트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
EFC2J011NUZTDG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH 12V 55A 10WLCSP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,142
EFC2J013NUZTDG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH 12V 17A WLCSP6 DUAL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.8W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (2x1.49)	재고 있음14,475
EFC2J017NUZTDG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CHANNEL 6WLCSP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFBGA, WLCSP 공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.77x3.05)	재고 있음7,830
EFC2K102NUZTDG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V, 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 3.8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 3.1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 10-WLCSP (2.98x1.49)	재고 있음6,246
EFC3C001NUZTCG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CHANNEL 4WLCSP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.6W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP 공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (1.26x1.26)	재고 있음8,424
EFC3J018NUZTDG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFBGA, WLCSP 공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.77x3.05)	재고 있음6,480
EFC4618R-P-TR ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH EFCP1818 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.6W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-XBGA, 4-FCBGA 공급자 장치 패키지: EFCP1313-4CC-037	재고 있음3,490
EFC4618R-TR ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH EFCP1818 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.6W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-XBGA, 4-FCBGA 공급자 장치 패키지: EFCP1818-4CC-037	재고 있음7,308
EFC4619R-TR ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH EFCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.6W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, FCBGA 공급자 장치 패키지: EFCP1616-4CE-022	재고 있음5,220
EFC4621R-TR ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH EFCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.6W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, FCBGA 공급자 장치 패키지: EFCP1616-4CE-022	재고 있음4,914
EFC4622R-R-W-E-TR ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 INTEGRATED CIRCUIT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,346
EFC4626R-TR ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-XFBGA 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,848
EFC4627R-A-TR ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-XFBGA 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,880
EFC4627R-TR ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, FCBGA 공급자 장치 패키지: 4-EFCP (1.01x1.01)	재고 있음4,158
EFC4630R-TR ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 INTEGRATED CIRCUIT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.6W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-XFBGA 공급자 장치 패키지: EFCP1313-4CC-037	재고 있음2,484
EFC4C002NLTDG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CHANNEL 8WLCSP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6200pF @ 15V 전력-최대: 2.6W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-XFBGA, WLCSP 공급자 장치 패키지: 8-WLCSP (6x2.5)	재고 있음4,464
EFC4C012NLTDG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (3.5x1.9)	재고 있음3,888
EFC6601R-A-TR ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH EFCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFBGA, FCBGA 공급자 장치 패키지: EFCP2718-6CE-020	재고 있음3,924
EFC6601R-TR ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH EFCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFBGA, FCBGA 공급자 장치 패키지: EFCP2718-6CE-020	재고 있음3,060
EFC6602R-A-TR ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH EFCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFBGA, FCBGA 공급자 장치 패키지: EFCP2718-6CE-020	재고 있음2,232
EFC6602R-TR ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH EFCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFBGA, FCBGA 공급자 장치 패키지: EFCP2718-6CE-020	재고 있음6,570
EFC6604R-TR ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH EFCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.6W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFBGA 공급자 장치 패키지: 6-EFCP (1.9x1.46)	재고 있음5,364
EFC6605R-TR ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH EFCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.6W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 6-EFCP (1.9x1.46)	재고 있음9,276
EFC6605R-V-TR ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH DUAL 10A 24V 6XFLGA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,174
EFC6611R-A-TF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,640
EFC6611R-TF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 6-CSP (1.77x3.54)	재고 있음2,898
EFC6612R-A-TF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2.5W 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 6-CSP (1.77x3.54)	재고 있음7,272
EFC6612R-TF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 6-CSP (1.77x3.54)	재고 있음12,551
EFC6617R-A-TF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH DUAL 2.5V 6CSP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,884
EFC6617R-TF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH EFCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,382

EFC2J011NUZTDG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH 12V 55A 10WLCSP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,142

EFC2J013NUZTDG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH 12V 17A WLCSP6 DUAL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.8W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (2x1.49)

재고 있음14,475

EFC2J017NUZTDG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 6WLCSP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFBGA, WLCSP
공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.77x3.05)

재고 있음7,830

EFC2K102NUZTDG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V,

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 3.8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 3.1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 10-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 10-WLCSP (2.98x1.49)

재고 있음6,246

EFC3C001NUZTCG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 4WLCSP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.6W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP
공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (1.26x1.26)

재고 있음8,424

EFC3J018NUZTDG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFBGA, WLCSP
공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.77x3.05)

재고 있음6,480

EFC4618R-P-TR

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH EFCP1818

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.6W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-XBGA, 4-FCBGA
공급자 장치 패키지: EFCP1313-4CC-037

재고 있음3,490

EFC4618R-TR

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH EFCP1818

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.6W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-XBGA, 4-FCBGA
공급자 장치 패키지: EFCP1818-4CC-037

재고 있음7,308

EFC4619R-TR

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH EFCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.6W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, FCBGA
공급자 장치 패키지: EFCP1616-4CE-022

재고 있음5,220

EFC4621R-TR

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH EFCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.6W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, FCBGA
공급자 장치 패키지: EFCP1616-4CE-022

재고 있음4,914

EFC4622R-R-W-E-TR

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

INTEGRATED CIRCUIT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,346

EFC4626R-TR

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-XFBGA
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,848

EFC4627R-A-TR

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-XFBGA
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,880

EFC4627R-TR

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, FCBGA
공급자 장치 패키지: 4-EFCP (1.01x1.01)

재고 있음4,158

EFC4630R-TR

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

INTEGRATED CIRCUIT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.6W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-XFBGA
공급자 장치 패키지: EFCP1313-4CC-037

재고 있음2,484

EFC4C002NLTDG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 8WLCSP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6200pF @ 15V
전력-최대: 2.6W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-XFBGA, WLCSP
공급자 장치 패키지: 8-WLCSP (6x2.5)

재고 있음4,464

EFC4C012NLTDG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (3.5x1.9)

재고 있음3,888

EFC6601R-A-TR

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH EFCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFBGA, FCBGA
공급자 장치 패키지: EFCP2718-6CE-020

재고 있음3,924

EFC6601R-TR

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH EFCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFBGA, FCBGA
공급자 장치 패키지: EFCP2718-6CE-020

재고 있음3,060

EFC6602R-A-TR

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH EFCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFBGA, FCBGA
공급자 장치 패키지: EFCP2718-6CE-020

재고 있음2,232

EFC6602R-TR

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH EFCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFBGA, FCBGA
공급자 장치 패키지: EFCP2718-6CE-020

재고 있음6,570

EFC6604R-TR

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH EFCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.6W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFBGA
공급자 장치 패키지: 6-EFCP (1.9x1.46)

재고 있음5,364

EFC6605R-TR

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH EFCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.6W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 6-EFCP (1.9x1.46)

재고 있음9,276

EFC6605R-V-TR

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH DUAL 10A 24V 6XFLGA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,174

EFC6611R-A-TF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,640

EFC6611R-TF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 6-CSP (1.77x3.54)

재고 있음2,898

EFC6612R-A-TF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 6-CSP (1.77x3.54)

재고 있음7,272

EFC6612R-TF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 6-CSP (1.77x3.54)

재고 있음12,551

EFC6617R-A-TF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH DUAL 2.5V 6CSP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,884

EFC6617R-TF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH EFCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,382

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