트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
MRF6V10010NR4 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.09GHz 이득: 25dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: PLD-1.5 공급자 장치 패키지: PLD-1.5	재고 있음7,794
MRF6V10250HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 100V 1.09GHZ NI780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.09GHz 이득: 21dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 250W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음4,392
MRF6V10250HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 100V 1.09GHZ NI780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.09GHz 이득: 21dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 250W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음3,580
MRF6V12250HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz 이득: 20.3dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 275W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음2,448
MRF6V12250HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz 이득: 20.3dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 275W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음4,518
MRF6V12250HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz 이득: 20.3dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 275W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음6,390
MRF6V12250HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz 이득: 20.3dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 275W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음4,788
MRF6V12500GSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz ~ 1.215GHz 이득: 19.7dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 200µA 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: - 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-780GS-2L 공급자 장치 패키지: NI-780GS-2L	재고 있음7,758
MRF6V12500HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz 이득: 19.7dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 500W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음5,670
MRF6V12500HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz 이득: 19.7dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 500W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음5,526
MRF6V12500HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 1.03GHZ NI780HS 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz 이득: 19.7dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 500W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음4,770
MRF6V12500HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 1.03GHZ NI-1230H 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.03GHz 이득: 19.7dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 500W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음2,286
MRF6V13250HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 120V 1.3GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.3GHz 이득: 22.7dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 250W 전압-정격: 120V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음4,986
MRF6V13250HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 120V 1.3GHZ NI780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.3GHz 이득: 22.7dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 250W 전압-정격: 120V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음3,906
MRF6V13250HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 120V 1.3GHZ NI780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.3GHz 이득: 22.7dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 250W 전압-정격: 120V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음3,490
MRF6V13250HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 120V 1.3GHZ NI780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.3GHz 이득: 22.7dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 250W 전압-정격: 120V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음5,310
MRF6V14300HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 100V 1.4GHZ NI780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.4GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 330W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음6,822
MRF6V14300HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 100V 1.4GHZ NI780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.4GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 330W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음6,606
MRF6V14300HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 100V 1.4GHZ NI780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.4GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 330W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음7,542
MRF6V14300HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 100V 1.4GHZ NI780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.4GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 330W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음7,758
MRF6V2010GNR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO-270G-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 220MHz 이득: 23.9dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 30mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: TO-270BA 공급자 장치 패키지: TO-270G-2	재고 있음8,208
MRF6V2010GNR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO-270G-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 220MHz 이득: 23.9dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 30mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: TO-270BA 공급자 장치 패키지: TO-270G-2	재고 있음5,616
MRF6V2010NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO272-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 220MHz 이득: 23.9dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 30mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: TO-272BC 공급자 장치 패키지: TO-272-2	재고 있음5,202
MRF6V2010NBR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO-272-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 220MHz 이득: 23.9dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 30mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: TO-272BC 공급자 장치 패키지: TO-272-2	재고 있음4,302
MRF6V2010NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO270-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 220MHz 이득: 23.9dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 30mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: TO-270AA 공급자 장치 패키지: TO-270-2	재고 있음4,252
MRF6V2150NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 220MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음19,116
MRF6V2150NBR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 220MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음5,526
MRF6V2150NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO-270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 220MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음17,328
MRF6V2300NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 220MHz 이득: 25.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음5,976
MRF6V2300NBR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 220MHz 이득: 25.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음7,218

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