트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DMT47M2LDVQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,874
DMT6018LDR-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.8A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 869pF @ 30V 전력-최대: 1.9W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: V-DFN3030-8	재고 있음8,568
DMT6018LDR-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030- 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.8A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 869pF @ 30V 전력-최대: 1.9W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: V-DFN3030-8	재고 있음202
DMTH4007SPD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2026pF @ 30V 전력-최대: 2.6W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8	재고 있음4,950
DMTH4007SPDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2026pF @ 30V 전력-최대: 2.6W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8	재고 있음3,834
DMTH4011SPD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.1A (Ta), 42A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 805pF @ 20V 전력-최대: 2.6W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8	재고 있음4,356
DMTH4011SPDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.1A (Ta), 42A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 805pF @ 20V 전력-최대: 2.6W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8	재고 있음23,226
DMTH4014LPD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.6A (Ta), 43.6A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 733pF @ 20V 전력-최대: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8	재고 있음3,312
DMTH4014LPDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.6A (Ta), 43.6A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 733pF @ 20V 전력-최대: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8	재고 있음8,388
DMTH6010LPD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2615pF @ 30V 전력-최대: 2.8W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8	재고 있음1,440
DMTH6010LPDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2615pF @ 30V 전력-최대: 2.8W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8	재고 있음7,182
DMTH6016LPD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Ta), 33.2A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 864pF @ 30V 전력-최대: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8	재고 있음5,904
DMTH6016LPDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Ta), 33.2A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 864pF @ 30V 전력-최대: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8	재고 있음3,418
DMTH6016LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 864pF @ 30V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,218
DMTH6016LSDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 864pF @ 30V 전력-최대: 1.4W, 1.9W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,536
DN2625DK6-G Microchip Technology	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.04nC @ 1.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 25V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x5)	재고 있음6,300
ECH8601M-C-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음5,940
ECH8601M-P-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,934
ECH8601M-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH 24V 8A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음4,068
ECH8601M-TL-H-P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음5,076
ECH8602M-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음7,020
ECH8619-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 20V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음3,186
ECH8649-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 10V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음9,048
ECH8651R-R-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음6,750
ECH8651R-R-TL-HX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 INTEGRATED CIRCUIT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,730
ECH8651R-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음2,448
ECH8651R-TL-HX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음4,248
ECH8652-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 6A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 6V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음3,438
ECH8653-S-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음5,472
ECH8653-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.5nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1280pF @ 10V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음8,136

DMT47M2LDVQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,874

DMT6018LDR-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.8A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 869pF @ 30V
전력-최대: 1.9W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: V-DFN3030-8

재고 있음8,568

DMT6018LDR-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.8A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 869pF @ 30V
전력-최대: 1.9W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: V-DFN3030-8

재고 있음202

DMTH4007SPD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2026pF @ 30V
전력-최대: 2.6W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8

재고 있음4,950

DMTH4007SPDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2026pF @ 30V
전력-최대: 2.6W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8

재고 있음3,834

DMTH4011SPD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.1A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 805pF @ 20V
전력-최대: 2.6W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8

재고 있음4,356

DMTH4011SPDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.1A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 805pF @ 20V
전력-최대: 2.6W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8

재고 있음23,226

DMTH4014LPD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 733pF @ 20V
전력-최대: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8

재고 있음3,312

DMTH4014LPDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 733pF @ 20V
전력-최대: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8

재고 있음8,388

DMTH6010LPD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2615pF @ 30V
전력-최대: 2.8W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8

재고 있음1,440

DMTH6010LPDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2615pF @ 30V
전력-최대: 2.8W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8

재고 있음7,182

DMTH6016LPD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 864pF @ 30V
전력-최대: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8

재고 있음5,904

DMTH6016LPDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 864pF @ 30V
전력-최대: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8

재고 있음3,418

DMTH6016LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 864pF @ 30V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,218

DMTH6016LSDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 864pF @ 30V
전력-최대: 1.4W, 1.9W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음4,536

DN2625DK6-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Depletion Mode
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.04nC @ 1.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 25V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x5)

재고 있음6,300

ECH8601M-C-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음5,940

ECH8601M-P-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,934

ECH8601M-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH 24V 8A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음4,068

ECH8601M-TL-H-P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음5,076

ECH8602M-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음7,020

ECH8619-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 20V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음3,186

ECH8649-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 10V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음9,048

ECH8651R-R-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음6,750

ECH8651R-R-TL-HX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

INTEGRATED CIRCUIT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,730

ECH8651R-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음2,448

ECH8651R-TL-HX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음4,248

ECH8652-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 6A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 6V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음3,438

ECH8653-S-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음5,472

ECH8653-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.5nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1280pF @ 10V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음8,136

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