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MRF6VP121KHR5

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230H

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
• 주파수: 1.03GHz
• 이득: 20dB
• 전압-테스트: 50V
• 전류 정격 (Amps): -
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 150mA
• 전원-출력: 1000W
• 전압-정격: 110V
• 패키지 / 케이스: NI-1230
• 공급자 장치 패키지: NI-1230

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A2T21H410-24SR6

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS RF LDMOS

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
• 주파수: 2.17GHz
• 이득: 15.6dB
• 전압-테스트: 28V
• 전류 정격 (Amps): -
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 600mA
• 전원-출력: 72W
• 전압-정격: 65V
• 패키지 / 케이스: NI-1230-4LS2L
• 공급자 장치 패키지: NI-1230-4LS2L

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AFT18H356-24SR6

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-4

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: -
• 주파수: 1.88GHz
• 이득: 15dB
• 전압-테스트: 28V
• 전류 정격 (Amps): -
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 1.1A
• 전원-출력: 63W
• 전압-정격: 65V
• 패키지 / 케이스: NI-1230-4LS2L
• 공급자 장치 패키지: NI-1230-4LS2L

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AFT18P350-4S2LR6

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
• 주파수: 1.81GHz
• 이득: 16.1dB
• 전압-테스트: 28V
• 전류 정격 (Amps): -
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 1A
• 전원-출력: 63W
• 전압-정격: 65V
• 패키지 / 케이스: NI-1230-4LS2L
• 공급자 장치 패키지: NI-1230-4LS2L

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A2T20H330W24SR6

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS RF LDMOS

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
• 주파수: 1.88GHz
• 이득: 16.5dB
• 전압-테스트: 28V
• 전류 정격 (Amps): -
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 700mA
• 전원-출력: 58W
• 전압-정격: 65V
• 패키지 / 케이스: NI-1230-4LS2L
• 공급자 장치 패키지: NI-1230-4LS2L

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AFT21S230SR3

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS
• 주파수: 2.11GHz
• 이득: 16.7dB
• 전압-테스트: 28V
• 전류 정격 (Amps): -
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 1.5A
• 전원-출력: 50W
• 전압-정격: 65V
• 패키지 / 케이스: NI-780S
• 공급자 장치 패키지: NI-780S-6

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A2T07H310-24SR6

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 2CH 70V 880MHZ

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
• 주파수: 880MHz
• 이득: 18.6dB
• 전압-테스트: 28V
• 전류 정격 (Amps): -
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 700mA
• 전원-출력: 47W
• 전압-정격: 70V
• 패키지 / 케이스: NI-1230-4LS2L
• 공급자 장치 패키지: NI-1230-4LS2L

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AFT18S260W31GSR3

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS RF LDMOS

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS
• 주파수: 1.88GHz
• 이득: 19.6dB
• 전압-테스트: 28V
• 전류 정격 (Amps): -
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 1.8A
• 전원-출력: 50W
• 전압-정격: 65V
• 패키지 / 케이스: NI-780GS-2L2LA
• 공급자 장치 패키지: NI-780GS-2L2LA

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AFT18S290-13SR3

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 1.96GHZ NI-880X-2L4S

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS
• 주파수: 1.96GHz
• 이득: 18.2dB
• 전압-테스트: 28V
• 전류 정격 (Amps): -
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 2A
• 전원-출력: 63W
• 전압-정격: 65V
• 패키지 / 케이스: NI-880XS-6
• 공급자 장치 패키지: NI-880XS-6

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AFT09S282NR3

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 70V 960MHZ OM-780-2

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS
• 주파수: 960MHz
• 이득: 20dB
• 전압-테스트: 28V
• 전류 정격 (Amps): -
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 1.4A
• 전원-출력: 80W
• 전압-정격: 70V
• 패키지 / 케이스: OM-780-2
• 공급자 장치 패키지: OM-780-2

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A2T18H100-25SR3

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 1.81GHZ

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
• 주파수: 1.81GHz
• 이득: 18.1dB
• 전압-테스트: 28V
• 전류 정격 (Amps): -
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 230mA
• 전원-출력: 18W
• 전압-정격: 65V
• 패키지 / 케이스: NI-780-4S4
• 공급자 장치 패키지: NI-780-4S4

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AFT26H250-24SR6

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS
• 주파수: 2.5GHz
• 이득: 14.1dB
• 전압-테스트: 28V
• 전류 정격 (Amps): -
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 700mA
• 전원-출력: 50W
• 전압-정격: 65V
• 패키지 / 케이스: NI-1230-4LS2L
• 공급자 장치 패키지: NI-1230-4LS2L

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AFT23S160W02SR3

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS
• 주파수: 2.4GHz
• 이득: 17.9dB
• 전압-테스트: 28V
• 전류 정격 (Amps): -
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 1.1A
• 전원-출력: 45W
• 전압-정격: 65V
• 패키지 / 케이스: NI-780S
• 공급자 장치 패키지: NI-780S

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A2V09H300-04NR3

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS
• 주파수: 720MHz ~ 960MHz
• 이득: 19.7dB
• 전압-테스트: 48V
• 전류 정격 (Amps): 10µA
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 400mA
• 전원-출력: 53dBm
• 전압-정격: 105V
• 패키지 / 케이스: OM-780-4L
• 공급자 장치 패키지: OM-780-4L

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AFT21S232SR3

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-2

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS
• 주파수: 2.11GHz
• 이득: 16.7dB
• 전압-테스트: 28V
• 전류 정격 (Amps): -
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 1.5A
• 전원-출력: 50W
• 전압-정격: 65V
• 패키지 / 케이스: NI-780S
• 공급자 장치 패키지: NI-780S

