트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
UM6K1NTN Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 5V 전력-최대: 150mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: UMT6	재고 있음52,224
UM6K31NFHATCN Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 25V 전력-최대: 150mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: UMT6	재고 있음28,998
UM6K31NTN Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 25V 전력-최대: 150mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: UMT6	재고 있음272,772
UM6K33NTN Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 1.2V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V 전력-최대: 120mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: UMT6	재고 있음29,844
UM6K34NTCN Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 0.9V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26pF @ 10V 전력-최대: 120mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: UMT6	재고 있음4,356
UP0187B00L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SSMINI-5 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V 전력-최대: 125mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-665 공급자 장치 패키지: SSMini5-F2	재고 있음8,208
UP0487800L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 50V .1A SS-MINI-6P 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V 전력-최대: 125mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SSMINI6-F1	재고 있음4,392
UP04878G0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V 전력-최대: 125mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SSMini6-F2	재고 있음6,552
UP0487C00L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 0.1A SSMINI-6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 3V 전력-최대: 125mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SSMINI6-F1	재고 있음3,474
UP0497900L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6P 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 125mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SSMINI6-F1	재고 있음3,402
UP04979G0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 125mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SSMini6-F2	재고 있음4,086
UPA1764G(0)-E1-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,928
UPA1764G(0)-E2-AT Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,924
UPA1764G-E1-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,344
UPA1764G-E2-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음3,222
UPA1950TE-T1-AT Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET P-CH SC-95 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.9nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 10V 전력-최대: 1.15W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-95 공급자 장치 패키지: SC-95	재고 있음7,956
UPA1952TE-T1-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET P-CH SC-95 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 272pF @ 10V 전력-최대: 1.15W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-95 공급자 장치 패키지: SC-95	재고 있음3,562
UPA1981TE-T1-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,967
UPA2324T1P-E1-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH DUAL LGA 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,876
UPA2350T1P-E4-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH DUAL LGA 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.6nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 542pF @ 10V 전력-최대: 1.3W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-XFLGA 공급자 장치 패키지: 4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)	재고 있음7,704
UPA2351T1P-E4-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH DUAL LGA 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.1nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 523pF @ 10V 전력-최대: 1.3W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-XFLGA 공급자 장치 패키지: 4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)	재고 있음3,528
UPA2352T1P-E4-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH DUAL LGA 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 10V 전력-최대: 750mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-XFLGA 공급자 장치 패키지: 4-EFLIP-LGA (1.4x1.4)	재고 있음22,000
UPA2372T1P-E4-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,038
UPA2373T1P-E4-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 24V 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-XFBGA 공급자 장치 패키지: 4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)	재고 있음3,186
UPA2374T1P-E1-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH DUAL LGA 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,776
UPA2375T1P-E1-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 24V 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.75W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFLGA 공급자 장치 패키지: 6-EFLIP-LGA	재고 있음7,344
UPA2379T1P-E1-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 12V 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.8W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFLGA 공급자 장치 패키지: 6-EFLIP-LGA (2.17x1.47)	재고 있음3,420
UPA2380T1P-E4-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH DUAL LGA 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 615pF @ 10V 전력-최대: 1.15W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-XFLGA 공급자 장치 패키지: 4-EFLIP-LGA (1.11x1.11)	재고 있음7,020
UPA2380T1P-SSA-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH DUAL LGA 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 615pF @ 10V 전력-최대: 1.15W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-XFLGA 공급자 장치 패키지: 4-EFLIP-LGA (1.11x1.11)	재고 있음5,400
UPA2381AT1P-E1-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH DUAL LGA 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,138

UM6K1NTN

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 5V
전력-최대: 150mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: UMT6

재고 있음52,224

UM6K31NFHATCN

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 25V
전력-최대: 150mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: UMT6

재고 있음28,998

UM6K31NTN

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 25V
전력-최대: 150mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: UMT6

재고 있음272,772

UM6K33NTN

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 1.2V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V
전력-최대: 120mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: UMT6

재고 있음29,844

UM6K34NTCN

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 0.9V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26pF @ 10V
전력-최대: 120mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: UMT6

재고 있음4,356

UP0187B00L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SSMINI-5

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V
전력-최대: 125mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-665
공급자 장치 패키지: SSMini5-F2

재고 있음8,208

UP0487800L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V .1A SS-MINI-6P

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V
전력-최대: 125mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SSMINI6-F1

재고 있음4,392

UP04878G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V
전력-최대: 125mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SSMini6-F2

재고 있음6,552

UP0487C00L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.1A SSMINI-6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 3V
전력-최대: 125mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SSMINI6-F1

재고 있음3,474

UP0497900L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6P

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 125mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SSMINI6-F1

재고 있음3,402

UP04979G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 125mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SSMini6-F2

재고 있음4,086

UPA1764G(0)-E1-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,928

UPA1764G(0)-E2-AT

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,924

UPA1764G-E1-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,344

UPA1764G-E2-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음3,222

UPA1950TE-T1-AT

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET P-CH SC-95

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.9nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 10V
전력-최대: 1.15W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-95
공급자 장치 패키지: SC-95

재고 있음7,956

UPA1952TE-T1-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET P-CH SC-95

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 272pF @ 10V
전력-최대: 1.15W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-95
공급자 장치 패키지: SC-95

재고 있음3,562

UPA1981TE-T1-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,967

UPA2324T1P-E1-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH DUAL LGA

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,876

UPA2350T1P-E4-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH DUAL LGA

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.6nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 542pF @ 10V
전력-최대: 1.3W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-XFLGA
공급자 장치 패키지: 4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)

재고 있음7,704

UPA2351T1P-E4-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH DUAL LGA

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.1nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 523pF @ 10V
전력-최대: 1.3W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-XFLGA
공급자 장치 패키지: 4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)

재고 있음3,528

UPA2352T1P-E4-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH DUAL LGA

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 10V
전력-최대: 750mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-XFLGA
공급자 장치 패키지: 4-EFLIP-LGA (1.4x1.4)

재고 있음22,000

UPA2372T1P-E4-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,038

UPA2373T1P-E4-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 24V

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-XFBGA
공급자 장치 패키지: 4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)

재고 있음3,186

UPA2374T1P-E1-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH DUAL LGA

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,776

UPA2375T1P-E1-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 24V

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.75W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFLGA
공급자 장치 패키지: 6-EFLIP-LGA

재고 있음7,344

UPA2379T1P-E1-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 12V

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.8W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFLGA
공급자 장치 패키지: 6-EFLIP-LGA (2.17x1.47)

재고 있음3,420

UPA2380T1P-E4-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH DUAL LGA

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 615pF @ 10V
전력-최대: 1.15W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-XFLGA
공급자 장치 패키지: 4-EFLIP-LGA (1.11x1.11)

재고 있음7,020

UPA2380T1P-SSA-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH DUAL LGA

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 615pF @ 10V
전력-최대: 1.15W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-XFLGA
공급자 장치 패키지: 4-EFLIP-LGA (1.11x1.11)

재고 있음5,400

UPA2381AT1P-E1-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH DUAL LGA

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,138

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