V 전력-최대: 150mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음4,734
EM6K34T2CR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 0.9V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26pF @ 10V 전력-최대: 120mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음806,838
EM6K6T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V 전력-최대: 150mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음4,068
EM6K7T2CR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V 전력-최대: 150mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음92,124
EM6K7T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V 전력-최대: 150mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음2,880
EM6M1T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 5V 전력-최대: 150mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음254,610
EM6M2T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V 전력-최대: 150mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음849,726
EMH2308-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 3A EMH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V 전력-최대: 1W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-EMH	재고 있음2,358
EMH2314-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 5A EMH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 6V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-EMH	재고 있음24,437
EMH2407-S-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-EMH	재고 있음56,673
EMH2407-S-TL-HX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-EMH	재고 있음5,274
EMH2407-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 580pF @ 10V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-EMH	재고 있음6,930
EMH2408-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 4A EMH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 345pF @ 10V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-EMH	재고 있음7,416
EMH2409-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 4A EMH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 240pF @ 10V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-EMH	재고 있음6,678
EMH2411R-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 5A EMH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-EMH	재고 있음2,988
EMH2412-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 24V 6A EMH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-EMH	재고 있음3,708
EMH2417R-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 12V 11A EMH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: SOT-383FL, EMH8	재고 있음6,876
EMH2418R-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 24V 9A EMH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: SOT-383FL, EMH8	재고 있음8,730
EMH2604-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A EMH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 345pF @ 10V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-EMH	재고 있음4,104
EPC2100 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 40A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음59,664
EPC2100ENG EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GAN TRANS 2N-CH 30V BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 40A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음2,502

EFC6618R-A-TF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH EFCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,202

EFC8811R-TF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 6CSP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 6-CSP (1.77x3.54)

재고 있음8,604

EFC8822R-TF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH DUAL 6CSP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,128

EFC8822R-X-TF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH DUAL 6CSP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,884

EM5K5T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.3A EMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 150mW
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
공급자 장치 패키지: EMT5

재고 있음89,358

EM6J1T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 10V
전력-최대: 150mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음6,210

EM6K1T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 5V
전력-최대: 150mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음69,276

EM6K31GT2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 25V
전력-최대: 120mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음7,164

EM6K31T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 25V
전력-최대: 150mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음2,754

EM6K33T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 1.2V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V
전력-최대: 150mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음4,734

EM6K34T2CR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 0.9V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26pF @ 10V
전력-최대: 120mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음806,838

EM6K6T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V
전력-최대: 150mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음4,068

EM6K7T2CR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V
전력-최대: 150mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음92,124

EM6K7T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V
전력-최대: 150mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음2,880

EM6M1T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 5V
전력-최대: 150mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음254,610

EM6M2T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V
전력-최대: 150mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음849,726

EMH2308-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 3A EMH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V
전력-최대: 1W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-EMH

재고 있음2,358

EMH2314-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 5A EMH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 6V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-EMH

재고 있음24,437

EMH2407-S-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-EMH

재고 있음56,673

EMH2407-S-TL-HX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-EMH

재고 있음5,274

EMH2407-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 580pF @ 10V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-EMH

재고 있음6,930

EMH2408-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4A EMH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 345pF @ 10V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-EMH

재고 있음7,416

EMH2409-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 4A EMH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 240pF @ 10V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-EMH

재고 있음6,678

EMH2411R-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5A EMH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-EMH

재고 있음2,988

EMH2412-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 24V 6A EMH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-EMH

재고 있음3,708

EMH2417R-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 12V 11A EMH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: SOT-383FL, EMH8

재고 있음6,876

EMH2418R-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 24V 9A EMH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: SOT-383FL, EMH8

재고 있음8,730

EMH2604-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A EMH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 345pF @ 10V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-EMH

재고 있음4,104

EPC2100

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음59,664

EPC2100ENG

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GAN TRANS 2N-CH 30V BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음2,502

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