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MRFE6VP6300HR3

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
• 주파수: 230MHz
• 이득: 26.5dB
• 전압-테스트: 50V
• 전류 정격 (Amps): -
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 100mA
• 전원-출력: 300W
• 전압-정격: 130V
• 패키지 / 케이스: NI780-4
• 공급자 장치 패키지: NI-780-4

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MRF24301HR5

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

250W AF17 2450MHZ NI-780

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS
• 주파수: 2.4GHz ~ 2.5GHz
• 이득: 13.5dB
• 전압-테스트: -
• 전류 정격 (Amps): -
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: -
• 전원-출력: 300W
• 전압-정격: -
• 패키지 / 케이스: SOT-957A
• 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L

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A2T18S262W12NR3

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS
• 주파수: 1.805GHz ~ 1.88GHz
• 이득: 19.3dB
• 전압-테스트: 28V
• 전류 정격 (Amps): 10µA
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 1.6A
• 전원-출력: 231W
• 전압-정격: 65V
• 패키지 / 케이스: OM-880X-2L2L
• 공급자 장치 패키지: OM-880X-2L2L

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BLA6H0912LS-1000U

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B

• 제조업체: Ampleon USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
• 주파수: 1.03GHz
• 이득: 15.5dB
• 전압-테스트: 50V
• 전류 정격 (Amps): -
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 200mA
• 전원-출력: 1000W
• 전압-정격: 100V
• 패키지 / 케이스: SOT539B
• 공급자 장치 패키지: SOT539B

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ARF1519

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF PWR MOSFET 1000V 20A DIE

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: N-Channel
• 주파수: 13.56MHz
• 이득: 20dB
• 전압-테스트: 200V
• 전류 정격 (Amps): 20A
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: -
• 전원-출력: 750W
• 전압-정격: 1000V
• 패키지 / 케이스: Die
• 공급자 장치 패키지: Die

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BLA6H1011-600,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A

• 제조업체: Ampleon USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
• 주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz
• 이득: 17dB
• 전압-테스트: 48V
• 전류 정격 (Amps): 72A
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 100mA
• 전원-출력: 600W
• 전압-정격: 100V
• 패키지 / 케이스: SOT539A
• 공급자 장치 패키지: SOT539A

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BLA6H0912-500,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A

• 제조업체: Ampleon USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS
• 주파수: 960MHz ~ 1.22GHz
• 이득: 17dB
• 전압-테스트: 50V
• 전류 정격 (Amps): 54A
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 100mA
• 전원-출력: 450W
• 전압-정격: 100V
• 패키지 / 케이스: SOT634A
• 공급자 장치 패키지: CDFM2

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BLS7G2730LS-200PU

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539B

• 제조업체: Ampleon USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
• 주파수: 2.7GHz ~ 3GHz
• 이득: 12dB
• 전압-테스트: 32V
• 전류 정격 (Amps): -
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 100mA
• 전원-출력: 200W
• 전압-정격: 65V
• 패키지 / 케이스: SOT539B
• 공급자 장치 패키지: SOT539B

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BLS7G2730L-200PU

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539A

• 제조업체: Ampleon USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
• 주파수: 2.7GHz ~ 3GHz
• 이득: 12dB
• 전압-테스트: 32V
• 전류 정격 (Amps): -
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 100mA
• 전원-출력: 200W
• 전압-정격: 65V
• 패키지 / 케이스: SOT539A
• 공급자 장치 패키지: SOT539A

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CLF1G0035-200PU

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET 50V 11DB SOT1228A

• 제조업체: Ampleon USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: -
• 주파수: -
• 이득: -
• 전압-테스트: -
• 전류 정격 (Amps): -
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: -
• 전원-출력: -
• 전압-정격: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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BLL6H1214L-250,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A

• 제조업체: Ampleon USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS
• 주파수: 1.2GHz ~ 1.4GHz
• 이득: 17dB
• 전압-테스트: 50V
• 전류 정격 (Amps): 42A
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 100mA
• 전원-출력: 250W
• 전압-정격: 100V
• 패키지 / 케이스: SOT-502A
• 공급자 장치 패키지: LDMOST

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BLS6G3135-120,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502A

• 제조업체: Ampleon USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS
• 주파수: 3.1GHz ~ 3.5GHz
• 이득: 11dB
• 전압-테스트: 32V
• 전류 정격 (Amps): 7.2A
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 100mA
• 전원-출력: 120W
• 전압-정격: 60V
• 패키지 / 케이스: SOT-502A
• 공급자 장치 패키지: LDMOST

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BLS6G3135S-120,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B

• 제조업체: Ampleon USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS
• 주파수: 3.1GHz ~ 3.5GHz
• 이득: 11dB
• 전압-테스트: 32V
• 전류 정격 (Amps): 7.2A
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 100mA
• 전원-출력: 120W
• 전압-정격: 60V
• 패키지 / 케이스: SOT-502B
• 공급자 장치 패키지: SOT502B

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BLS6G2731S-130,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221

• 제조업체: Ampleon USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS
• 주파수: 2.7GHz ~ 3.1GHz
• 이득: 12dB
• 전압-테스트: 32V
• 전류 정격 (Amps): 33A
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 100mA
• 전원-출력: 130W
• 전압-정격: 60V
• 패키지 / 케이스: SOT922-1
• 공급자 장치 패키지: CDFM2

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BLS6G2933S-130,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 60V 12.5DB SOT9221

• 제조업체: Ampleon USA Inc.
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: LDMOS
• 주파수: 2.9GHz ~ 3.3GHz
• 이득: 12.5dB
• 전압-테스트: 32V
• 전류 정격 (Amps): 33A
• 소음 수치: -
• 현재-테스트: 100mA
• 전원-출력: 130W
• 전압-정격: 60V
• 패키지 / 케이스: SOT922-1
• 공급자 장치 패키지: CDFM2

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